用于处理基板的装置的制作方法

本文描述的本发明构思的实施方案涉及基板处理装置，更具体地，涉及用于使用等离子体处理基板的装置。

背景技术：

1、等离子体是指由离子、基团和电子构成的离子化气体状态。等离子体通过非常高的温度、强电场或rf电磁场来产生。等离子体和诸如晶圆的基板相互作用以执行各种半导体元件制造工艺，诸如蚀刻工艺。

2、等离子体包括离子和基团。离子阻断器(离子阻滞器，ion blocker)阻断包括在等离子体中的离子，以将中性基团供应至基板所在的处理空间。一般来说，离子阻断器由金属制成，并且接地以捕获离子。由于离子阻断器由金属材料制成，激光或微波被离子阻断器反射，并且不会传送至基板。因此，离子阻断器不能用于需要通过将激光或微波传送至基板来将热源传送至基板的工艺中。

技术实现思路

1、本发明构思的实施方案提供了一种基板处理装置，用于解决上述问题。

2、本发明构思的实施方案提供了一种基板处理装置，用于有效地处理基板。

3、本发明构思的实施方案提供了一种基板处理装置，用于在将热源传送至基板的情况下有效地捕获包括在等离子体中的离子。

4、本发明构思的技术目的不限于上述技术目的，并且对本领域技术人员而言，其他未提及的技术目的将从以下描述变得显而易见。

5、本发明构思提供了一种基板处理装置。该基板处理装置包括：腔室，该腔室具有内部空间；离子阻断器，该离子阻断器将内部空间分为底侧处的第一空间和顶侧处的第二空间；支承单元，该支承单元配置为在第一空间支承基板；以及等离子体源，该等离子体源在内部空间产生等离子体，以及其中，在离子阻断器处形成多个通道，用于将流体从第二空间流动至第一空间，以及该离子阻断器由介电物质制成，以及包括在等离子体中的离子和基团中的离子在穿过通道时被捕获。

6、在实施方案中，通道是穿透离子阻断器的顶-底表面的通孔。

7、在实施方案中，离子阻断器由具有通道的网状结构形成。

8、在实施方案中，配备多个离子阻断器，并且多个离子阻断器在自顶而下的方向(top-down direction)上彼此间隔开地设置。

9、在实施方案中，当从上方观察时，在多个离子阻断器中的任何一个离子阻断器处形成的通道与在相邻离子阻断器处形成的通道不重叠。

10、在实施方案中，基板处理装置还包括加热单元，该加热单元配置为将热源传送至支承在支承单元上的基板，并且其中，热源包括光、微波或激光。

11、在实施方案中，等离子体源包括环绕腔室外壁的线圈，并且该线圈施加高频电力(high-frequency power)，并且加热单元位于腔室的顶端，并且将热源传送至离子阻断器。

12、在实施方案中，等离子体源包括电极板，该电极板位于腔室的顶端并且施加高频电力，以及支承单元接地，并且加热单元位于电极板的顶侧。

13、在实施方案中，电极板由包括氧化铟锡(ito)的材料制成，该材料使热源穿过。

14、在实施方案中，在腔室的内侧壁处安装导轨，以及驱动单元安装在离子阻断器处，以及驱动单元沿导轨移动以改变离子阻断器的位置。

15、在实施方案中，随着离子阻断器的厚度和通道的宽度的纵横比(aspect ratio)增加，由离子阻断器捕获的离子的量增加。

16、在实施方案中，随着多个离子阻断器之间的间隔减小，由离子阻断器捕获的离子的量增加。

17、本发明构思提供了一种基板处理装置。基板处理装置包括离子阻断器，该离子阻断器捕获包括在等离子体中的离子；以及支承单元，该支承单元设置在离子阻断器的底侧并且配置为支承基板，并且其中，该离子阻断器由介电物质制成。

