1.一种金属极性与氮极性结合的gan基cmos器件，其特征在于：该cmos器件由金属极性pmos器件与氮极性nmos器件组成，金属极性pmos器件从下至上依次由衬底(1)、金属极性aln准备层(2)、金属极性aln缓冲层(4)、金属极性高阻gan层(6)、金属极性algan势垒层(8)、金属极性gan沟道层(10)、金属极性极化诱导层(12)和钝化层(14)组成；将钝化层(14)和金属极性极化诱导层(12)沿中间区域进行刻蚀，露出金属极性gan沟道层(10)，形成pmos栅电极凹槽；在刻蚀后的钝化层(14)表面和露出的金属极性gan沟道层(10)表面制备绝缘层(15)；将绝缘层(15)和钝化层(14)再沿左右两端区域进行刻蚀，露出金属极性极化诱导层(12)，形成pmos源电极凹槽和pmos漏电极凹槽；在pmos源电极凹槽和pmos漏电极凹槽中分别制备pmos源电极(16)和pmos漏电极(17)，在pmos栅电极凹槽中制备pmos栅电极(20)；氮极性nmos器件结构从下至上依次由衬底(1)、氮极性aln缓冲层(5)、氮极性高阻gan层(7)、氮极性algan势垒层(9)、氮极性gan沟道层(11)、氮极性极化诱导层(13)和钝化层(14)组成；将钝化层(14)和氮极性极化诱导层(13)沿中间区域进行刻蚀，露出氮极性gan沟道层(11)，形成nmos栅电极凹槽；在刻蚀后的钝化层(14)表面和露出的氮极性gan沟道层(11)表面制备绝缘层(15)；将绝缘层(15)和钝化层(14)再沿左右两端区域进行刻蚀，露出氮极性极化诱导层(13)，形成nmos源电极凹槽和nmos漏电极凹槽；在nmos源电极凹槽和nmos漏电极凹槽中分别制备nmos源电极(18)和nmos漏电极(19)，在nmos栅电极凹槽中制备nmos栅电极(21)；金属极性pmos器件与氮极性nmos器件共用同一衬底(1)，其结构间由隔离层(3)分隔开。
2.一种金属极性与氮极性结合的gan基cmos器件，其特征在于：该cmos器件由金属极性nmos器件与氮极性pmos器件组成，金属极性nmos器件从下至上依次由衬底(1)、金属极性aln准备层(2)、金属极性aln缓冲层(4)、金属极性高阻gan层(6)、金属极性gan沟道层(10)、金属极性algan势垒层(8)、金属极性极化诱导层(12)和钝化层(14)组成；将钝化层(14)和金属极性极化诱导层(12)沿中间区域进行刻蚀，露出金属极性algan势垒层(8)，形成nmos栅电极凹槽；在刻蚀后的钝化层(14)和露出的金属极性algan势垒层(8)表面制备绝缘层(15)；将绝缘层(15)和钝化层(14)沿左右两端区域进行刻蚀，露出金属极性极化诱导层(12)形成nmos源电极凹槽和nmos漏电极凹槽；在nmos源电极凹槽和nmos漏电极凹槽中制备nmos源电极(18)和nmos漏电极(19)，在nmos栅电极凹槽中制备nmos栅电极(21)；氮极性pmos器件结构从下至上依次由衬底(1)、氮极性aln缓冲层(5)、氮极性高阻gan层(7)、氮极性gan沟道层(11)、氮极性algan势垒层(9)、氮极性极化诱导层(13)和钝化层(14)组成；将钝化层(14)和氮极性极化诱导层(13)沿中间区域进行刻蚀，露出氮极性algan势垒层(9)，形成pmos栅电极凹槽；在刻蚀后的钝化层(14)和露出的氮极性algan势垒层(9)表面制备绝缘层(15)；将绝缘层(15)和钝化层(14)沿左右两端区域进行刻蚀，露出氮极性极化诱导层(13)形成pmos源电极凹槽和pmos漏电极凹槽；在ppmos源电极凹槽和pmos漏电极凹槽中制备pmos源电极(16)和pmos漏电极(17)，在pmos栅电极凹槽中制备pmos栅电极(20)；金属极性nmos器件与氮极性pmos器件共用同一衬底(1)，其结构间由隔离层(3)分隔开。
3.如权利要求1或2所述的一种金属极性与氮极性结合的gan基cmos器件，其特征在于：衬底(1)是蓝宝石衬底、碳面sic衬底或si衬底；在经过预溅射aln缓冲层及高温退火的蓝宝石、碳面sic衬底或si衬底上获得金属极性pmos或nmos结构；在经过高温、高v/iii比条件氨气氮化处理的蓝宝石、碳面sic衬底或si衬底上获得氮极性pmos或nmos结构。
4.如权利要求1或2所述的一种金属极性与氮极性结合的gan基cmos器件，其特征在于：金属极性aln准备层(2)的厚度为10～200nm，金属极性aln缓冲层(4)的厚度为100～200nm；氮极性aln缓冲层(5)的厚度为100～200nm；金属极性高阻gan层(6)和氮极性高阻gan层(7)采用fe补偿型受主元素掺杂以形成高阻特性，方块电阻为105～109ω/□，厚度为1～2μm；金属极性algan势垒层(8)和氮极性algan势垒层(9)的al组分为15％～40％，厚度为15～30nm；金属极性gan沟道层(10)和氮极性gan沟道层(11)的厚度为20～30nm。
5.如权利要求1或2所述的一种金属极性与氮极性结合的gan基cmos器件，其特征在于：由金属极性pmos和氮极性nmos组成的cmos器件中，金属极性pmos的金属极性极化诱导层(12)的组分渐变inxga1-xn的in组分x沿外延生长方向从x1渐变至x2，满足0≤x1＜x2≤1，厚度为50～150nm；氮极性nmos的氮极性极化诱导层(13)的组分渐变inxga1-xn的in组分x沿外延生长方向从x1渐变至x2，满足0≤x1＜x2≤1，厚度为50～150nm；由金属极性nmos和氮极性pmos组成的cmos器件中，金属极性nmos的金属极性极化诱导层(12)的组分渐变inxga1-xn的in组分x沿外延生长方向从x1渐变至x2，满足1≥x1>x2≥0，厚度为50～150nm；氮极性pmos氮极性极化诱导层(13)的组分渐变inxga1-xn的in组分x沿外延生长方向从x1渐变至x2，满1≥x1>x2≥0，厚度为50～150nm。
6.权利要求1所述的一种金属极性与氮极性结合的gan基cmos器件的制备方法，其步骤如下：
7.权利要求2所述的一种金属极性与氮极性结合的gan基cmos器件的制备方法，其步骤如下：