一种蚀刻装置的制作方法

本申请涉及蚀刻，尤其涉及一种蚀刻装置。

背景技术：

1、icp设备刻蚀工艺过程包含化学刻蚀及物理轰击两个部分，其中物理轰击会导致被刻蚀基板表面温度升高，刻蚀反应则随着温度升高而加速。

2、现有技术中，被处理器件(如基板、晶圆等)在刻蚀过程中不同区域反应程度不同，或不同区域存在热传导效率差异都将产生待处理器件上不同区域温度不等的现象，使得温度高的区域蚀刻深度大/温度低的区域蚀刻深度小，导致待处理器件刻蚀均匀性降低。

3、因此，现有技术还有待于改进和发展。

技术实现思路

1、本申请要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种蚀刻装置，旨在提升蚀刻均匀性。

2、本申请解决技术问题所采用的技术方案如下：

3、一种蚀刻装置，其包括腔室，其还包括：

4、蚀刻气源，设置于所述腔室的顶部，并与所述腔室连通，以向所述腔室内供应蚀刻等离子气体；

5、托盘，设置于所述腔室内，并位于所述蚀刻气源的下方；

6、感温调节层，设置于所述托盘上，并与所述蚀刻气源相对布置；所述感温调节层用于承载被处理器件，且所述感温调节层受热时收缩、遇冷时膨胀，以调节被处理器件与所述蚀刻气源之间的距离。

7、通过上述方案，所述感温调节层对应被处理器件上温度高/低的区域产生收缩/膨胀的形变，以增加/减少被处理器件上该区域与所述蚀刻气源的距离，从而减少/增加该区域反应物达到量，使该区域的蚀刻反应速率下降/增加至与附近区域同一水准，从而提升蚀刻均匀性。

8、可选地，所述感温调节层包括镓感温调节层/钛感温调节层/硫化镍感温调节层。

9、通过上述方案，所述感温调节层可以对被处理器件的不同区域的温度产生感应，并灵敏的产生形变，从而对被处理器件上不同区域与所述蚀刻气源之间的距离进行调整，实现对被处理器件上不同区域的蚀刻速率的调整，以达到提升蚀刻均匀性的目的。

10、可选地，所述感温调节层的厚度小于所述托盘的厚度，且大于被处理器件的厚度。

11、通过上述方案，所述感温调节层的厚度适中，既能达到足够的形变量，又能及时的通过所述托盘将蚀刻过程中的热量散出。

12、可选地，所述感温调节层的边缘与所述托盘的边缘平齐。

13、通过上述方案，在所述感温调节层不会占用所述腔室内过多空间的前提下，所述感温调节层的底面能够完全与所述托盘相接触，从而及时将热量通过所述托盘散发。

14、可选地，所述蚀刻气源包括：

15、上电极，设置于所述腔室的顶部，并位于所述腔室外；

16、射频电源，布置于所述腔室外，并与所述上电极连接；

17、喷头，设置于所述腔室的顶部，并延伸至所述腔室内；所述喷头用于与外部供气系统连接。

18、通过上述方案，所述射频电源开启，以将所述上电极通电后，外部供气系统经过所述喷头喷出的气体在所述上电极施加电场的激励下，形成等离子的蚀刻气体，从而实现对被处理器件的蚀刻。

19、可选地，所述蚀刻装置还包括：

20、下电极，位于所述腔室内，并设置于所述托盘背离所述感温调节层一侧；所述下电极与所述射频电源连接。

21、通过上述方案，所述射频电源开启，以将所述下电极通电后，所述下电极对待处理器件施加电压，并形成与蚀刻气体极性相反的电场，从而对蚀刻气体产生吸引，将蚀刻气体引至被处理器件的表面，对被处理器件进行蚀刻。

22、可选地，所述下电极包括铝电极/硅电极/石英电极/陶瓷电极。

23、通过上述方案，所述下电极成刚性结构，有效避免所述下电极在蚀刻反应过程中产生变形。

24、可选地，所述托盘包括铝托盘/硅托盘。

25、通过上述方案，所述托盘成刚性结构，有效避免所述托盘在蚀刻反应过程中产生变形。

26、可选地，所述蚀刻装置还包括：

27、排气机构，设置于所述腔室的底部，并与所述腔室连通，以将所述腔室内气体排出。

28、通过上述方案，所述排气机构可以将所述腔室内气体排出，从而对所述腔室内压力进行调整，以用于将所述腔室内压力调整为适合蚀刻反应的预定压力。

29、可选地，所述排气机构包括：

30、排气口，设置于所述腔室的底部；

31、抽气泵，布置于所述腔室外，并与所述排气口连接。

32、通过上述方案，所述抽气泵开启时，所述腔室内气体可以通过所述排气口排出，从而对所述腔室内压力进行调整，以用于将所述腔室内压力调整为适合蚀刻反应的预定压力。

33、本申请中，在所述托盘上布置所述感温调节层，并通过所述感温调节层承载被处理器件，使得所述感温调节层对应被处理器件上温度较其他区域不同的区域产生形变，以改变被处理器件上该区域与所述蚀刻气源的距离，从而改变该区域反应物达到量，使该区域的蚀刻反应速率调节至与附近区域同一水准，从而提升蚀刻均匀性。

技术特征：

1.一种蚀刻装置，其包括腔室，其特征在于，其还包括：

2.根据权利要求1所述蚀刻装置，其特征在于，所述感温调节层包括镓感温调节层/钛感温调节层/硫化镍感温调节层。

3.根据权利要求1所述蚀刻装置，其特征在于，所述感温调节层处于自然状态时的厚度小于所述托盘的厚度，且大于被处理器件的厚度。

4.根据权利要求1所述蚀刻装置，其特征在于，所述感温调节层的边缘与所述托盘的边缘平齐。

5.根据权利要求1所述蚀刻装置，其特征在于，所述蚀刻气源包括：

6.根据权利要求5所述蚀刻装置，其特征在于，其还包括：

7.根据权利要求6所述蚀刻装置，其特征在于，所述下电极包括铝电极/硅电极/石英电极/陶瓷电极。

8.根据权利要求1所述蚀刻装置，其特征在于，所述托盘包括铝托盘/硅托盘。

9.根据权利要求1所述蚀刻装置，其特征在于，其还包括：

10.根据权利要求9所述蚀刻装置，其特征在于，所述排气机构包括：

技术总结
本申请公开了一种蚀刻装置，其包括腔室；蚀刻气源，设置于所述腔室的顶部，并与所述腔室连通，以向所述腔室内供应蚀刻等离子气体；托盘，设置于所述腔室内，并位于所述蚀刻气源的下方；感温调节层，设置于所述托盘上，并与所述蚀刻气源相对布置；所述感温调节层用于承载被处理器件，且所述感温调节层受热时收缩、遇冷时膨胀，以调节被处理器件与所述蚀刻气源之间的距离。本申请通过所述感温调节层承载被处理器件，使得所述感温调节层对应被处理器件上温度较其他区域不同的区域产生形变，以改变被处理器件上该区域与所述蚀刻气源的距离，从而改变该区域反应物达到量，使该区域的蚀刻反应速率调节至与附近区域同一水准，从而提升蚀刻均匀性。

技术研发人员：苟先华,张彬彬,肖峰,苏财钰
受保护的技术使用者：重庆康佳光电技术研究院有限公司
技术研发日：20230105
技术公布日：2024/1/12