半导体封装结构的制作方法

本技术涉及半导体领域，具体地，涉及一种半导体封装结构。

背景技术：

1、参见图1，在现有的硅光子(siph)封装结构10中，电子集成电路(eic)12倒装于光子集成电路(pic)14上，pic 14再倒装于衬底16上，虽然能通过使eic 12尽量靠近pic 14的传感器(sensor)18以缩短电性路径，但是eic 12至衬底16之间的传输路径l仍然较长，从而难以满足高速或高频讯号的传输需求，难以应用到更高性能(例如高频)的应用中，并且良率和产量也很低。

技术实现思路

1、针对相关技术中存在的问题，本实用新型的目的在于提供一种半导体封装结构，以实现更短的电路路径。

2、为实现上述目的，本实用新型提供了一种半导体封装结构，包括：半导体衬底；电子集成电路，设置在半导体衬底上方，电子集成电路的第一有源面朝向半导体衬底；第一电连接件，位于半导体衬底和电子集成电路的第一有源面之间并且电连接半导体衬底和第一有源面；光子集成电路，叠置在电子集成电路上，光子集成电路的第二有源面朝向半导体衬底；引线，电连接第一有源面和第二有源面。

3、在一些实施例中，电子集成电路包括位于第一有源面处的第一焊盘和第二焊盘，第一焊盘连接第一电连接件，第二焊盘连接引线，第二焊盘与第一有源面的边缘之间的距离小于第一焊盘与边缘之间的距离。

4、在一些实施例中，半导体封装结构还包括：第二电连接件，位于半导体衬底和光子集成电路的第二有源面之间并且电连接半导体衬底和第二有源面。

5、在一些实施例中，半导体封装结构还包括：介电层，位于半导体衬底上方并且覆盖第二有源面，第一电连接件包括第一上部和第一下部，第二电连接件包括第二上部和第二下部，介电层包覆第一上部、第二上部，第一下部、第二下部暴露于介电层的底面。

6、在一些实施例中，半导体封装结构还包括：保护层，包覆引线，介电层包覆保护层。

7、在一些实施例中，半导体封装结构还包括：导电凸块，将第一下部和第二下部连接至半导体衬底。

8、在一些实施例中，半导体封装结构还包括：底部填充层，位于半导体衬底和介电层之间，底部填充层包覆第一下部和第二下部。

9、在一些实施例中，底部填充层还延伸到介电层的侧面以及光子集成电路的侧面上。

10、在一些实施例中，半导体封装结构还包括：光纤单元阵列，叠置在光子集成电路上方，光子集成电路包括开口以及位于开口底部的光栅，光纤单元阵列发出的光通过开口到达光栅。

11、在一些实施例中，半导体封装结构还包括：传感器，位于光栅下方，光纤单元阵列发出的光通过光栅到达传感器，引线位于电子集成电路的邻近传感器的第一侧。

12、本实用新型的有益技术效果在于：

13、本申请的实施例通过引线，实现了从eic的第一有源面到pic的第二有源面的电路的直接连接；通过eic的第一有源面面向半导体衬底，并且通过第一电连接件实现了从eic到半导体衬底的电路的直接连接；通过pic的第二有源面面向半导体衬底，并且通过第二电连接件实现了从pic到半导体衬底的电路的直接连接。

技术特征：

1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述电子集成电路包括位于所述第一有源面处的第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘连接所述第一电连接件，所述第二焊盘连接所述引线，所述第二焊盘与所述第一有源面的边缘之间的距离小于所述第一焊盘与所述边缘之间的距离。

3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：

4.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：

5.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：

6.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：

7.根据权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：

8.根据权利要求7所述的半导体封装结构，其特征在于，所述底部填充层还延伸到所述介电层的侧面以及所述光子集成电路的侧面上。

9.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：

10.根据权利要求9所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：

技术总结
本技术提供了一种半导体封装结构，包括：半导体衬底；电子集成电路，设置在半导体衬底上方，电子集成电路的第一有源面朝向半导体衬底；第一电连接件，位于半导体衬底和电子集成电路的第一有源面之间并且电连接半导体衬底和第一有源面；光子集成电路，叠置在电子集成电路上，光子集成电路的第二有源面朝向半导体衬底；引线，电连接第一有源面和第二有源面。本技术的目的在于提供一种半导体封装结构，以实现更短的电路路径。

技术研发人员：吕文隆
受保护的技术使用者：日月光半导体制造股份有限公司
技术研发日：20230128
技术公布日：2024/1/14