一种半导体晶体管结构的制作方法

本技术涉及半导体，具体为一种半导体晶体管结构，属于半导体设备。

背景技术：

1、晶体管是一种半导体器件，放大器或电控开关常用。晶体管是规范操作电脑，手机，和所有其他现代电子电路的基本构建块，目前的晶体管下端均设有多个引线针脚，在通过电焊直接固定在电路板上。

2、由于在电焊的钱，需要将引线针脚插入电板的安装孔中，通过锡焊进行焊接，在焊接完成后需要运输，在运输的过程中可能会受到碰撞，将晶体管的引线针脚直接与电路板分离，导致整个电路板无法使用，需要重新焊接。

3、有鉴于此特提出本实用新型。

技术实现思路

1、本实用新型的目的就在于为了解决高度的问题而提供一种半导体晶体管结构。

2、本实用新型通过以下技术方案来实现上述目的，一种半导体晶体管结构，包括半导体晶体管主体，所述半导体晶体管主体的下端设有引线针脚，所述引线针脚的内部设有两个夹紧结构，两个所述夹紧结构均活动连接有支撑组件。

3、进一步的，所述引线针脚包括开设有卡槽和滑槽，所述滑槽与夹紧结构滑动连接，所述卡槽的底部与夹紧结构固定连接。

4、进一步的，夹紧结构包括挡板，所述挡板的底部通过固定柱与卡槽的内壁固定连接，所述挡板的顶部固定连接有滑块，所述滑块与滑槽滑动套结。

5、进一步的，所述支撑组件包括第一固定杆，所述第一固定杆的顶部通过连接套转动套接有支撑杆，所述支撑杆的两端均固定连接有固定板，两个所述固定板的均与挡板固定连接，所述第一固定杆的下端通过凹槽滑动调节有第二固定杆，所述第二固定杆与第一固定杆之间固定连接有压簧。

6、进一步的，所述半导体晶体管主体的外壁设有封装壳体。

7、进一步的，所述挡板与固定柱通过凹槽卡接。

8、本实用新型的技术效果和优点：本实用新型通过设置夹紧结构，将半导体晶体管主体上的引线针脚插入电路板上的安装孔内，挡板遇到电路板时，首先挡板穿过电路板的安装孔，两个挡板的侧面设置成弓形，在弓形的最远端接触到电路板时，挡板上的两个滑块均收到电路板的推力，挡板靠自身的弹性带动挡板上端的滑块相向滑动，挡板的下方通过固定柱固定，挡板向内侧变形，上下两个固定板之间的距离变短，此时第二固定杆在第一固定杆的凹槽中滑动，挤压压簧，在电路板离开夹紧结构时，通过第二固定杆，通过第二固定杆在第一固定杆内滑动，带动挡板恢复至原样，在引线针脚上的夹紧结构离开电路板时，挡板依靠自身的弹性回弹，挡板上方的滑块均沿着滑槽向外侧移动，将夹紧结构卡在电路板上，然后进行焊接，起到了对电路板二次固定的目的。

技术特征：

1.一种半导体晶体管结构，包括半导体晶体管主体(1)，其特征在于：所述半导体晶体管主体(1)的下端设有引线针脚(3)，所述引线针脚(3)的内部设有两个夹紧结构(4)，两个所述夹紧结构(4)均活动连接有支撑组件(5)。

2.根据权利要求1所述的一种半导体晶体管结构，其特征在于：所述引线针脚(3)包括开设有卡槽(301)和滑槽(302)，所述滑槽(302)与夹紧结构(4)滑动连接，所述卡槽(301)的底部与夹紧结构(4)固定连接。

3.根据权利要求2所述的一种半导体晶体管结构，其特征在于：夹紧结构(4)包括挡板(401)，所述挡板(401)的底部通过固定柱(403)与卡槽(301)的内壁固定连接，所述挡板(401)的顶部固定连接有滑块(402)，所述滑块(402)与滑槽(302)滑动套结。

4.根据权利要求3所述的一种半导体晶体管结构，其特征在于：所述支撑组件(5)包括第一固定杆(501)，所述第一固定杆(501)的顶部通过连接套(505)转动套接有支撑杆(504)，所述支撑杆(504)的两端均固定连接有固定板(503)，两个所述固定板(503)均与挡板(401)固定连接，所述第一固定杆(501)的下端通过凹槽滑动调节有第二固定杆(502)，所述第二固定杆(502)与第一固定杆(501)之间固定连接有压簧(506)。

5.根据权利要求1所述的一种半导体晶体管结构，其特征在于：所述半导体晶体管主体(1)的外壁设有封装壳体(2)。

6.根据权利要求4所述的一种半导体晶体管结构，其特征在于：所述挡板(401)与固定柱(403)通过凹槽卡接。

技术总结
本技术涉及晶体管结构，具体的说是一种半导体晶体管结构，包括半导体晶体管主体，所述半导体晶体管主体的下端设有引线针脚，所述引线针脚的内部设有两个夹紧结构，两个所述夹紧结构均活动连接有支撑组件；本技术通过设置夹紧结构，将半导体晶体管主体上的引线针脚插入电路板上的安装孔内，此时第二固定杆在第一固定杆的凹槽中滑动，挤压压簧，在电路板离开夹紧结构时，通过第二固定杆，通过第二固定杆在第一固定杆内滑动，带动挡板恢复至原样，在引线针脚上的夹紧结构离开电路板时，挡板依靠自身的弹性回弹，挡板上方的滑块均沿着滑槽向外侧移动，将夹紧结构卡在电路板上，然后进行焊接，起到了对电路板二次固定的目的。

技术研发人员：江子标,李青春
受保护的技术使用者：深圳铨力半导体有限公司
技术研发日：20230110
技术公布日：2024/1/11