一种发光芯片转移机构及转移系统的制作方法

本申请涉及发光芯片转移，尤其涉及一种发光芯片转移机构及转移系统。

背景技术：

1、目前常用激光剥离(laser lift-off，llo)的方式进行发光芯片的巨量转移；然而，由于发光芯片尺寸过小，激光剥离过程中产生的气体会对发光芯片的转移产生不良影响，如发光芯片转移至暂存基板上时产生歪斜，这就导致普通印章无法很好拾取，发光芯片转移效率大大下降；如果加大压力拾取则会有压坏发光芯片的风险。

2、因此，现有技术还有待于改进和发展。

技术实现思路

1、针对现有技术的上述缺陷，提供一种发光芯片转移机构及转移系统，旨在提升发光芯片转移效率。

2、本申请解决技术问题所采用的技术方案如下：

3、一种发光芯片转移机构，其包括：

4、基板；

5、多个可逆膨胀装置，设置于所述基板的底部；多个可逆膨胀装置呈阵列排布；所述可逆膨胀装置用于与发光芯片一一对应；

6、压力检测装置，设置于所述可逆膨胀装置内，并靠近所述可逆膨胀装置的底部；

7、控制装置，与所述压力检测装置电连接；

8、导热丝，一端与所述控制装置连接，另一端与所述可逆膨胀装置连接。

9、通过上述方案，所述控制装置通过所述压力检测装置检测压力，即可判定所述压力检测装置对应的发光芯片是否存在高度异常；当该发光芯片高度异常时，控制对应的导热丝通电加热，以使得对应的可逆膨胀装置膨

10、胀，并将高度异常的发光芯片下压，直至所述压力检测装置获取到处于预5设范围的压力值，从而将高度异常的发光芯片进行调整，使其高度正常，

11、实现：通过所述可逆膨胀装置膨胀时的微量形变，对高度异常的发光芯片进行一对一的微量调节，从而避免压坏发光芯片或暂存基板，使得对发光芯片进行拾取前，所有发光芯片高度均正常，提升了发光芯片的转移效率。

12、可选地，所述可逆膨胀装置的底面为用于粘取发光芯片的粘接面。

13、0通过上述方案，发光芯片高度调节至正常后，可以直接将基板下移，

14、从而通过可逆膨胀装置粘接所有发光芯片，对发光芯片进行拾取和转移；

15、而无需将基板撤离，并通过其他转移基板来对发光芯片进行拾取和转移。

16、可选地，所述基板的底部开设有多个容纳槽；

17、所述可逆膨胀装置与所述容纳槽一一对应，且位于所述容纳槽内。

18、5通过上述方案，所述容纳槽可以对所述可逆膨胀装置进行定位，以提

19、升所述可逆膨胀装置在所述基板的底部定位的稳定性；同时，所述容纳槽可以对所述可逆膨胀装置进行限位，以使所述可逆膨胀装置受热时可以向下膨胀，以提升所述可逆膨胀装置对高度异常的发光芯片调节的效率。

20、可选地，所述可逆膨胀装置的底部突出于所述容纳槽外。

21、0通过上述方案，可以有效的避免所述基板对拾取发光芯片产生不良干

22、涉，以提升所述可逆膨胀装置拾取发光芯片的效率。

23、可选地，所述基板上设置有多个安装孔；所述安装孔与容纳槽一一对应且与对应的所述容纳槽连通；

24、所述导热丝穿过所述安装孔与所述可逆膨胀装置连接。

25、5可选的，所述安装孔自所述基板的顶部向下延伸布置。

26、通过上述方案，使得所述导热丝穿过所述基板以与所述可逆膨胀装置连接的行程最短，以提升所述导热丝与所述可逆膨胀装置之间连接的效率。

27、可选地，所述导热丝没入所述可逆膨胀装置的深度大于或等于自然状态下所述可逆膨胀装置的厚度的1/2。

28、通过上述方案，所述导热丝更加靠近所述可逆膨胀装置的底部，使得所述可逆膨胀装置的底部受热速度更快，从而提升所述可逆膨胀装置底部膨胀的效率。

29、可选地，所述可逆膨胀装置的底面积大于发光芯片的顶面积。

30、通过上述方案，将所述基板移动至所述可逆膨胀装置与发光芯片相对应时，可以使所述可逆膨胀装置朝发光芯片方向的投影完全覆盖发光芯片，提升所述可逆膨胀装置拾取发光芯片的效率。

