等离子体处理装置以及薄膜成型装置的制作方法

本技术涉及半导体制造，特别涉及一种等离子体处理装置以及薄膜成型装置。

背景技术：

1、等离子体处理装置是半导体制造领域常用设备之一，其主要借助微波或射频使含有薄膜组成原子的气体电离以产生等离子体，通过等离子体与基片表面的反应，从而在基片上沉积出所期望的薄膜。

2、传统的等离子体处理装置通常包括反应壳体、线圈壳体以及电介质板，反应壳体形成有反应腔，用以为等离子气体提供反应空间，线圈壳体形成有线圈容纳槽，用以设置提供微波或射频的线圈，电介质板设置在反应腔和线圈容纳槽之间，用以分割反应腔和线圈容纳槽，以使反应腔保持密闭真空。

3、然而，现有的等离子体处理装置，线圈和线圈壳体通常连接在电介质板上，而为使电介质板可承受来自线圈和线圈壳体的压力，设计者不得不加强电介质板的厚度，以增加电介质板的承力，然而，过厚的电介质板会影响线圈对等离子气体的电离效果，同时来自线圈和线圈壳体的压力，也会影响电介质板的使用寿命。

技术实现思路

1、本实用新型的主要目的是提供一种等离子体处理装置以及薄膜成型装置，旨在解决现有等离子体处理装置，电介质板厚度过厚的问题。

2、为实现上述目的，本实用新型提出的等离子体处理装置，包括：

3、反应壳体，形成有反应腔，所述反应腔具有开口；

4、线圈壳体，设于所述反应腔的开口处，所述线圈壳体与所述反应壳体相连接，所述线圈壳体形成有与所述反应腔开口相对设置的线圈容纳槽；

5、线圈组件，设置在所述线圈容纳槽内；以及，

6、第一电介质板，盖设于所述线圈容纳槽的开口处，以分隔所述线圈容纳槽和所述反应腔。

7、可选地，所述反应壳体包括自所述反应腔的开口处沿横向向内延伸的支撑臂；

8、所述线圈壳体包括自所述线圈容纳槽的槽口缘处沿横向向外延伸的连接臂，所述线圈壳体通过所述连接臂连接在所述反应壳体的支撑臂上。

9、可选地，所述反应壳体包括自所述反应腔的开口处沿横向向内弯折的支撑臂；

10、所述线圈壳体背离所述线圈容纳槽一侧沿横向向外凸设，以形成连接臂，所述线圈壳体通过所述连接臂连接在所述反应壳体的支撑臂上，所述线圈容纳槽至少部分伸入所述反应腔内。

11、可选地，所述等离子体处理装置还包括第二电介质板，所述第二电介质板设置在所述线圈容纳槽内；

12、所述第二电介质板与所述第一电介质板共同围设出一密封空间，所述线圈组件设置在所述密封空间内；

13、所述密封空间呈真空设置，且所述密封空间的真空度可调节。

14、可选地，所述线圈容纳槽底部设置有第一过线孔；

15、所述第二电介质板上设置有与所述第一过线孔相对应的第二过线孔；

16、所述线圈组件包括两个间隔设置的线圈，所述线圈包括向背离所述线圈容纳槽开口方向延伸的电连接部，所述电连接部依次穿过所述第一过线孔和所述第二过线孔，以与线圈容纳槽外的电源相连接。

17、可选地，所述电连接部与所述第一过线孔和所述第二过线孔密封连接。

18、可选地，所述第一电介质板和所述第二电介质板的材质为石英。

19、可选地，所述第二电介质板包括设于所述线圈容纳槽底部的水平段，以及自所述水平段的周侧端向所述线圈容纳槽开口延伸的竖直段，所述竖直段与所述线圈容纳槽的侧壁面共同围设出一安装槽；

20、所述等离子体处理装置包括第一磁性结构，所述第一磁性结构设于所述安装槽内。

21、可选地，所述等离子体处理装置还包括第二磁性结构，所述第二磁性结构设于所述反应壳体背离所述反应腔一侧。

22、本实用新型还提出一种薄膜成型装置，所述薄膜成型装置包括等离子体处理装置，所述等离子体处理装置包括：

23、反应壳体，形成有反应腔，所述反应腔具有开口；

24、线圈壳体，设于所述反应腔的开口处，所述线圈壳体与所述反应壳体相连接，所述线圈壳体形成有与所述反应腔开口相对设置的线圈容纳槽；

25、线圈组件，设置在所述线圈容纳槽内；以及，

26、第一电介质板，盖设于所述线圈容纳槽的开口处，以分隔所述线圈容纳槽和所述反应腔。

27、本实用新型技术方案中，所述线圈壳体连接在所述反应壳体上，所述反应壳体形成有向下开口，用以为等离子体提供反应空间的反应腔，所述线圈壳体形成有向上开口，且与所述反应腔相对设置的线圈容纳槽，用以为等离子体电离提供能量的线圈组件设置在所述线圈容纳槽内，所述第一电介质板盖设在所述线圈容纳槽的开口处，以分隔所述反应腔和所述线圈容纳槽，从而使所述反应腔保持真空状态，所述第一电介质板的下端面与所述线圈容纳槽的槽口缘面相抵接，如此，以减小所述第一电介质板的承力，进而减小所述第一电介质板的厚度，从而使所述线圈组件可以更加贴近反应腔内的等离子气体，提高所述线圈组件对于所述等离子气体的电离效果。

技术特征：

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述反应壳体包括自所述反应腔的开口处沿横向向内延伸的支撑臂；

3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述反应壳体包括自所述反应腔的开口处沿横向向内弯折的支撑臂；

4.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置还包括第二电介质板，所述第二电介质板设置在所述线圈容纳槽内；

5.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述线圈容纳槽底部设置有第一过线孔；

6.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述电连接部与所述第一过线孔和所述第二过线孔密封连接。

7.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一电介质板和所述第二电介质板的材质为石英。

8.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第二电介质板包括设于所述线圈容纳槽底部的水平段，以及自所述水平段的周侧端向所述线圈容纳槽开口延伸的竖直段，所述竖直段与所述线圈容纳槽的侧壁面共同围设出一安装槽；

9.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置还包括第二磁性结构，所述第二磁性结构设于所述反应壳体背离所述反应腔一侧。

10.一种薄膜成型装置，其特征在于，包括如权利要求1至9任意一项所述的等离子体处理装置。

技术总结
本技术公开一种等离子体处理装置以及薄膜成型装置，包括反应壳体、线圈壳体、线圈组件以及第一电介质板，反应壳体形成有反应腔，反应腔具有开口，线圈壳体设于反应腔的开口处，线圈壳体与反应壳体相连接，线圈壳体形成有与反应腔开口相对设置的线圈容纳槽，线圈组件设置在线圈容纳槽内，第一电介质板盖设于线圈容纳槽的开口处，以分隔线圈容纳槽和反应腔。本技术技术方案中，第一电介质板盖设在线圈容纳槽的开口处，且与线圈容纳槽的槽口缘面相抵接，如此，以减小第一电介质板的承力，进而减小第一电介质板的厚度，从而使线圈组件可以更加贴近反应腔内的等离子气体，提高线圈组件对于等离子气体的电离效果。

技术研发人员：乐卫平,刘涛,黄晓东
受保护的技术使用者：深圳市恒运昌真空技术有限公司
技术研发日：20230116
技术公布日：2024/1/12