一种银包铜浆异质结电池的制作方法

本技术涉及太阳能电池，具体为一种银包铜浆异质结电池。

背景技术：

1、硅异质结太阳电池是以晶体硅为基础，经过清洗制绒、在晶体硅正面第一受光面依次沉积本征非晶硅层和n型非晶硅层、在背面第二受光面依次沉积本征非晶硅层和p型非晶硅层、在第一受光面和第二受光面同时沉积透明导电氧化物最后在第一受光面和第二受光面，制备金属电极得到硅异质结太阳电池。

2、目前需要采用低温银浆制作栅线电极，低温银浆与目前晶硅电池使用的高温银浆对比，印刷宽度更宽，耗用量更大，市场价格非常昂贵，基于此，本实用新型设计了一种银包铜浆异质结电池，以解决上述问题。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种银包铜浆异质结电池，以解决上述背景技术中提出的问题。

2、为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种银包铜浆异质结电池，包括晶体硅片，设置在晶体硅片外表面上的第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层，第一本征非晶硅层上设有p型掺杂非晶硅层，所述第二本征非晶硅层上设有n型掺杂非晶硅层，所述p型掺杂非晶硅层上设有第一透明导电薄膜层，所述n型掺杂非晶硅层上设有第二透明导电薄膜层，所述第一透明导电薄膜层上设有银浆栅线正电极，所述第二透明导电薄膜层上分别设有镀铜层和铜镍合金保护层，所述铜镍合金保护层上设有银浆栅线负电极。

3、优选的，所述银浆栅线正电极和银浆栅线负电极均包括位于内部的金属导线银层、金属导线银层外部的金属导线铜层以及位于金属导线铜层外部的金属导线镍层。

4、优选的，所述第一本征非晶硅层、第二本征非晶硅层的厚度为5～15nm。

5、优选的，所述p型掺杂非晶硅层和n型掺杂非晶硅层的厚度为5～10nm。

6、优选的，所述第一透明导电薄膜层与第二透明导电薄膜层的厚度为60～90nm。

7、与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型通过采用电阻率低、成本低的镀铜层以及具有导电保护作用的铜镍合金保护层，并配合改进后的银浆栅线正电极，替代昂贵的低温银浆栅线作为电池电极，降低了电池电极生产成本。

技术特征：

1.一种银包铜浆异质结电池，包括晶体硅片（1），设置在晶体硅片（1）外表面上的第一本征非晶硅层（2）和第二本征非晶硅层（3），第一本征非晶硅层（2）上设有p型掺杂非晶硅层（4），所述第二本征非晶硅层（3）上设有n型掺杂非晶硅层（5），所述p型掺杂非晶硅层（4）上设有第一透明导电薄膜层（6），所述n型掺杂非晶硅层（5）上设有第二透明导电薄膜层（7），所述第一透明导电薄膜层（6）上设有银浆栅线正电极（11），其特征在于：所述第二透明导电薄膜层（7）上分别设有镀铜层（8）和铜镍合金保护层（9），所述铜镍合金保护层（9）上设有银浆栅线负电极（12）；

2.根据权利要求1所述的一种银包铜浆异质结电池，其特征在于：所述第一本征非晶硅层（2）、第二本征非晶硅层（3）的厚度为5～15nm。

3.根据权利要求1所述的一种银包铜浆异质结电池，其特征在于：所述p型掺杂非晶硅层（4）和n型掺杂非晶硅层（5）的厚度为5～10nm。

4.根据权利要求1所述的一种银包铜浆异质结电池，其特征在于：所述第一透明导电薄膜层（6）与第二透明导电薄膜层（7）的厚度为60～90nm。

技术总结
本技术公开了太阳能电池技术领域的一种银包铜浆异质结电池，包括晶体硅片、本征非晶硅层、掺杂非晶硅层、透明导电薄膜层、银浆栅线正电极，导电薄膜层上分别设有镀铜层和铜镍合金保护层，所述铜镍合金保护层上设有银浆栅线负电极，本技术通过采用电阻率低、成本低的镀铜层以及具有导电保护作用的铜镍合金保护层，并配合改进后的银浆栅线正电极，替代昂贵的低温银浆栅线作为电池电极，降低了电池电极生产成本。

技术研发人员：孙文峰,刘振波,黄信二,熊福民,张强,邢珍帅
受保护的技术使用者：湖州爱康光电科技有限公司
技术研发日：20230114
技术公布日：2024/1/13