半导体器件和形成半导体封装的隔室屏蔽的方法与流程

本发明总体上涉及半导体器件，并且更特别地涉及半导体器件以及形成半导体封装的隔室屏蔽的方法。

背景技术：

1、半导体器件常见于现代电子产品中。半导体器件执行广泛各种的功能，诸如信号处理、高速计算、发送和接收电磁信号、控制电子器件、功率转换、光电以及为电视显示器创建视觉图像。半导体器件见于通信、网络、计算机、娱乐和消费产品的领域中。半导体器件还见于军事应用、航空、汽车、工业控制器和办公装备中。

2、半导体器件可以包含：多个电部件，例如多个半导体管芯和用于支撑半导体管芯的大量分立部件，其设置在衬底上以执行必要的电功能。这种封装通常称为系统级封装(sip)模块。sip模块和其他包括用于发送和接收电磁信号的一个或多个天线的半导体封装通常称为封装天线(aip)模块。

3、sip模块、aip模块和其他类型封装的一个常见问题是封装的部件之间的电磁干扰(emi)。可以在各组部件之间形成隔室屏蔽以将它们彼此屏蔽。隔室屏蔽通常水平延伸以在半导体封装的两个不同隔室之间形成屏障，并且可以垂直延伸以连接在封装衬底上的接地迹线与形成在封装上的屏蔽层之间。

4、传统上，隔室屏蔽通过在制造工艺期间添加材料和步骤来形成，因此增加了制造封装的处理和材料成本。因此，存在对改进的隔室屏蔽器件和方法的需要。

技术实现思路

技术特征：

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：第二零欧姆电阻器，设置在所述第一电部件和第二电部件之间的所述衬底上。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括：第二开口，形成穿过所述密封剂到所述第二零欧姆电阻器。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述开口从所述第一零欧姆电阻器延伸到所述第二零欧姆电阻器。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

7.一种半导体器件，包括：

8.根据权利要求7所述的半导体器件，还包括：

9.根据权利要求7所述的半导体器件，还包括沿着路径设置的一系列第一零欧姆电阻器，其中所述开口是延伸到每个所述第一零欧姆电阻器的槽。

10.一种制造半导体器件的方法，包括：

11.根据权利要求10所述的方法，还包括在所述衬底上设置第二零欧姆电阻器。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括形成穿过所述密封剂到所述第二零欧姆电阻器的第二开口。

13.根据权利要求11所述的方法，还包括形成从所述第一零欧姆电阻器延伸到所述第二零欧姆电阻器的所述开口。

14.根据权利要求10所述的方法，还包括：

15.根据权利要求10所述的方法，还包括：

技术总结
本公开涉及半导体器件和形成半导体封装的隔室屏蔽的方法。半导体器件具有衬底。第一电部件和第二电部件设置在衬底上。零欧姆电阻器设置在第一电部件和第二电部件之间的衬底上。密封剂沉积在衬底、第一电部件、第二电部件和第一零欧姆电阻器上。开口形成穿过密封剂到第一零欧姆电阻器。屏蔽层形成在密封剂上且到开口中。

技术研发人员：李承炫,朴睿进,李喜秀
受保护的技术使用者：JCET 星科金朋韩国有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/9/26