图像传感器的制作方法

本发明构思涉及图像传感器，更具体地，涉及包括光电二极管的图像传感器。

背景技术：

1、图像传感器是将光学图像信号转换为电信号的器件。图像传感器可以包括多个像素。每个像素可以包括光电二极管区域和像素电路。光电二极管区域接收入射光并将光转换为电信号。像素电路通过使用光电二极管区域中产生的电荷来输出像素信号。随着图像传感器的集成度提高，每个像素的尺寸减小并且像素电路的每个部件的尺寸也减小。因此，存在图像传感器的质量由于通过像素电路产生的泄漏电流而降低的问题。

技术实现思路

1、本发明构思的一些示例实施方式提供通过降低像素电路的噪声而具有改善的图像质量的图像传感器。

2、根据本发明构思的一些示例实施方式，一种图像传感器可以包括具有多个像素的基板。所述多个像素中的每个像素可以包括：在基板中的光电转换区和浮置扩散区；在基板的第一表面上的包括像素栅极的像素晶体管；在光电转换区和浮置扩散区之间的第一传输栅极，第一传输栅极延伸到基板中，第一传输栅极在平行于基板延伸的水平方向上具有第一宽度；以及在光电转换区和浮置扩散区之间的第二传输栅极，当在平面图中观看时第二传输栅极在像素栅极和第一传输栅极之间，第二传输栅极在水平方向上具有小于第一宽度的第二宽度。

3、根据本发明构思的一些示例实施方式，一种图像传感器可以包括具有多个像素的基板。所述多个像素中的每个像素可以包括：在基板中的光电转换区和浮置扩散区；在基板的第一表面上的包括像素栅极的像素晶体管；在光电转换区和浮置扩散区之间并延伸到基板中的第一传输栅极；以及在光电转换区和浮置扩散区之间的第二传输栅极，当在平面图中观看时第二传输栅极在像素栅极和第一传输栅极之间，其中第二传输栅极的面积小于第一传输栅极的面积。

4、根据本发明构思的一些示例实施方式，一种图像传感器可以包括具有多个像素的基板，所述多个像素的每个被像素器件隔离层围绕。所述多个像素中的每个像素可以包括：在基板中的光电转换区和浮置扩散区；在基板的第一表面上的包括像素栅极的像素晶体管；与光电转换区相邻的第一传输栅极，第一传输栅极延伸到基板中，第一传输栅极在平行于基板延伸的水平方向上具有第一宽度；与光电转换区相邻的第二传输栅极，当在平面图中观看时第二传输栅极在像素栅极和第一传输栅极之间，第二传输栅极在水平方向上具有小于第一宽度的第二宽度；以及在基板的第二表面上的滤色器，第二表面与基板的第一表面相反，其中第一传输栅极在垂直于基板延伸的垂直方向上具有第一高度，第二传输栅极在垂直方向上具有第二高度，第二高度是第一高度的约80％至约120％。

技术特征：

1.一种图像传感器，包括：

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第二宽度在所述第一宽度的30％至80％的范围内。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第一传输栅极包括面对所述浮置扩散区的第一侧表面，所述第二传输栅极包括面对所述浮置扩散区的第二侧表面。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第一传输栅极在垂直于所述基板延伸的垂直方向上具有第一高度，所述第二传输栅极在所述垂直方向上具有第二高度，所述第二高度在所述第一高度的80％至120％的范围内。

5.根据权利要求4所述的图像传感器，其中所述第二高度在0.1微米至0.9微米的范围内。

6.根据权利要求4所述的图像传感器，其中所述第二高度在0.3微米至0.5微米的范围内。

7.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第二传输栅极的面积小于所述第一传输栅极的面积。

8.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第一传输栅极与所述像素栅极间隔开第一距离，所述第二传输栅极与所述像素栅极间隔开第二距离，所述第二距离小于所述第一距离。

9.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：

10.根据权利要求9所述的图像传感器，其中，在所述多个像素中的每个像素中，所述像素的所述第一传输栅极在所述像素的外围区域中，所述像素的所述第二传输栅极在所述像素的中心区域中。

11.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述像素晶体管具有所述像素的面积的50％或更多的面积。

12.一种图像传感器，包括：

13.根据权利要求12所述的图像传感器，其中所述第一传输栅极包括面对所述浮置扩散区的第一侧表面，所述第二传输栅极包括面对所述浮置扩散区的第二侧表面。

14.根据权利要求12所述的图像传感器，其中所述第一传输栅极在垂直于所述基板延伸的垂直方向上具有第一高度，所述第二传输栅极在所述垂直方向上具有第二高度，所述第二高度在所述第一高度的80％至120％的范围内。

15.根据权利要求14所述的图像传感器，其中所述第二高度在0.1微米至0.9微米的范围内。

16.根据权利要求12所述的图像传感器，其中所述第一传输栅极与所述像素栅极间隔开第一距离，所述第二传输栅极与所述像素栅极间隔开第二距离，所述第二距离小于所述第一距离。

17.根据权利要求12所述的图像传感器，其中所述第一传输栅极在平行于所述基板延伸的水平方向上具有第一宽度，所述第二传输栅极在所述水平方向上具有小于所述第一宽度的第二宽度。

18.一种图像传感器，包括：

19.根据权利要求18所述的图像传感器，其中所述第二高度在0.1微米至0.9微米的范围内。

20.根据权利要求18所述的图像传感器，其中所述第一传输栅极与所述像素栅极间隔开第一距离，所述第二传输栅极与所述像素栅极间隔开第二距离，所述第二距离小于所述第一距离。

技术总结
一种图像传感器包括具有多个像素的基板。每个像素包括：在基板中的光电转换区和浮置扩散区；在基板的第一表面上的包括像素栅极的像素晶体管；第一传输栅极，在光电转换区和浮置扩散区之间，延伸到基板中，并在水平方向上具有第一宽度；以及第二传输栅极，在光电转换区和浮置扩散区之间，当在平面图中观看时布置在像素栅极和第一传输栅极之间，并在水平方向上具有小于第一宽度的第二宽度。

技术研发人员：印成峻,金成瞮,金宰浩
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/6/20