一种封装结构的制作方法

本技术涉及mos桥封装，尤其涉及一种封装结构。

背景技术：

1、与塑封结构相比较，金封结构的模块具有气密封性、工作温度范围宽、抗盐雾腐蚀及抗辐射能力强等特点，因此成为船舶、航空、航天领域某些特殊场合或恶劣环境的必选器件。但是上述方案存在以下缺陷或不足：

2、1、传统大功率金封mos桥的功率端子采用压接结构，驱动信号端子采用焊接结构,与外部连接配线安装复杂，焊接结构易出现冷热冲击条件下开焊的情况；

3、2、300a以上的mos桥模块还存在内部互连工艺难度高的问题。

技术实现思路

1、本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种封装结构。

2、为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：

3、一种封装结构，包括安装机构、引出机构和端子机构；

4、安装机构：所述安装机构包括金属壳体、金属壳体内部设置的底板、底板顶部等距离焊接的覆铜基板、覆铜基板顶部并排焊接的若干个mos芯片、金属壳体顶部设置的金属盖体、金属壳体四周设置的固定块和固定块上开设的螺纹孔；

5、引出机构：所述引出机构包括绝缘环、穿过绝缘环封接的引线柱和与引线柱熔焊连接的焊盘；

6、端子机构：所述端子机构包括驱动信号端子、交流输出端子、直流正端子、直流负端子，驱动信号端子、交流输出端子、直流正端子、直流负端子分别与金属壳体前侧、后侧、左侧、右侧的引出机构熔焊连接和交流输出端子、直流正端子、直流负端子顶部设置的螺栓连接孔。

7、通过上述方案，通过设置有引出机构，功率端子和驱动信号端子均可与外部配线实现插装，安装固定方便，驱动信号端子以接插结构代替焊接结构，避免了严劣工况下可能出现的开焊问题，通过设置有端子机构，功率端子插装后再与螺栓压接，进一步增加安装机械强度，利于300a以上的大功率应用，通过设置有安装机构，在金属壳体内部拓扑布局上，将功率端子、驱动端子与覆铜基板分开设置，每个覆铜基板上方的键合走线横纵交叉，既便于深腔键合工艺实施，又利于减小寄生电感。

8、优选的，所述底板近交流输出端子一侧等距离分布的覆铜基板从左到右各有一个铜箔依次通过键合线连接，且每个覆铜基板上的mos芯片的源极均通过键合线沿左右方向与该铜箔连接。

9、通过上述方案，明确了mos芯片与覆铜基板的连接方式。

10、优选的，所述mos芯片所在铜箔沿前后方向与其最近的引出机构的焊盘键合连接，且mos芯片与直流负端子连接的引出机构沿前后方向与其最近的铜箔键合连接。

11、通过上述方案，明确了mos芯片通过引出机构与直流负端子的连接方式。

12、优选的，所述底板近驱动信号端子一侧等距离分布的覆铜基板从左至右各有一个铜箔依次键合连接，且每个覆铜基板上的mos芯片的源极沿前后方向与近交流输出端子一侧的mos芯片所在铜箔键合连接，与直流正端子连接的引出机构沿前后方向与其最近的铜箔键合连接。

13、通过上述方案，明确了mos芯片通过引出机构与直流正端子的连接方式。

14、优选的，每个所述覆铜基板上的mos芯片的栅极键合连接到一个铜箔上，且mos芯片的栅极从该铜箔通过键合线分别连接到一个驱动信号端子。

15、通过上述方案，明确了mos芯片与驱动信号端子的连接方式。

16、优选的，所述与直流负端子连接的铜箔和三个驱动信号端子分别通过键合线连接，且与近驱动信号端子一侧mos芯片源极连接的铜箔和三个驱动信号端子分别通过键合线连接。

17、通过上述方案，明确了直流负端子与驱动信号端子的连接方式。

18、优选的，所述引线柱和焊盘均为无氧铜，且驱动信号端子接插位置为矩形且垂直壳体向上。

19、通过上述方案，明确了引线柱和焊盘的材质，以及驱动信号端子的安装方式。

20、本实用新型的有益效果为：

21、本设计的一种封装结构，通过设置有引出机构，功率端子和驱动信号端子均可与外部配线实现插装，安装固定方便，驱动信号端子以接插结构代替焊接结构，避免了严劣工况下可能出现的开焊问题；

