微型发光结构的制备方法、掩膜结构及微型发光结构与流程

本公开涉及半导体激光剥离的，具体而言，涉及一种微型发光结构的制备方法、掩膜结构及微型发光结构。

背景技术：

1、在micro led微显示模组制备过程中中，需要将蓝宝石衬底进行激光剥离。在激光剥离时(以下简称llo)，易造成电路损伤模组失效。而且llo后的氮化镓(gan)表面，存在表面镓(ga)残留影响模组出光部分。

2、有鉴于此，亟需提供一种微型发光结构的制备方法、掩膜结构及微型发光结构的技术方案，以便在激光剥离时保护驱动电路并添加出光。

技术实现思路

1、为了解决背景技术中提到的一种或者多种技术问题，本公开的方案提供了一种微型发光结构的制备方法、掩膜结构及微型发光结构。

2、根据本公开实施例的一个方面，提供了一种微型发光结构的制备方法。所述微型发光结构的制备方法包括：获取键合结构，所述键合结构包括驱动芯片、与所述驱动芯片键合的光芯片，所述光芯片包括衬底层和设置于所述衬底层上的发光单元阵列；通过第一掩膜结构对键合结构进行激光照射，再对激光照射后的键合结构的衬底层进行剥离；所述第一掩膜结构包括第一透光区和第一遮挡区；通过第二掩膜结构对剥离后的键合结构进行激光照射，得到表面图案化的发光单元阵列；所述第二掩膜结构包括第二透光区和第二遮挡区。

3、进一步地，在通过第一掩膜结构对键合结构进行激光照射之前，所述方法还包括：在掩膜基底上制备图案化的金属遮挡层，得到包括透光区和遮挡区的掩膜结构。

4、进一步地，所述透光区表征对应于键合结构中光芯片的区域，所述遮挡区表征对应于键合结构中相较光芯片露出的驱动芯片的区域。

5、进一步地，所述在掩膜基底上制备图案化的金属遮挡层包括：在第二掩膜基底上依次设置第一微型金属层、第二微型金属层和第三微型金属层，其中，第三微型金属层在透光区的投影面积小于第二微型金属层，第二微型金属层在透光区的投影面积小于第一微型金属层。

6、进一步地，所述在掩膜基底上制备图案化的金属遮挡层包括：所述第二微型金属层在透光区的投影落在所述第一微型金属层在透光区的投影内，所述第三微型金属层在透光区的投影落在所述第二微型金属层在透光区的投影内。

7、进一步地，所述第一微型金属层的金属光透过率小于所述第二微型金属层，所述第二微型金属层的金属光透过率小于第三微型金属层。

8、进一步地，所述光芯片包括第一半导体层，第二半导体层以及第三半导体层，所述通过第二掩膜结构对剥离后的键合结构进行激光照射，得到表面图案化的发光单元阵列包括：通过第二掩膜结构对第三半导体层进行激光照射，得到表面图案化的发光单元阵列。

9、根据本公开实施例的另一方面，提供了一种掩膜结构。所述掩膜结构包括：掩膜基底、金属遮挡层和微型金属层。所述金属遮挡层设置于掩膜基底上，以区分透光区和遮挡区，所述透光区包括所述光芯片的所在区域，所述遮挡区包括所述光芯片外侧的驱动芯片的所在区域；所述微型金属层包括在掩膜基底金属遮挡层所在的一侧依次设置的第一微型金属层、第二微型金属层和第三微型金属层。

10、进一步地，所述第三微型金属层在透光区的投影面积小于所述第二微型金属层，所述第二微型金属层在透光区的投影面积小于所述第一微型金属层。

11、根据本公开实施例的再一方面，提供了一种微型发光结构，由前述的微型发光结构的制备方法制备而成。

12、本公开实施例提供的一种微型发光结构的制备方法、掩膜结构及微型发光结构，可以实现以下技术效果：

13、应用本公开的技术方案，在激光剥离时，制备第一掩膜结构保护外围电路，避免被激光损伤。同时采用不同透过率的金属制成的第二掩膜结构，通过不同的激光掩膜工艺，对显示模组的表面进行图案化，在清除表面ga残留的同时，形成适当的图案，破坏gan的全反射。第二掩膜结构具备不同的激光透过率，在激光照射后，形成高度差的透镜结构，增加出光以及启动光线收缩的作用，提升亮度和光准直性。

技术特征：

1.一种微型发光结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的微型发光结构的制备方法，其特征在于，在通过第一掩膜结构对键合结构进行激光照射之前，所述方法还包括：

3.根据权利要求2所述的微型发光结构的制备方法，其特征在于，所述透光区表征对应于键合结构中光芯片的区域，所述遮挡区表征对应于键合结构中相较光芯片露出的驱动芯片的区域。

4.根据权利要求2或3所述的微型发光结构的制备方法，其特征在于，所述在掩膜基底上制备图案化的金属遮挡层包括：

5.根据权利要求4所述的微型发光结构的制备方法，其特征在于，所述在掩膜基底上制备图案化的金属遮挡层包括：

6.根据权利要求5所述的微型发光结构的制备方法，其特征在于，所述第一微型金属层的金属光透过率小于所述第二微型金属层，所述第二微型金属层的金属光透过率小于第三微型金属层。

7.根据权利要求1所述的微型发光结构的制备方法，其特征在于，所述光芯片包括第一半导体层，第二半导体层以及第三半导体层，

8.一种掩膜结构，其特征在于，所述掩膜结构包括：

9.根据权利要求8所述的掩膜结构，其特征在于，所述第三微型金属层在透光区的投影面积小于所述第二微型金属层，所述第二微型金属层在透光区的投影面积小于所述第一微型金属层。

10.一种微型发光结构，其特征在于，

技术总结
本公开提供了一种微型发光结构的制备方法、掩膜结构及微型发光结构。该方法包括：获取键合结构，键合结构包括驱动芯片、与驱动芯片键合的光芯片，光芯片包括衬底层和设置于衬底层上的发光单元阵列；通过第一掩膜结构对键合结构进行激光照射，再对激光照射后的键合结构的衬底层进行剥离；第一掩膜结构包括第一透光区和第一遮挡区；通过第二掩膜结构对剥离后的键合结构进行激光照射，得到表面图案化的发光单元阵列；第二掩膜结构包括第二透光区和第二遮挡区。该方法在激光剥离时通过制备两个激光掩膜避免外围电路被激光损伤的同时案对光芯片的发光单元阵列表面进行图案化在清楚表面Ga残留的同时形成适当的图案，破坏GaN的全反射并增加出光。

技术研发人员：毛学,张珂
受保护的技术使用者：深圳市思坦科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/4/7