一种导光晶体光束整形MCC垂直叠阵半导体激光器的制作方法

本技术涉及半导体激光，具体为一种导光晶体光束整形mcc垂直叠阵半导体激光器。

背景技术：

1、高功率半导体激光器可用来泵浦固体/光纤激光器，也可直接用于材料处理如焊接，切割，表面处理等，半导体泵浦的固体/光纤激光器广泛应用于工业、军事和医疗等，随着半导体激光器输出功率、转换效率、可靠性和制造工艺的提高以及成本的降低，许多新的应用成为可能，商业百瓦以上半导体激光器的制冷器主要是微通道液体制冷器，内置冷却液体通道，使其具有更高的散热效率，利用微通道封装的半导体激光器可工作在cw以及高占空比的qcw模式，由于其自身结构的问题，在平行于结平面和垂直于结平面上的发散角极不对称，远场呈现狭长的椭圆光斑，并且还带有初始象散，光束质量差，严重影响了半导体激光器的应用，尤其在大功率半导体激光器阵列的集成应用中，由于半导体激光器单管发散角太大，造成了严重的光能量损失，大大降低了单位面积内的功率密度，因此，应致力于半导体激光器的发散光束的整形技术，期待可以有效提高光束质量及能量利用率。

2、目前选用的激光传导方式是通过在导光晶体内部不断反射向前传导输出，聚拢压缩快慢轴的发散角，半导体激光器中，快轴是垂直于激光芯片正表面的，慢轴是平行于芯片表面的，一般快轴的发散角大于慢轴，大功率的激光芯片，快轴的发散角基本上是慢轴的数倍以上，快轴发散角约60～70°，慢轴发散角约8～12°，然而，激光叠阵形成的初始光斑的大小限制了导光晶体的压缩量，故而提出一种导光晶体光束整形mcc垂直叠阵半导体激光器来解决上述所提出的问题。

技术实现思路

1、针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种导光晶体光束整形mcc垂直叠阵半导体激光器，具备减小光斑等优点，解决了激光叠阵形成的初始光斑的大小限制了导光晶体的压缩量的问题。

2、为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种导光晶体光束整形mcc垂直叠阵半导体激光器，包括激光器本体，所述激光器本体上设置有激光器组件；

3、所述激光器组件包括导光晶体、晶体座、串联叠阵、晶体前盖和外壳。

4、进一步，所述串联叠阵由1-20个激光单元和mcc热沉组成。

5、进一步，所述晶体座和晶体前盖的内部均开设有连接通槽。

6、进一步，所述串联叠阵的高度在1-4.5mm之间，所述串联叠阵宽度要求8-15mm之间，所述串联叠阵长度要求15-50mm之间。

7、进一步，所述外壳的正面和背面均开设有数量为两个的第三连接通孔，所述外壳的左侧开设有数量为两个的第一连接槽。

8、进一步，所述晶体座的内部开设有数量为四个的第一连接通孔，所述晶体前盖的内部开设有数量为四个的第二连接通孔。

9、进一步，所述串联叠阵的正面和背面均开设有数量为两个的第二连接槽，所述串联叠阵的左侧开设有数量为两个的第三连接槽。

10、与现有技术相比，本申请的技术方案具备以下有益效果：

11、该导光晶体光束整形mcc垂直叠阵半导体激光器，通过设置激光器组件，使用导光晶体可以有效地减小光斑，减少光能损失，极大的改善了半导体激光器的光束质量，光能密度相较未使用导光晶体时增加了数倍，提高了大功率半导体激光器的单位面积内的功率密度。

技术特征：

1.一种导光晶体光束整形mcc垂直叠阵半导体激光器，包括激光器本体(6)，其特征在于：所述激光器本体(6)上设置有激光器组件；

2.根据权利要求1所述的一种导光晶体光束整形mcc垂直叠阵半导体激光器，其特征在于：所述串联叠阵(4)由1-20个激光单元和mcc热沉组成。

3.根据权利要求1所述的一种导光晶体光束整形mcc垂直叠阵半导体激光器，其特征在于：所述晶体座(3)和晶体前盖(2)的内部均开设有连接通槽。

4.根据权利要求2所述的一种导光晶体光束整形mcc垂直叠阵半导体激光器，其特征在于：所述串联叠阵(4)的高度在1-4.5mm之间，所述串联叠阵(4)宽度要求8-15mm之间，所述串联叠阵(4)长度要求15-50mm之间。

5.根据权利要求1所述的一种导光晶体光束整形mcc垂直叠阵半导体激光器，其特征在于：所述外壳(5)的正面和背面均开设有数量为两个的第三连接通孔，所述外壳(5)的左侧开设有数量为两个的第一连接槽。

6.根据权利要求1所述的一种导光晶体光束整形mcc垂直叠阵半导体激光器，其特征在于：所述晶体座(3)的内部开设有数量为四个的第一连接通孔，所述晶体前盖(2)的内部开设有数量为四个的第二连接通孔。

7.根据权利要求1所述的一种导光晶体光束整形mcc垂直叠阵半导体激光器，其特征在于：所述串联叠阵(4)的正面和背面均开设有数量为两个的第二连接槽，所述串联叠阵(4)的左侧开设有数量为两个的第三连接槽。

技术总结
本技术涉及一种导光晶体光束整形MCC垂直叠阵半导体激光器，包括激光器本体，所述激光器本体上设置有激光器组件，所述激光器组件包括导光晶体、晶体座、串联叠阵、晶体前盖和外壳，所述串联叠阵由1‑20个激光单元和MCC热沉组成，所述晶体座和晶体前盖的内部均开设有连接通槽，所述串联叠阵的高度在1‑4.5mm之间，所述串联叠阵宽度要求8‑15mm之间，所述串联叠阵长度要求15‑50mm之间。该导光晶体光束整形MCC垂直叠阵半导体激光器，通过设置激光器组件，使用导光晶体可以有效地减小光斑，减少光能损失，极大的改善了半导体激光器的光束质量，光能密度相较未使用导光晶体时增加了数倍，提高了大功率半导体激光器的单位面积内的功率密度。

技术研发人员：华俊
受保护的技术使用者：西安欧益光电科技有限公司
技术研发日：20230203
技术公布日：2024/1/14