22、本设计的一种封装结构，通过设置有端子机构，功率端子插装后再与螺栓压接，进一步增加安装机械强度，利于300a以上的大功率应用，通过设置有安装机构，在金属壳体内部拓扑布局上，将功率端子、驱动端子与覆铜基板分开设置，每个覆铜基板上方的键合走线横纵交叉，既便于深腔键合工艺实施，又利于减小寄生电感。

技术特征：

1.一种封装结构，包括安装机构（1）、引出机构（2）和端子机构（3），其特征在于，安装机构（1）：所述安装机构（1）包括金属壳体（11）、金属壳体（11）内部设置的底板（12）、底板（12）顶部等距离焊接的覆铜基板（13）、覆铜基板（13）顶部并排焊接的若干个mos芯片（14）、金属壳体（11）顶部设置的金属盖体（15）、金属壳体（11）四周设置的固定块（16）和固定块（16）上开设的螺纹孔（17）；

2.根据权利要求1所述的一种封装结构，其特征在于，所述底板（12）近交流输出端子（32）一侧的等距离分布的覆铜基板（13）从左到右各有一个铜箔依次通过键合线连接，且每个覆铜基板（13）上的mos芯片（14）的源极均通过键合线沿左右方向与该铜箔连接。

3.根据权利要求1所述的一种封装结构，其特征在于，所述mos芯片（14）所在铜箔沿前后方向与其最近的引出机构（2）的焊盘（23）键合连接，且mos芯片（14）与直流负端子（34）连接的引出机构（2）沿前后方向与其最近的铜箔键合连接。

4.根据权利要求1所述的一种封装结构，其特征在于，所述底板（12）近驱动信号端子（31）一侧等距离分布的覆铜基板（13）从左至右各有一个铜箔依次键合连接，且每个覆铜基板（13）上的mos芯片（14）的源极沿前后方向与近交流输出端子（32）一侧的mos芯片（14）所在铜箔键合连接，与直流正端子（33）连接的引出机构（2）沿前后方向与其最近的铜箔键合连接。

5.根据权利要求1所述的一种封装结构，其特征在于，每个所述覆铜基板（13）上的mos芯片（14）的栅极键合连接到一个铜箔上，且mos芯片（14）的栅极从该铜箔通过键合线分别连接到一个驱动信号端子（31）。

6.根据权利要求1所述的一种封装结构，其特征在于，与所述直流负端子（34）连接的铜箔和三个驱动信号端子（31）分别通过键合线连接，且与近驱动信号端子（31）一侧mos芯片（14）源极连接的铜箔和三个驱动信号端子（31）分别通过键合线连接。

7.根据权利要求1所述的一种封装结构，其特征在于，所述引线柱（22）和焊盘（23）均为无氧铜，且驱动信号端子（31）接插位置为矩形且垂直壳体向上。

技术总结
本技术属于mos桥封装技术领域，尤其是一种封装结构，针对背景技术提出的问题，现提出以下方案，包括安装机构、引出机构和端子机构，安装机构包括金属壳体、金属壳体内部设置的底板、底板顶部等距离焊接的覆铜基板、覆铜基板顶部并排焊接的若干个MOS芯片、金属壳体顶部设置的金属盖体、金属壳体四周设置的固定块和固定块上开设的螺纹孔，引出机构包括绝缘环、穿过绝缘环封接的引线柱和与引线柱熔焊连接的焊盘，端子机构包括驱动信号端子、交流输出端子、直流正端子、直流负端子。本技术安装固定方便，驱动信号端子以接插结构代替焊接结构，避免了严劣工况下可能出现的开焊问题，既便于深腔键合工艺实施，又利于减小寄生电感。

技术研发人员：邱玉石,杨胜国,纪伟
受保护的技术使用者：阜新飞宇电子科技有限公司
技术研发日：20230306
技术公布日：2024/1/13