功率模块的制作方法

本技术涉及半导体器件，尤其涉及一种功率模块。

背景技术：

1、mosfet半桥式功率模块通常包括多个并联的mos管，mos管上的源极会与一铜夹片连接，铜夹片的端部会连接到覆铜基板的特定区域，在基板用于连接铜夹片的区域中可以设置有测量点，通过该测量点可以测量kelvin source(开尔文源极)信号。这一信号可以供功率模块的驱动板接收，驱动板根据该信号发出相应的控制信号。

2、然而，每个mos管的源极到测量点的路径不同，不同的路径导致不同的源极的寄生电容和寄生电感不同，从而引起mos管的源极电压存在差异，这意味着测量所得到的ks值(即kelvin source信号)与其中一部分mos管的实际值有较大的误差。这一误差会导致驱动模块发出的控制信号与部分mos管的实际ks值不匹配，导致一部分mos管的栅极控制电压超出安全范围，从而使mos管的栅极金属氧化层老化加速，进而降低了功率模块的可靠性。

技术实现思路

1、本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本实用新型提出一种功率模块，该功率模块的可靠性较高。

2、根据本实用新型的实施例的功率模块，所述功率模块包括：基板；上桥电路和下桥电路，所述上桥电路和所述下桥电路均包括多个相互并联的mos管，所述mos管包括源极，所述mos管与所述基板电连接；导电夹片，设置于所述mos管背对所述基板的一侧，所述导电夹片与所述源极电连接，所述导电夹片还与所述基板电连接；所述导电夹片设置有两个，所述上桥电路中所有所述源极与同一所述导电夹片电连接，所述下桥电路中所有所述源极与同一所述导电夹片电连接。

3、根据本实用新型实施例的功率模块，至少具有如下有益效果：功率模块通过导电夹片将同一上/下桥电路中多个并联连接的mos管的源极统一连接，从而最小化因连接路径不同导致的电参数(包括源极寄生电感和源极寄生电容)差异，使得驱动模块根据测量点生成的控制信号能够对对应的多个mos管进行同时响应控制，进而提高功率模块的可靠性。

4、根据本实用新型的一些实施例，所述导电夹片包括：主体部，开设有多个第一通孔，多个所述第一通孔阵列分布，每一个所述第一通孔与一个所述mos管相对设置；第一连接部，设置有多个，所述第一连接部与所述主体部连接，每一个所述第一通孔中设置有至少一个所述第一连接部，所述第一连接部与所述源极电连接；第二连接部，连接于所述主体部的边缘，所述第二连接部与所述基板电连接。

5、根据本实用新型的一些实施例，所述主体部沿所述导电夹片的长度方向的两端与所述第二连接部连接，所述导电夹片还包括折边部，所述主体部沿所述导电夹片的宽度方向的两端分别与一个所述折边部连接，所述折边部相对于所述主体部朝远离基板的方向凸出。

6、根据本实用新型的一些实施例，所述第一连接部弯折设置，所述第一连接部相对于所述主体部朝靠近所述基板的方向凸出。

7、根据本实用新型的一些实施例，沿所述导电夹片的长度方向，所述主体部的两端均开设有避让缺口，所述功率模块还包括键合线，所述mos管还包括栅极，所述键合线的一端与所述栅极电连接，所述键合线的另一端与所述基板电连接并设置于所述避让缺口中。

8、根据本实用新型的一些实施例，所述第一连接部和所述第二连接部中的至少一者开设有第二通孔。

9、根据本实用新型的一些实施例，所述导电夹片包括：纵向部，设置有多个，每一个所述纵向部与多个所述mos管连接，与同一个所述纵向部连接的多个所述mos管沿所述纵向部的长度方向间隔分布，所述纵向部的至少一端与所述基板电连接，多个所述纵向部的排列方向与所述纵向部的长度方向垂直，相邻的所述纵向部间隔设置；横向部，相邻的两个所述纵向部通过所述横向部连接。

10、根据本实用新型的一些实施例，所述纵向部包括多个第一连接部和至少一个第一悬空部，多个所述第一连接部沿所述纵向部的长度方向间隔设置，相邻的两个所述第一连接部通过所述第一悬空部连接，所述第一连接部与所述源极连接，所述第一悬空部朝向所述基板的一侧表面沿远离所述基板的方向凹陷。

