一种基板上交指电容器的制作方法

本技术涉及基板电路，尤其涉及一种基板上交指电容器。

背景技术：

1、基板上射频前端的匹配电路和去耦电路通常由smd的电容电感组成，smd的电容电感具有易于调试、高q值的优点，但是成本高，会增加基板体积，无法与平面系统集成。为了减少基板体积、便于与系统集成，匹配电路中的smd电感可以做成平面螺旋电感，但是匹配电路中的电容器往往无法做成平面结构，仍需smd电容，因此射频前端匹配与系统集成的要求受限。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种基板上交指电容器，解决了射频前端匹配与系统集成的要求受限的问题。

2、为实现上述目的，本实用新型采用的一种基板上交指电容器，包括基板和交指电容器，所述交指电容器设置于所述基板的上方；

3、所述交指电容器包括第一金属层、第二金属层、第三金属层、第四金属层、第五金属层、第六金属层和第七金属层，所述第七金属层设置于所述基板的上方，所述第一金属层、所述第二金属层、所述第三金属层、所述第四金属层、所述第五金属层、所述第六金属层和所述第七金属层从上至下依次设置，且所述第一金属层、所述第三金属层、所述第五金属层和所述第七金属层作为输入端，所述第二金属层、所述第四金属层和所述第六金属层作为输出端。

4、其中，所述基板上交指电容器还包括输入端金属，所述输入端金属设置于所述基板的上方，所述第一金属层、所述第三金属层、所述第五金属层和所述第七金属层分别与所述输入端金属连接。

5、其中，所述基板上交指电容器还包括输出端金属，所述输出端金属设置于所述基板的上方，所述第二金属层、所述第四金属层和所述第六金属层分别与所述输出端金属连接。

6、其中，所述基板上交指电容器还包括输入端微带线，所述输入端微带线与所述输入端金属连接，并位于所述第五金属层处。

7、其中，所述基板上交指电容器还包括输出端微带线，所述输出端微带线与所述输出端金属连接，并位于所述第四金属层处。

8、本实用新型的一种基板上交指电容器，所述第七金属层设置于所述基板的上方，所述第一金属层、所述第二金属层、所述第三金属层、所述第四金属层、所述第五金属层、所述第六金属层和所述第七金属层从上至下依次设置，所述基板上交指电容器使用奇数金属层，奇数金属层的一侧边缘连接在一起，所述第一金属层、所述第三金属层、所述第五金属层和所述第七金属层作为所述基板上交指电容器的输入端，所述基板上交指电容器使用偶数金属层，偶数金属层的一侧边缘连接在一起，所述第二金属层、所述第四金属层和所述第六金属层作为所述基板上交指电容器的输出端，每一个10mmx10mm所述基板上交指电容器可以作为一个电容器单元；将每个所述基板上交指电容器的边缘连接在一起增加电容值，所述基板上交指电容器的输入端通过微带线与滤波器连接，所述基板上交指电容器的输出端通过微带线与平面螺旋电感连接，所述基板上交指电容器基于交指电容技术、微带线和基板技术，匹配电路通过交指电容器和平面螺旋电感，将阻抗由失配位置调整至50ω处，能够满足射频前端匹配与系统集成的要求。

技术特征：

1.一种基板上交指电容器，其特征在于，

2.如权利要求1所述的基板上交指电容器，其特征在于，

3.如权利要求1所述的基板上交指电容器，其特征在于，

4.如权利要求2所述的基板上交指电容器，其特征在于，

5.如权利要求3所述的基板上交指电容器，其特征在于，

技术总结
本技术涉及基板电路技术领域，具体涉及一种基板上交指电容器；包括基板和交指电容器，交指电容器设置于基板的上方；交指电容器包括第一金属层、第二金属层、第三金属层、第四金属层、第五金属层、第六金属层和第七金属层，第七金属层设置于基板的上方，第一金属层、第二金属层、第三金属层、第四金属层、第五金属层、第六金属层和第七金属层从上至下依次设置，且第一金属层、第三金属层、第五金属层和第七金属层作为输入端，第二金属层、第四金属层和第六金属层作为输出端，通过上述结构，能够满足射频前端匹配与系统集成的要求。

技术研发人员：费星凯,罗志耀
受保护的技术使用者：升新高科技（南京）有限公司
技术研发日：20230214
技术公布日：2024/1/13