一种半导体芯片表面溅镀的方法与流程

本发明涉及电子器件封装，具体涉及一种半导体芯片表面溅镀的方法。

背景技术：

1、电磁屏蔽是指在半导体芯片的表面附着一层金属屏蔽层，从而达到屏蔽电磁干扰的效果。目前较为成熟的是通过溅镀技术在半导体芯片的表面附着溅镀层进行电磁屏蔽。

2、目前的溅镀方式为单个半导体芯片溅镀，其步骤及方法为：先将连板半导体芯片切割为单个独立的半导体芯片；然后将双面胶贴在载具表面，将单个的半导体芯片粘贴在双面胶上进行溅镀；最后将溅镀完成的半导体芯片与双面胶、载具分离。目前的溅镀方式使得半导体芯片的侧壁会被全部覆盖上溅镀层，溅镀层的深度不可控，达不到侧壁只需要部分溅镀层的设计需求，同时单个半导体芯片溅镀的作业方式的产能低。当单个半导体芯片的尺寸小于3×3cm时，将半导体芯片贴在双面胶上时对设备精度的要求较高，设备成本也相应的增加。

技术实现思路

1、有鉴于此，本发明的目的在于提供一种半导体芯片表面溅镀的方法，提高了作业效率和产品良率，极大的减少了对应设备以及物料的投入成本。

2、本发明实施例提供了一种半导体芯片表面溅镀的方法，所述方法包括：

3、将连板半导体芯片上每个半导体芯片的外侧壁进行第一次切割；

4、将第一次切割后的连板半导体芯片放置固定在载具上；

5、对第一次切割后的连板半导体芯片上每个半导体芯片的外侧壁以及顶面进行溅镀，所述半导体芯片的外侧壁上的溅镀深度与第一次切割的高度相同；

6、将溅镀后的连板半导体芯片从载具中取出后翻转，并将溅镀后的连板半导体芯片上每个半导体芯片的外侧壁进行第二次切割形成单个半导体芯片，第二次切割的切割位置和第一次切割的切割位置相对应。

7、进一步地，所述将连板半导体芯片上每个半导体芯片的外侧壁进行第一次切割之前，还包括：

8、在连板半导体芯片上设置横向切割道和纵向切割道，并分别在每条横向切割道的两端和每条纵向切割道的两端设置定位点。

9、进一步地，所述将连板半导体芯片上每个半导体芯片的外侧壁进行第一次切割包括：

10、通过定位相机依次分别抓取每条横向切割道两端的定位点和每条纵向切割道两端的定位点；

11、对连板半导体芯片上的横向切割道和纵向切割道分别进行横向切割和纵向切割；

12、在横向切割和纵向切割中，切割刀转速为25000r/min，刀片高度为0.5mm，进刀速度为30mm/s。

13、进一步地，在第一次切割中，切割道宽度与切割深度之比大于1。

14、进一步地，所述将连板半导体芯片上每个半导体芯片的外侧壁进行第一次切割还包括：

15、将连板半导体芯片上每个半导体芯片的外侧壁由塑封的顶面开始切割至与pcb基板的底面平齐。

16、进一步地，所述将第一次切割后的连板半导体芯片放置固定在载具上包括：

17、将导热硅胶片固定在载具的容置腔底部，所述容置腔的深度小于等于塑封底面到pcb基板顶面的厚度与导热硅胶片的厚度之和；

18、将第一次切割后的连板半导体芯片放置到载具的容置腔内，所述连板半导体芯片与所述导热硅胶片接触；

19、在载具顶面上放置遮挡片固定所述连板半导体芯片。

20、进一步地，所述对第一次切割后的连板半导体芯片上每个半导体芯片的外侧壁以及顶面进行溅镀包括：

21、对第一次切割后的连板半导体芯片上每个半导体芯片的外侧壁以及顶面进行溅镀，得到过渡层；

22、在所述过渡层的表面进行溅镀，得到第一屏蔽层；

23、所述过渡层形成为不锈钢层，所述过渡层的厚度为0.1μm；

24、所述第一屏蔽层形成为铜层，所述第一屏蔽层的厚度为5-8μm。

25、进一步地，所述对第一次切割后的连板半导体芯片上每个半导体芯片的外侧壁以及顶面进行溅镀还包括：

26、在所述第一屏蔽层的表面进行溅镀，得到第二屏蔽层；

27、所述第二屏蔽层形成为不锈钢层，所述第二屏蔽层的厚度为0.3μm。

28、进一步地，在所述将第一次切割后的连板半导体芯片放置固定在载具上之后以及在所述对第一次切割后的连板半导体芯片上每个半导体芯片的外侧壁以及顶面进行溅镀之前，还包括：

29、依次进行加热除湿处理和清洁处理。

30、进一步地，所述依次进行加热除湿处理和清洁处理包括：

31、使用远红外线陶瓷加热器在真空状态下对第一次切割后的连板半导体芯片进行加热，其中，真空压力小于等于，加热温度为，加热时间为60s；

32、在真空状态下向密闭腔体内通入氩气，使用射频电源产生电浆对第一次切割后的连板半导体芯片的表面进行清洁，其中，真空压力为，射频电源的功率为900w，清洁时间为90s，氩气流量为150sccm。

33、本发明实施例提供了一种半导体芯片表面溅镀的方法，该方法通过将连板半导体芯片上每个半导体芯片的外侧壁进行第一次切割，然后将第一次切割后的连板半导体芯片放置固定在载具上对每个半导体芯片的外侧壁以及顶面进行溅镀，然后从载具中取出后翻转对连板半导体芯片上每个半导体芯片的外侧壁进行第二次切割从而分割形成多个独立的半导体芯片。该方法是直接对连板半导体芯片进行切割、溅镀，提高了作业效率和产品良率，极大的减少了对应设备以及物料的投入成本。

技术特征：

1.一种半导体芯片表面溅镀的方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将连板半导体芯片上每个半导体芯片的外侧壁进行第一次切割之前，还包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述将连板半导体芯片上每个半导体芯片的外侧壁进行第一次切割包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在第一次切割中，切割道宽度与切割深度之比大于1。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述将连板半导体芯片上每个半导体芯片的外侧壁进行第一次切割还包括：

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将第一次切割后的连板半导体芯片放置固定在载具上包括：

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对第一次切割后的连板半导体芯片上每个半导体芯片的外侧壁以及顶面进行溅镀包括：

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述对第一次切割后的连板半导体芯片上每个半导体芯片的外侧壁以及顶面进行溅镀还包括：

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述将第一次切割后的连板半导体芯片放置固定在载具上之后以及在所述对第一次切割后的连板半导体芯片上每个半导体芯片的外侧壁以及顶面进行溅镀之前，还包括：

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述依次进行加热除湿处理和清洁处理包括：

技术总结
本发明实施例公开了一种半导体芯片表面溅镀的方法，该方法通过将连板半导体芯片上每个半导体芯片的外侧壁进行第一次切割，然后将第一次切割后的连板半导体芯片放置固定在载具上对每个半导体芯片的外侧壁以及顶面进行溅镀，然后从载具中取出后翻转对连板半导体芯片上每个半导体芯片的外侧壁进行第二次切割从而分割形成多个独立的半导体芯片。该方法是直接对连板半导体芯片进行切割、溅镀，提高了作业效率和产品良率，极大的减少了对应设备以及物料的投入成本。

技术研发人员：李胜彪,赵宏博,汪凯,王利维,魏大仲
受保护的技术使用者：立芯科技（昆山）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/1