11、根据本实用新型的一些实施例，所述mos管包括多个间隔分布的所述源极焊盘，所述第一连接部包括多个下沉部和至少一个第二悬空部，每一所述下沉部与一个所述源极焊盘连接，相邻的所述下沉部通过所述第二悬空部连接，所述第二悬空部朝向所述mos管的一侧表面沿远离所述mos管的方向凹陷。

12、根据本实用新型的实施例的功率模块，所述功率模块包括：基板；上桥电路和下桥电路，所述上桥电路和所述下桥电路均包括多个相互并联的功率元件，所述功率元件包括相互电连接的igbt和二极管，所述功率元件与所述基板电连接，同一所述功率元件中，所述igbt的发射极和所述二极管的正极连接形成连接节点；导电夹片，与所述连接节点连接，所述导电夹片还与所述基板电连接；所述导电夹片设置有两个，所述上桥电路中所有所述连接节点与同一所述导电夹片电连接，所述下桥电路中所有所述连接节点与同一所述导电夹片电连接。

13、本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。

技术特征：

1.功率模块，其特征在于，所述功率模块包括：

2.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述导电夹片包括：

3.根据权利要求2所述的功率模块，其特征在于，所述主体部沿所述导电夹片的长度方向的两端与所述第二连接部连接，所述导电夹片还包括折边部，所述主体部沿所述导电夹片的宽度方向的两端分别与一个所述折边部连接，所述折边部相对于所述主体部朝远离基板的方向凸出。

4.根据权利要求2所述的功率模块，其特征在于，所述第一连接部弯折设置，所述第一连接部相对于所述主体部朝靠近所述基板的方向凸出。

5.根据权利要求2所述的功率模块，其特征在于，沿所述导电夹片的长度方向，所述主体部的两端均开设有避让缺口，所述功率模块还包括键合线，所述mos管还包括栅极，所述键合线的一端与所述栅极电连接，所述键合线的另一端与所述基板电连接并设置于所述避让缺口中。

6.根据权利要求2所述的功率模块，其特征在于，所述第一连接部和所述第二连接部中的至少一者开设有第二通孔，所述第二通孔供焊料中逸出的气体通过。

7.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述导电夹片包括：

8.根据权利要求7所述的功率模块，其特征在于，所述纵向部包括多个第一连接部和至少一个第一悬空部，多个所述第一连接部沿所述纵向部的长度方向间隔设置，相邻的两个所述第一连接部通过所述第一悬空部连接，所述第一连接部与所述源极连接，所述第一悬空部朝向所述基板的一侧表面沿远离所述基板的方向凹陷。

9.根据权利要求8所述的功率模块，其特征在于，所述mos管包括多个间隔分布的源极焊盘，所述第一连接部包括多个下沉部和至少一个第二悬空部，每一所述下沉部与一个所述源极焊盘连接，相邻的所述下沉部通过所述第二悬空部连接，所述第二悬空部朝向所述mos管的一侧表面沿远离所述mos管的方向凹陷。

10.功率模块，其特征在于，包括：

技术总结
本技术提供了一种功率模块，功率模块包括：基板；上桥电路和下桥电路，所述上桥电路和所述下桥电路均包括多个相互并联的MOS管，所述MOS管包括源极，所述MOS管与所述基板电连接；导电夹片，设置于所述MOS管背对所述基板的一侧，所述导电夹片与所述源极电连接，所述导电夹片还与所述基板电连接；所述导电夹片设置有两个，所述上桥电路中所有所述源极与同一所述导电夹片电连接，所述下桥电路中所有所述源极与同一所述导电夹片电连接。本技术的功率模块，利用同一导电夹片将同一半桥中的所有源极连接起来，提高了同一半桥中各个MOS管的源极的电参数的一致性，从而降低MOS管的KS值测量误差，进而提高功率模块的可靠性。

技术研发人员：刘谦,郑楠楠
受保护的技术使用者：深圳赛意法微电子有限公司
技术研发日：20230118
技术公布日：2024/1/12