一种倒装miniLED芯片的制作方法

本技术涉及半导体器件，尤其涉及一种倒装mini led芯片。

背景技术：

1、现有的倒装mini led芯片中p型焊盘通过布拉格反射层通孔与p型第一电极连接，p型第一电极再通过电流扩展层与p型gan连接，n型焊盘通过布拉格反射层通孔与n型第一电极连接，n型第一电极再通过n型导电台阶与n型gan连接。

2、部分焊盘会在布拉格反射层通孔中形成坑状的凹陷，倒装mini led芯片在后续回流焊时，此凹陷中缺少sn会形成sn空洞，最终造成芯片失效，且由于n型导电台阶的存在，n型焊盘处的凹陷深度大于p型焊盘的深度，导致回流焊后，芯片由p型焊盘向n型焊盘歪斜，最终导致mini led芯片封装的显示屏显示效果下降，且芯片尺寸越小，上述两种问题越严重。

技术实现思路

1、为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种倒装mini led芯片。

2、该实用新型的实施例提供以下技术方案，一种倒装mini led芯片，包括衬底及设于所述衬底上具有第一部和第二部的n型gan层，所述n型gan层的第一部上依次设有源发光层、p型gan层及电流扩展层以形成n型导电台阶，所述n型gan层的第二部上设有与所述n型导电台阶深度一致的n型第一电极，所述电流扩展层及所述n型第一电极上均设有布拉格反射层，所述布拉格反射层上分别设有与所述n型第一电极及所述电流扩展层连通的布拉格反射层通孔，两个所述布拉格反射层通孔内分别设有与其相适配的n型焊盘及p型焊盘，所述布拉格反射层的上端面为平整面。

3、在本实用新型中，n型焊盘、p型焊盘及布拉格反射层的上端面均在同一水平面上，因此不会产生焊盘坑状凹陷，避免出现回流焊后n型焊盘或p型焊盘上产生sn空洞的情况，解决了回流焊后芯片由p型焊盘向n型焊盘歪斜的问题，保证芯片封装后的显示效果稳定。

4、进一步的，所述n型焊盘通过所述n型第一电极与所述n型gan层电连接，所述p型焊盘通过所述电流扩展层与所述p型gan层电连接。

5、进一步的，所述n型第一电极的横截面积大于所述n型焊盘的横截面积。

6、进一步的，所述n型第一电极与所述n型焊盘的中心轴线重合。

7、进一步的，所述n型焊盘和所述p型焊盘的厚度均为3um～5um。

8、进一步的，所述n型导电台阶深度为0.8um～1.5um。

9、进一步的，所述电流扩展层为ito层，其厚度为

10、进一步的，所述p型焊盘和所述n型焊盘均为al层、ti层、pt层、ni层、au层、sn层中的一种或多种层叠组成。

11、进一步的，所述布拉格反射层由20～30个周期性的sio2层和ti3o5层交替层叠组成。

12、进一步的，所述n型第一电极为cr层、alcu合金层、al层、ti层、pt层、ni层、au层中的一种或多种层叠组成。

技术特征：

1.一种倒装mini led芯片，其特征在于，包括衬底及设于所述衬底上具有第一部和第二部的n型gan层，所述n型gan层的第一部上依次设有有源发光层、p型gan层及电流扩展层以形成n型导电台阶，所述n型gan层的第二部上设有与所述n型导电台阶深度一致的n型第一电极，所述电流扩展层及所述n型第一电极上均设有布拉格反射层，所述布拉格反射层上分别设有与所述n型第一电极及所述电流扩展层连通的布拉格反射层通孔，两个所述布拉格反射层通孔内分别设有与其相适配的n型焊盘及p型焊盘，所述布拉格反射层的上端面为平整面。

2.根据权利要求1所述的倒装mini led芯片，其特征在于，所述n型焊盘通过所述n型第一电极与所述n型gan层电连接，所述p型焊盘通过所述电流扩展层与所述p型gan层电连接。

3.根据权利要求1所述的倒装mini led芯片，其特征在于，所述n型第一电极的横截面积大于所述n型焊盘的横截面积。

4.根据权利要求1所述的倒装mini led芯片，其特征在于，所述n型第一电极与所述n型焊盘的中心轴线重合。

5.根据权利要求1所述的倒装mini led芯片，其特征在于，所述n型焊盘和所述p型焊盘的厚度均为3um～5um。

6.根据权利要求1所述的倒装mini led芯片，其特征在于，所述n型导电台阶深度为0.8um～1.5um。

7.根据权利要求1所述的倒装mini led芯片，其特征在于，所述电流扩展层为ito层，其厚度为

8.根据权利要求1所述的倒装mini led芯片，其特征在于，所述p型焊盘和所述n型焊盘均为al层、ti层、pt层、ni层、au层、sn层中的一种或多种层叠组成。

9.根据权利要求1所述的倒装mini led芯片，其特征在于，所述布拉格反射层由20～30个周期性的sio2层和ti3o5层交替层叠组成。

10.根据权利要求1所述的倒装mini led芯片，其特征在于，所述n型第一电极为cr层、alcu合金层、al层、ti层、pt层、ni层、au层中的一种或多种层叠组成。

技术总结
本技术涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种倒装mini LED芯片，包括衬底及设于衬底上具有第一部和第二部的N型GaN层，N型GaN层的第一部上依次设有有源发光层、P型GaN层及电流扩展层以形成N型导电台阶，N型GaN层的第二部上设有与N型导电台阶深度一致的N型第一电极，电流扩展层及N型第一电极上均设有布拉格反射层，布拉格反射层上分别设有与N型第一电极及电流扩展层连通的布拉格反射层通孔，两个布拉格反射层通孔内分别设有与其相适配的N型焊盘及P型焊盘，布拉格反射层的上端面为平整面。在本技术中，N型焊盘、P型焊盘及布拉格反射层的上端面均在同一水平面上，保证芯片封装后的显示效果稳定。

技术研发人员：李文涛,鲁洋,张星星,林潇雄,胡加辉,金从龙
受保护的技术使用者：江西兆驰半导体有限公司
技术研发日：20230303
技术公布日：2024/1/13