一种对称的LED芯片及其制备方法与流程

本发明涉及led芯片，尤其涉及一种对称的led芯片及其制备方法。

背景技术：

1、micro led显示技术是指以自发光的微米量级的led为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成高密度led阵列的显示技术。由于micro led芯片尺寸小、集成度高和自发光等特点,在显示方面与lcd、oled相比在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势。

2、micro-led display即将微缩化的led集成到每一个像素可定址的led显示驱动电路中，形成led阵列，实现led微型显示。在microled转移中，有一种流体自组装的方式，将背板和led置于流体中，通过流动或者振荡等使led落于背板上设计好的洞中。多次之后保证每个洞都填好对应的led后，进行固晶bonding。

3、目前，led的结构是有方向性的，所以如果进入洞中的led方向不对，是无法进行电性连接，需要想办法将方向不对的筛选取出，再重新放入洞中；具体的，如正装led结构和倒装led结构。

4、因此，目前的led芯片结构在激光转移过程中具有方向性，需要增加检查步骤，制作效率低同时适用范围窄。

技术实现思路

1、本发明要解决的技术问题是，现有的led芯片结构在激光转移过程中具有方向性，需要增加检查步骤，制作效率低同时适用范围窄的技术问题。

2、为解决上述技术问题，本发明的目的是通过以下技术方案实现的：提供一种对称的led芯片，通过对led芯片结构进行优化、使其结构对称，n电极和p电极无论在正方或者倒放的情况下都能够进行共晶接触，没有方向性要求，制备过程更加高效便捷，同时扩宽了适用范围。

3、具体的，本发明公开一种对称的led芯片，包括内芯、绝缘层、n电极以及p电极；所述p电极贯穿内芯中间所设的通孔；所述n电极位于所述内芯外延两侧，对称设置；所述内芯与n电极之间，以及所述内芯与p电极之间还设置有绝缘层。

4、优选的，所述对称的led芯片为轴对称结构，以中间的通孔为轴。

5、优选的，所述n电极选自ni、au、cr、pd、al、ti中的至少一种。

6、优选的，所述p电极选自ni、au、cr、pd、al、ti中的至少一种。

7、优选的，所述绝缘层选自sinx、sio2中的至少一种。

8、优选的，所述n电极的厚度和p电极的厚度相等。

9、优选的，所述内芯包括透明导电层、p型氮化镓层、多量子阱结构层、n型氮化镓层；所述多量子阱结构层位于n型氮化镓层与p型氮化镓层之间；所述p型氮化镓层位于透明导电层与多量子阱结构层之间。

10、本发明还公开上述的对称的led芯片的制备方法，包括以下步骤：

11、s1备原料：准备含有衬底的内芯；

12、s2打通孔：在内芯中间打通孔；

13、s3绝缘层初处理：在内芯外延和通孔处添加第一绝缘段；

14、s4电极初处理：在内芯外延添加第一电极段，在通孔处添加第二电极段；

15、s5衬底处理：在内芯远离衬底一端添加辅助衬底，将内芯原有的衬底剥离；

16、s6绝缘层二次处理：在内芯无衬底的一端添加第二绝缘段；

17、s7电极二次处理：在第二绝缘段上添加第三电极段和第四电极段，制得对称的led芯片；

18、所述绝缘层由第一绝缘段和第二绝缘段组成；

19、所述p电极由位于通孔处的第二电极段和第四电极段组成；

20、所述n电极由位于内芯两侧的第一电极段和第三电极段组成。

21、优选的，所述步骤s7后，还需要将辅助衬底剥离。

22、优选的，所述步骤s1和步骤s2之间还包括步骤s21制台阶；所述步骤s21制台阶为，在p型氮化镓层表面进行刻蚀，刻蚀到n型氮化镓层露出。

23、有益效果：

24、本发明的对称的led芯片通过对led芯片结构进行优化、使其结构对称，n电极和p电极无论在正方或者倒放的情况下都能够进行共晶接触，没有方向性要求，制备过程更加高效便捷，且由于结构对称能够适用于不同的应用场景，扩宽了适用范围；并且制得的对称的led芯片的电性能和散热性能佳。

25、同时，本发明的对称的led芯片的制备方法简单、易操作，可大规模生产。

技术特征：

1.一种对称的led芯片，其特征在于，包括内芯、绝缘层、n电极以及p电极；所述p电极贯穿内芯中间所设的通孔；所述n电极位于所述内芯外延两侧，对称设置；所述内芯与n电极之间，以及所述内芯与p电极之间还设置有绝缘层。

2.根据权利要求1所述的对称的led芯片，其特征在于，所述对称的led芯片为轴对称结构，以中间的通孔为轴。

3.根据权利要求2所述的对称的led芯片，其特征在于，所述n电极选自ni、au、cr、pd、al、ti中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的对称的led芯片，其特征在于，所述p电极选自ni、au、cr、pd、al、ti中的至少一种。

5.根据权利要求4所述的对称的led芯片，其特征在于，所述绝缘层选自sinx、sio2中的至少一种。

6.根据权利要求5所述的对称的led芯片，其特征在于，所述n电极的厚度和p电极的厚度相等。

7.根据权利要求6所述的对称的led芯片，其特征在于，所述内芯包括透明导电层、p型氮化镓层、多量子阱结构层、n型氮化镓层；所述多量子阱结构层位于n型氮化镓层与p型氮化镓层之间；所述p型氮化镓层位于透明导电层与多量子阱结构层之间。

8.根据权利要求1-7任意一项所述的对称的led芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

9.根据权利要求8所述的对称的led芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤s7后，还需要将辅助衬底剥离。

10.根据权利要求8所述的对称的led芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤s1和步骤s2之间还包括步骤s11制台阶；所述步骤s11制台阶为，在p型氮化镓层表面进行刻蚀，刻蚀到n型氮化镓层露出。

技术总结
本发明公开了一种对称的LED芯片及其制备方法，涉及LED芯片技术领域。一种对称的LED芯片，包括内芯、绝缘层、N电极以及P电极；所述P电极贯穿内芯中间所设的通孔；所述N电极位于所述内芯外延两侧，对称设置；所述内芯与N电极之间，以及所述内芯与P电极之间还设置有绝缘层。本发明的对称的LED芯片通过对LED芯片结构进行优化、使其结构对称，N电极和P电极无论在正方或者倒放的情况下都能够进行共晶接触，没有方向性要求，制备过程更加高效便捷，且适用范围更广。

技术研发人员：柳铭岗,袁海微,赵晓杰
受保护的技术使用者：英诺激光科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/27