本申请涉及发光二极管领域,尤其涉及一种发光芯片封装结构和发光装置。
背景技术:
1、mip(micro led in package)是一种基于micro led(micro light emittingdiode,微型发光二极管)的新型晶圆级封装架构,其来自于小间距显示产品,可谓是microled和wlp(wafer level packaging,晶圆级封装)的有机结合,也是micro led产品快速切入新型显示市场的一把利刃。基于扇出封装技术思路,采用黑化基板封装路线构筑全新mip器件,大幅提高器件对比度,通过将固晶电极放大,使其匹配当前机台设备。因此,除了前述成本优势外,mip还具有高对比度、低功耗、兼容性强、可混bin提高显示一致性等优点。虽然mip封装产品具有较高的对比度,但对于用户而言,拥有更高的对比度仍然是追求更好的视觉体验的改进方向之一。
2、因此,如何使发光芯片的封装产品具有更好的对比度是亟需解决的问题。
技术实现思路
1、鉴于上述相关技术的不足,本申请的目的在于提供一种发光芯片封装结构和发光装置,旨在解决发光芯片的封装产品对比度不够的问题。
2、一种发光芯片封装结构,包括:
3、多个发光芯片,各所述发光芯片间隔布置且具有至少两种不同的发光颜色;
4、与各所述发光芯片连接的走线层,设于所述发光芯片的第一侧,所述走线层包括与所述发光芯片的第一极一一对应连接的第一焊盘区域,以及包括同时与各所述发光芯片的第二极相连的第二焊盘区域;以及
5、第一黑色阻光层,设于所述发光芯片的第二侧,所述第二侧与所述第一侧相对,且为所述发光芯片的出光侧;所述第一黑色阻光层对应于各所述发光芯片的位置形成出光开口,所述发光芯片的光线通过所述出光开口对外射出。
6、上述发光芯片封装结构在出光开口的周围,设置有第一黑色阻光层对光线进行阻挡,对于相应的发光芯片,这减小了该发光芯片旁边的其他光色的发光芯片的光带来的影响,因而增加了发光芯片封装结构的对比度。
7、可选地,还包括:
8、平坦层,所述平坦层设置在各所述发光芯片的周围,从侧面包覆所述发光芯片;所述走线层设于所述平坦层的表面;
9、所述键合层完全覆盖所述第一黑色阻光层的表面;所述平坦层也设于所述键合层上。
10、由于键合层完全覆盖了第一黑色阻光层的表面,平坦层设置的区域也覆盖有键合层,平坦层能够设置在键合层上,从而具有更稳定的结构可选地,还包括:
11、覆盖所述发光芯片封装结构的侧面区域的第二黑色阻光层,所述第二黑色阻光层阻挡所述发光芯片的侧向出光。
12、第二黑色阻光层在侧面区域阻挡了不同的发光芯片封装结构之间的光线影响,对最终制得的产品的整体视觉效果具有正面的作用。
13、可选地,所述第二黑色阻光层为黑色阻光封装胶,所述第二黑色阻光层还覆盖所述发光芯片封装结构设置所述走线层的一侧以进行封装,所述第一焊盘区域和所述第二焊盘区域自所述第二黑色阻光层没有覆盖到的区域露出。
14、采用黑色阻光封装胶作为第二黑色阻光层,既能够避免旁边其他的发光芯片封装结构带来的影响,也同时对发光芯片封装结构形成封装保护。
15、基于同样的发明构思,本申请还提供一种发光装置,包括上述的发光芯片封装结构以及电路基板,所述发光芯片封装结构设于所述电路基板上,且所述第一焊盘区域和所述第二焊盘区域与所述电路基板相连接
16、上述的发光芯片封装结构使得上述发光装置能够以较高对比度进行显示,视觉效果更好。
1.一种发光芯片封装结构,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的发光芯片封装结构,其特征在于,还包括:
3.如权利要求2所述的发光芯片封装结构,其特征在于,还包括:
4.如权利要求2所述的发光芯片封装结构,其特征在于,还包括:
5.如权利要求2所述的发光芯片封装结构,其特征在于,还包括:
6.如权利要求1所述的发光芯片封装结构,其特征在于,还包括:
7.如权利要求6所述的发光芯片封装结构,其特征在于,所述第二黑色阻光层为黑色阻光封装胶,所述第二黑色阻光层还覆盖所述发光芯片封装结构设置所述走线层的一侧以进行封装,所述第一焊盘区域和所述第二焊盘区域自所述第二黑色阻光层没有覆盖到的区域露出。
8.如权利要求1-7任一项所述的发光芯片封装结构,其特征在于,所述第一黑色阻光层的材料为黑色光刻胶。
9.如权利要求1-7任一项所述的发光芯片封装结构,其特征在于,所述第一黑色阻光层的厚度为1至5um。
10.一种发光装置,其特征在于,包括权利要求1-9任一项所述的发光芯片封装结构以及电路基板,所述发光芯片封装结构设于所述电路基板上,且所述第一焊盘区域和所述第二焊盘区域与所述电路基板相连接。