18、在实施方案中，在离子阻断器处形成多个通孔，用于在离子阻断器的顶部空间和离子阻断器的底部空间之间流动流体。

19、在实施方案中，配备多个离子阻断器，并且多个离子阻断器在自顶而下的方向上彼此间隔开地设置。

20、在实施方案中，当从上方观察时，在多个离子阻断器中的任何一个离子阻断器处形成的通孔与在相邻离子阻断器处形成的通孔不重叠。

21、在实施方案中，离子阻断器由网状结构形成。

22、在实施方案中，基板处理装置还包括加热单元，该加热单元配置为将热源传送至支承在支承单元上的基板

23、在实施方案中，加热单元包括灯(lamp)、激光光学系统或微波发生器。

24、本发明构思提供了一种基板处理装置。基板处理装置包括：腔室，该腔室具有内部空间；离子阻断器，该离子阻断器将内部空间分为底侧处的第一空间和顶侧处的第二空间；支承单元，该支承单元配置为在第一空间支承基板；气体供应单元，该气体供应单元配置为供应在第二空间激发成等离子体的气体；等离子体源，该等离子体源在第一空间和/或第二空间产生等离子体；以及热源，该热源穿过离子阻断器并将热源传送至支承在支承单元上的基板，并且其中，离子阻断器由介电物质形成，并且在离子阻断器处形成用于流动流体的多个通道，并且包括在等离子体中的离子和基团中的离子在穿过通道时被捕获，并且热源穿过离子阻断器传送至支承在支承单元上的基板。

25、根据本发明构思的实施方案，可以有效地处理基板。

26、根据本发明构思的实施方案，在将热源传送至基板时，可以有效地捕获包括在等离子体中的离子。

27、根据本发明构思的实施方案，可以有效地调整作用于基板上的离子和基团的比率。

28、本发明构思的效果不限于上述效果，并且对于本领域技术人员来说，其他未提及的效果将从以下描述中变得显而易见。

技术特征：

1.一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述通道是穿透所述离子阻断器的顶-底表面的通孔。

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述离子阻断器由具有所述通道的网状结构形成。

4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，配备多个所述离子阻断器，并且所述多个离子阻断器在自顶而下的方向上设置为彼此间隔开。

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，当从上方观察时，在所述多个离子阻断器中的任何一个离子阻断器处形成的通道与在相邻离子阻断器处形成的通道不重叠。

6.根据权利要求1所述的基板处理装置，所述基板处理装置还包括加热单元，所述加热单元配置为将热源传送至支承在所述支承单元上的基板，以及

7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，等离子体源包括环绕所述腔室的外壁的线圈，并且施加高频电力，以及

8.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，所述等离子体源包括电极板，所述电极板位于所述腔室的顶端并且施加高频电力，以及

9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中，所述电极板由包括氧化铟锡ito的材料制成，所述材料使所述热源穿过。

10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其中，在所述腔室的内侧壁处安装导轨，以及

11.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，随着所述离子阻断器的厚度和所述通道的宽度的纵横比增加，由所述离子阻断器捕获的所述离子的量增加。

12.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，随着所述多个离子阻断器之间的间隔减小，由所述离子阻断器捕获的所述离子的量增加。

13.一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：

14.根据权利要求13所述的基板处理装置，其中，在所述离子阻断器处形成多个通孔，用于在所述离子阻断器的顶部空间和所述离子阻断器的底部空间之间流动流体。

15.根据权利要求14所述的基板处理装置，其中，配备多个离子阻断器，并且所述多个离子阻断器在自顶而下的方向上设置为彼此间隔开。

16.根据权利要求15所述的基板处理装置，其中，当从上方观察时，在所述多个离子阻断器中的任何一个离子阻断器处形成的通孔与在相邻离子阻断器处形成的通孔不重叠。

17.根据权利要求13所述的基板处理装置，其中，所述离子阻断器由网状结构形成。

18.根据权利要求13所述的基板处理装置，其中，所述基板处理装置还包括加热单元，所述加热单元配置为将热源传送至支承在所述支承单元上的基板。

19.根据权利要求18所述的基板处理装置，其中，所述加热单元包括灯、激光光学系统或微波发生器。

20.一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：

技术总结
本发明构思提供了一种基板处理装置。该基板处理装置包括：离子阻断器，该离子阻断器将内部空间分为底侧处的第一空间和顶侧处的第二空间；支承单元，该支承单元配置为在第一空间支承基板；以及等离子体源，该等离子体源在内部空间产生等离子体，以及其中，在离子阻断器处形成多个通道，用于将流体从第二空间流动至第一空间，以及离子阻断器由介电物质制成，以及包括在等离子体中的离子和基团中的离子在穿过通道时被捕获。

技术研发人员：崔伦硕,金润相,姜汉林,曹玹玗,李相政,奉允根
受保护的技术使用者：细美事有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/6/20