倒装薄膜芯片结构的制作方法

本技术涉及半导体芯片领域，尤其涉及一种倒装薄膜芯片结构。

背景技术：

1、目前常规的倒装结构芯片，通常是不需要剥离蓝宝石衬底，并且在芯片的同侧实现对p电极以及n电极的绝缘，且芯片的出光面从蓝宝石衬底的背面出射，这种结构的芯片，由于蓝宝石衬底的导热差，因此目前的倒装结构芯片不能实现高功率的大电流注入，另外，由于在带蓝宝石衬底上的多颗芯片用sio 2或者sin做绝缘，随着芯片数量的增加，则露出的芯片侧壁周长和面积也会增多，需要绝缘的面积也会越多，当阵列芯片有一处出现绝缘不良时，会造成整个芯片不良，导致器件失效，因此现有的器件良率比较低。

技术实现思路

1、本实用新型提供了一种倒装薄膜芯片结构，用以实现高功率的大电流注入，并且本实用新型所提供的倒装薄膜芯片结构应用于芯片制造中可以提高器件的良率。

2、根据本实用新型的第一方面，提供了一种倒装薄膜芯片结构，包括：

3、第一芯片模块、第二芯片模块以及键合模块；

4、其中，所述第一芯片模块包括：第一衬底、若干第一p电极以及第一n电极；

5、所述若干第一p电极和所述第一n电极与所述第一衬底的第一面相连接；所述第二芯片模块通过所述键合模块与所述若干第一p电极以及第一n电极相键合；

6、所述第二芯片模块包括：基板、绝缘层、第一连接端子以及第二连接端子；所述第一连接端子以及所述第二连接端子通过所述绝缘层与所述基板相连接；

7、其中，所述基板内设有若干通孔，所述若干通孔贯穿所述基板，且所述若干通孔内填充第一金属材料；所述若干通孔的第一端与所述若干第一p电极以及第一n电极一一对应连接；且所述若干第一p电极连接的通孔的第二端通过第二金属材料相连通；

8、所述绝缘层内设有贯穿所述绝缘层的第一金属通道以及第二金属通道；所述第一金属通道与所述第一金属材料连接；所述第二金属通道与连接了所述第一n电极的通孔的第二端相连接。

9、可选的，所述倒装薄膜芯片结构还包括：透光模块；

10、所述透光模块与所述第一衬底的第二面相连接。

11、可选的，所述透光模块的材料至少可以包括：玻璃、荧光粉。

12、可选的，所述基板的材料为陶瓷材料。

13、可选的，所述第一金属材料与所述第二金属材料一致；

14、所述第一金属材料以及所述第二金属材料至少可以包括：ni、ag、al、ti、pt、cr、ti、wu、au、in或sn。

15、可选的，所述第一金属通道的数量至少为一个。

16、可选的，所述第二金属通道的数量为一个。

17、可选的，所述键合层的厚度为大于1微米。

18、可选的，所述键合层的材料为：铟或或银或锡材料。

19、可选的，所述第一衬底的材料为氮化镓。

20、可选的，所述绝缘层的材料为：白胶、氧化硅、氮化硅、氧化铝、环氧树脂或聚酰亚胺。

21、可选的，所述第一连接端子为p-pad；所述第二连接端子为n-pad。

22、可选的，所述第一连接端子与所述第二连接端子的厚度范围为：200nm-4um。

23、本实用新型提供的倒装薄膜芯片结构，通过将若干第一p电极和第一n电极直接基板连接，基板与绝缘层相连接，并且基板为高导热的绝缘基板，在基板内设有第一金属材料和第二金属材料以连通若干第一p电极和第一n电极，并且通过在绝缘层设置与第一金属材料和第二金属材料连通的第一金属通道和第二金属通道，实现了将若干p电极与第一n电极与第一连接端子和第二连接端子的连接，使得本实用新型所提供的倒装薄膜芯片结构实现了对高功率的大电流流入。并且将若干第一p电极和第二n电极直接与绝缘层相连接，解决了由于现有技术对电极做绝缘处理时造成的器件良率低的问题。

技术特征：

1.一种倒装薄膜芯片结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的倒装薄膜芯片结构，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的倒装薄膜芯片结构，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的倒装薄膜芯片结构，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的倒装薄膜芯片结构，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的倒装薄膜芯片结构，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的倒装薄膜芯片结构，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的倒装薄膜芯片结构，其特征在于，

9.根据权利要求7所述的倒装薄膜芯片结构，其特征在于，

10.根据权利要求1所述的倒装薄膜芯片结构，其特征在于，

11.根据权利要求1所述的倒装薄膜芯片结构，其特征在于，

12.根据权利要求1所述的倒装薄膜芯片结构，其特征在于，

13.根据权利要求1所述的倒装薄膜芯片结构，其特征在于，

技术总结
本技术公开了一种倒装薄膜芯片结构，包括：第一芯片模块、第二芯片模块以及键合模块；第一芯片模块包括：第一衬底、若干第一P电极以及第一N电极；所述第二芯片模块与所述第一P电极以及第一N电极键合；第二芯片模块包括：基板、绝缘层、第一连接端子以及第二连接端子；所述基板内设有若干通孔且通孔内填充第一金属材料；所述通孔的第一端与所述第一P电极以及第一N电极一一对应连接；且所述若干第一P电极连接的通孔的第二端通过第二金属材料相连通，所述绝缘层内设有贯穿所述绝缘层的第一金属通道以及第二金属通道；所述第一金属通道与所述第一金属材料连接；所述第二金属通道与连接了所述第一N电极的通孔的第二端相连接。

技术研发人员：郝茂盛,张楠,马艳红,刘利,艾进宝,袁根如,陈朋
受保护的技术使用者：上海芯元基半导体科技有限公司
技术研发日：20230119
技术公布日：2024/1/12