本申请涉及半导体制造术领域,具体而言,涉及一种芯片封装结构、芯片封装方法及电子元器件。
背景技术:
1、随着半导体技术的不断发展,对封装工艺的要求也越来越高。但封装工艺中,由于芯片材料与塑封料之间的热膨胀系数差异,封装载体与塑封层之间可能会随着温度变化而产生不同的膨胀或收缩量,从而导致封装载体由于应力发生翘曲,影响后续工艺精度。同时发生翘曲的载体会对载体上的芯片施加一弯曲力矩,若该弯曲力矩过大可能造成芯片的损坏,影响产品性能及可靠性。
技术实现思路
1、为了至少克服现有技术中的上述不足,本申请的目的在于提供一种芯片封装结构、芯片封装方法及电子元器件。
2、第一方面,本申请实施例提供一种芯片封装结构,所述芯片封装结构包括走线基板、非功能凸块、芯片及塑封层;
3、所述走线基板包括用于放置所述芯片的第一区域以及位于所述第一区域周边的第二区域;
4、所述芯片放置于所述第一区域,所述非功能凸块设置于所述第二区域,且所述芯片与所述非功能凸块位于所述走线基板的同一侧,其中,所述非功能凸块环绕在所述芯片的四周;
5、所述塑封层位于所述走线基板设置有所述芯片的一侧,且所述塑封层至少覆盖所述芯片及所述非功能凸块。
6、在一种可能的实现方式中,所述非功能凸块包括第一非功能凸块,所述第一非功能凸块环绕所述芯片连续设置或不连续设置;
7、所述第一非功能凸块围合形成的环形形状与所述芯片的外轮廓形状相同。
8、在一种可能的实现方式中,所述非功能凸块包括第二非功能凸块,所述第二非功能凸块环绕所述第一非功能凸块连续设置或不连续设置;
9、在所述第二非功能凸块由多个子凸块不连续形成时,相邻所述子凸块等间距设置。
10、在一种可能的实现方式中,所述多个子凸块围合在所述第一非功能凸块的四周,并沿着所述第一非功能凸块边缘的延伸方向排布形成所述第二非功能凸块;
11、所述第二非功能凸块围合形成的环形形状与第一非功能凸块围合形成的环形形状相同。
12、在一种可能的实现方式中,在垂直于所述走线基板所在平面的方向上,所述非功能凸块高度小于或等于所述芯片的高度,且大于或等于所述芯片高度的二分之一。
13、第二方面,本申请实施例还提供一种芯片封装方法,所述方法包括:
14、提供一走线基板,其中,所述走线基板包括用于放置所述芯片的第一区域以及位于所述第一区域周边的第二区域;
15、在所述第二区域靠近所述第一区域的位置处设置环绕所述第一区域的非功能凸块;
16、在所述第一区域内放置芯片,且所述芯片与所述走线基板电连接;
17、在所述走线基板设置有所述芯片的一侧制作所述塑封层,其中,所述塑封层至少包裹所述芯片及所述非功能凸块。
18、在一种可能的实现方式中,所述非功能凸块包括第一非功能凸块及第二非功能凸块,所述在所述第二区域靠近所述第一区域的位置处设置非功能凸块的步骤,包括:
19、在所述第二区域靠近所述第一区域的位置处制作环绕所述第一区域的第一非功能凸块;
20、在所述第二区域内设置环绕所述第一非功能凸块的所述第二非功能凸块。
21、在一种可能的实现方式中,在所述第二区域靠近所述第一区域的位置处设置环绕所述第一区域第一非功能凸块的步骤,包括:
22、在所述第二区域靠近所述第一区域的位置处制作环绕所述第一区域的第一粘接层;
23、在所述第一粘接层远离所述走线基板的一侧制作所述第一非功能凸块;
24、所述在所述第二区域内设置环绕所述第一非功能凸块的所述第二非功能凸块的步骤,包括:
25、在所述第二区域中所述第一非功能凸块的四周制作环绕所述第一非功能凸块的第二粘接层;
26、在所述第二粘接层远离所述走线基板的一侧制作连续分布或不连续分布的所述第二非功能凸块。
27、第二方面,本申请实施例还提供一种电子元器件,包括第一方面中任意一种的芯片封装结构或根据第二方面中任意一项方法制成的芯片封装结构。
28、基于上述任意一个方面,本申请实施例提供的芯片封装结构、芯片封装方法及电子元器件,通过在芯片四周环设非功能凸块,不仅可以保护芯片不被其他器件焊接产生的锡球影响,还可以减小芯片在封装过程由于热应力分布不均匀导致的翘曲。此外,非功能凸块的形状、尺寸和材料可以根据具体需求进行调整,可以适应不同芯片封装的要求,灵活性高。
1.一种芯片封装结构,其特征在于,包括走线基板、非功能凸块、芯片及塑封层;
2.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述非功能凸块包括第一非功能凸块,所述第一非功能凸块环绕所述芯片连续设置或不连续设置;
3.根据权利要求2所述的芯片封装结构,其特征在于,所述非功能凸块包括第二非功能凸块,所述第二非功能凸块环绕所述第一非功能凸块连续设置或不连续设置;
4.如权利要求3所述的芯片封装结构,其特征在于,所述多个子凸块围合在所述第一非功能凸块的四周,并沿着所述第一非功能凸块边缘的延伸方向排布形成所述第二非功能凸块;
5.根据权利要求1-4中任意一项所述的芯片封装结构,其特征在于,在垂直于所述走线基板所在平面的方向上,所述非功能凸块高度小于或等于所述芯片的高度,且大于或等于所述芯片高度的二分之一。
6.根据权利要求1-4中任意一项所述的芯片封装结构,其特征在于,所述非功能凸块的材料包括玻璃、硅、有机物及金属中的至少一种。
7.一种芯片封装方法,其特征在于,所述方法包括:
8.根据权利要求7所述的芯片封装方法,其特征在于,所述非功能凸块包括第一非功能凸块及第二非功能凸块,所述在所述第二区域靠近所述第一区域的位置处设置非功能凸块的步骤,包括:
9.根据权利要求8所述的芯片封装方法,其特征在于,在所述第二区域靠近所述第一区域的位置处设置环绕所述第一区域第一非功能凸块的步骤,包括:
10.一种电子元器件,其特征在于,包括权利要求1-6中任意一种的芯片封装结构或根据权利要求7-9中任意一项方法制成的芯片封装结构。