高电子迁移率晶体管及其制作方法与流程

本发明涉及一种高电子迁移率晶体管及其制作方法。

背景技术：

1、以氮化镓基材料(gan-based materials)为基础的高电子迁移率晶体管具有于电子、机械以及化学等特性上的众多优点，例如宽能隙、高击穿电压、高电子迁移率、大弹性模数(elastic modulus)、高压电与压阻系数(high piezoelectric and piezoresistivecoefficients)等与化学钝性。上述优点使氮化镓基材料可用于如高亮度发光二极管、功率开关元件、调节器、电池保护器、面板显示驱动器、通讯元件等应用的元件的制作。

技术实现思路

1、本发明一实施例揭露一种制作高电子迁移率晶体管(high electron mobilitytransistor,hemt)的方法。首先形成一第一阻障层于一基底上，然后形成一p型半导体层于该第一阻障层上，形成一硬掩模于该p型半导体层上，图案化该硬掩模以及该p型半导体层，再形成一间隙壁于该硬掩模以及该p型半导体层旁。

2、本发明另一实施例揭露一种制作高电子迁移率晶体管(high electron mobilitytransistor,hemt)的方法。首先形成一第一阻障层于一基底上，然后形成一p型半导体层于该第一阻障层上，图案化该p型半导体层，再形成一间隙壁于该硬掩模以及该p型半导体层旁。

3、本发明又一实施例揭露一种高电子迁移率晶体管(high electron mobilitytransistor,hemt)，其主要包含一缓冲层设于一基底上、一第一阻障层设于该缓冲层上、一p型半导体层设于该第一阻障层上以及一间隙壁设于p型半导体层旁。

技术特征：

1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包含：

2.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，另包含：

3.如权利要求2所述的高电子迁移率晶体管，其中该硬掩模设于该p型半导体层以及该栅极电极之间。

4.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该硬掩模包含导电材料。

5.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，另包含第二阻障层，在该第一阻障层上相邻于该间隙壁。

技术总结
本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中该制作高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)的方法为，首先形成一第一阻障层于一基底上，然后形成一P型半导体层于该第一阻障层上，形成一硬掩模于该P型半导体层上，图案化该硬掩模以及该P型半导体层，再形成一间隙壁于该硬掩模以及该P型半导体层旁。

技术研发人员：陈柏荣,黄哲弘,张峻铭,徐仪珊,叶治东,黄信川,廖文荣,侯俊良
受保护的技术使用者：联华电子股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/4/17