31、可选地，所述控制装置包括：

32、微控制器，与所述压力检测装置电连接；

33、多个电子开关；所述电子开关与所述微控制器电连接，并与所述导热丝一一对应连接。

34、通过上述方案，当所述微控制器制所述电子开关开启时，所述导热丝受热，即可控制对应的可逆膨胀装置膨胀；当所述微控制器控制所述电子开关关闭时，所述导热丝失热，即可控制对应的可逆膨胀装置复原。

35、可选地，所述压力检测装置包括压力传感器。

36、一种发光芯片转移系统，其包括如上任意一项所述发光芯片转移机构和背板；所述背板用于承接所述发光芯片转移机构所转移的发光芯片。

37、本申请中，所述控制装置通过所述压力检测装置检测压力，即可判定所述压力检测装置对应的发光芯片是否存在高度异常；当该发光芯片高度异常时，控制对应的导热丝通电加热，以使得对应的可逆膨胀装置膨胀，并将高度异常的发光芯片下压，直至所述压力检测装置获取到处于预设范围的压力值，从而将高度异常的发光芯片进行调整，使其高度正常，实现：通过所述可逆膨胀装置膨胀时的微量形变，对高度异常的发光芯片进行一对一的微量调节，从而避免压坏发光芯片或暂存基板，使得对发光芯片进行拾取前，所有发光芯片高度均正常，提升了发光芯片的转移效率。

技术特征：

1.一种发光芯片转移机构，其特征在于，其包括：

2.根据权利要求1所述发光芯片转移机构，其特征在于，所述可逆膨胀装置的底面为用于粘取发光芯片的粘接面。

3.根据权利要求1或2所述发光芯片转移机构，其特征在于，所述基板的底部开设有多个容纳槽；

4.根据权利要求3所述发光芯片转移机构，其特征在于，所述可逆膨胀装置的底部突出于所述容纳槽外。

5.根据权利要求3所述发光芯片转移机构，其特征在于，所述基板上设置有多个安装孔，所述安装孔与容纳槽一一对应且与对应的所述容纳槽连通；

6.根据权利要求5所述发光芯片转移机构，其特征在于，所述导热丝没入所述可逆膨胀装置的深度大于或等于自然状态下所述可逆膨胀装置的厚度的1/2。

7.根据权利要求1或2或4或5或6所述发光芯片转移机构，其特征在于，所述可逆膨胀装置的底面积大于发光芯片的顶面积。

8.根据权利要求1或2或4或5或6所述发光芯片转移机构，其特征在于，所述控制装置包括：

9.根据权利要求1或2或4或5或6所述发光芯片转移机构，其特征在于，所述压力检测装置包括压力传感器。

10.一种发光芯片转移系统，其特征在于，其包括如权利要求1-9任意一项所述发光芯片转移机构和背板；所述背板用于承接所述发光芯片转移机构所转移的发光芯片。

技术总结
本申请公开了一种发光芯片转移机构及转移系统，所述发光芯片转移机构包括：基板；多个可逆膨胀装置，设置于所述基板的底部；多个可逆膨胀装置呈阵列排布；所述可逆膨胀装置用于与发光芯片一一对应；压力检测装置，设置于所述可逆膨胀装置内，并靠近所述可逆膨胀装置的底部；控制装置，与所述压力检测装置电连接；导热丝，一端与所述控制装置连接，另一端与所述可逆膨胀装置连接。本申请所述控制装置通过所述压力检测装置检测压力，以获取高度异常的发光芯片，并控制对应的导热丝通电加热，实现通过所述可逆膨胀装置膨胀时的微量形变，对高度异常的发光芯片进行一对一的微量调节的同时，避免压坏发光芯片或暂存基板，提升了发光芯片的转移效率。

技术研发人员：王付雄,萧俊龙,刘志贤
受保护的技术使用者：重庆康佳光电科技有限公司
技术研发日：20230105
技术公布日：2024/1/13