一种SICMOSFET模块的封装方法及SICMOFSFET模块与流程

文档序号:37446561发布日期:2024-03-28 18:29阅读:23来源:国知局
一种SIC MOSFET模块的封装方法及SIC MOFSFET模块与流程

本发明涉及sic mofsfet模块,更具体地说,本发明涉及一种sic mosfet模块的封装方法及sic mofsfet模块。


背景技术:

1、随着电力电子技术在大功率变流技术、轨道交通领域的不断扩展,对变流器的效率和功率密度提出了更高的要求,相较于硅基材料igbt、mosfet器件材料的特性局限性,大功率sic mofet在高频、高温、高压等领域有较好的应用前景,sic mosfet模块作为一种第三代半导体器件,目前由于其优异的特性被越来越多的客户所青睐。

2、目前国内sic mofet功率模块一直采用一种封装模式进行生产,采用铝丝键合工艺将裸片与dbc板焊接后,用绑定机打铝线,需要多次焊接,工艺复杂,设备投入大,并且铝丝本身过载能力差,影响产品品质。

3、为了解决上述问题,现提供一种技术方案。


技术实现思路

1、为了克服现有技术的上述缺陷,本发明的实施例提供通过独特的结构设计,制作装配过程简单,并能实现批量化生产,以解决上述背景技术中提出的问题。

2、为了实现上述目的,本发明采用了如下技术方案:

3、一种sic mofsfet模块,包括:

4、基座、sic mofsfet晶圆、g极电极、s极电极、d极电极、铜连接片和壳体,所述sicmofsfet晶圆、g极电极、s极电极和d极电极均安装在基座上;

5、所述铜连接片两端分别锡焊焊接在sic mofsfet晶圆的g极和g极电极上。

6、在一个优选的实施方式中,所述壳体固定安装在基座上。

7、在一个优选的实施方式中,所述g极电极、s极电极和d极电极均安装在壳体上。

8、在一个优选的实施方式中,所述基座上开设有安装孔。

9、通过采用上述技术方案,方便对sic mofsfet模块进行安装处理。

10、本发明还提出了一种sic mosfet模块的封装方法,适用于上述任一所述的sicmosfet模块,包括如下步骤:

11、步骤s1:sic mofsfet晶圆的s极和g极通过铜过桥焊接的方式与电极连接;

12、步骤s2:通过特殊定位治具一次焊接完成。

13、在一个优选的实施方式中,所述sic mofsfet晶圆的g极和g极电极采用铜过桥焊接的方式来连接。

14、通过采用上述技术方案,采用铜过桥焊接的方式来实现,设备投入少,产品制作工序简单,成本低,品质可靠。

15、本发明的有益效果:

16、本发明提出的一种sic mosfet模块的封装方法及sic mofsfet模块,目前都采用绑定的方式,需要额外的设备投入和更多次的工艺流程才能实现,本发明采用铜过桥焊接的方式来实现,设备投入少,产品制作工序简单,成本低,品质可靠;

17、本发明提出的一种sic mosfet模块的封装方法及sic mofsfet模块,g极过桥采用特殊设计的铜连接片连接,便于定位焊接;

18、本发明提出的一种sic mosfet模块的封装方法及sic mofsfet模块,独特的结构设计,制作装配过程简单,并能实现批量化生产。

19、本发明采用铜过桥焊接的方式来实现,设备投入少,产品制作工序简单,成本低,品质可靠。



技术特征:

1.一种sic mosfet模块,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的一种sic mosfet模块,其特征在于,所述壳体(7)固定安装在基座(1)上。

3.根据权利要求1所述的一种sic mosfet模块,其特征在于,所述g极电极(3)、s极电极(4)和d极电极(5)均安装在壳体(7)上。

4.根据权利要求1所述的一种sic mosfet模块,其特征在于,所述基座(1)上开设有安装孔。

5.一种sic mosfet模块的封装方法,适用于权利要求1-4任一所述的sic mosfet模块,其特征在于,包括如下步骤:

6.根据权利要求5所述的一种sic mosfet模块的封装方法,其特征在于,所述sicmofsfet晶圆(2)的g极和g极电极(3)采用铜过桥焊接的方式来连接。


技术总结
本发明属于SIC MOFSFET模块领域,尤其是一种SIC MOSFET模块的封装方法及SIC MOFSFET模块,针对现有的目前SIC MOFET功率模块一直采用一种封装模式进行生产,采用铝丝键合工艺将裸片与DBC板焊接后,用绑定机打铝线,需要多次焊接,工艺复杂,设备投入大,并且铝丝本身过载能力差,影响产品品质的问题,现提出如下方案,其中SIC MOFSFET模块包括:基座、SIC MOFSFET晶圆、G极电极、S极电极、D极电极、铜连接片和壳体,所述SIC MOFSFET晶圆、G极电极、S极电极和D极电极均安装在基座上;所述铜连接片两端分别锡焊焊接在SIC MOFSFET晶圆的G极和G极电极上。本发明采用铜过桥焊接的方式来实现,设备投入少,产品制作工序简单,成本低,品质可靠。

技术研发人员:陈华军,罗文华
受保护的技术使用者:江苏晶佰源半导体科技有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/3/27
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