半导体装置的制作方法

本技术涉及一种半导体装置。

背景技术：

1、近年来，为了实现低碳社会或脱碳社会的努力活跃化，在车辆中，也削减co2的排放量或改善能源效率，为此而正在进行与有关电动汽车的研究开发。

2、具有高密度、低功耗和高速大驱动能力等特点的双极金属氧化物(bimos)半导体装置已被公开，其中同时使用双极晶体管(bjt)和金属氧化物半导体(mos)晶体管，如专利公布号cn 115148804a。这样的半导体装置具有四个端子，包括漏极、源极、栅极与作为控制端子的基极。在具有所述四端子的半导体装置中，会在沟道区与漏电极侧的漂移层之间形成超结(sj)结构。

3、可是，在与电动汽车有关的技术中，当上述半导体装置的源极端、栅极端与基极端的电极都形成在顶部方向时，从源极与基极连接到外部的配线势必须要做成多层的构造，导致制造成本增加。此外，如果为了设置配线而改变源极与基极的位置，则不利于半导体特性。

技术实现思路

1、本实用新型为了解决所述课题，而以达成良好的半导体特性并且抑制配线成本为目的提供一种半导体装置。而且，进而有助于改善能源效率。

2、本实用新型的一种半导体装置，包含设置在至少一半导体基板的表面的主电流电极、电流控制电极以及电压控制电极，所述半导体装置进一步包括把所述主电流电极连接到所述半导体基板的外部的主电流配线、把所述电流控制电极连接到所述半导体基板的外部的电流控制配线、把所述电压控制电极连接到所述半导体基板的外部的电压控制配线。所述电压控制电极被绝缘膜覆盖，并在所述表面沿第一方向呈直线状延伸配置。多个电压控制配线沿与第一方向不同的第二方向排列。所述电流控制配线与所述电压控制电极交叉，沿所述第二方向呈直线状延伸配置。所述电流控制配线与设置在多个所述电压控制电极之间的所述电流控制配线下方的所述电流控制电极连接。

3、在本实用新型的实施例中，上述的主电流配线沿所述第二方向呈直线状延伸配置，上述的主电流配线与所述表面上的电流控制配线交替配置。

4、在本实用新型的实施例中，上述的主电流配线在相对于上述的电流控制配线的表面的内侧配置。

5、基于上述，本实用新型的半导体装置中的电压控制(栅极)配线由于相对于半导体装置的表面具有绝缘膜并在一个方向上延伸，而在与栅极配线垂直的方向上延伸配置有主电流(源极)配线和电流控制(基极)配线，且源极配线和基极配线交替地配置。因此，本实用新型的半导体装置可减少配线层数并借此降低制造成本。而且，源极配线和基极配线交替地配置，有利于获得良好的半导体特性。

6、为让本实用新型的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

技术特征：

1.一种半导体装置，包含设置在至少一半导体基板的表面的主电流电极、电流控制电极以及电压控制电极，其特征在于，所述半导体装置进一步包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述主电流配线沿所述第二方向呈直线状延伸配置，所述主电流配线与所述表面上的所述电流控制配线交替配置。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述主电流配线在相对于所述电流控制配线的所述表面的内侧配置。

技术总结
本技术提供一种半导体装置，包含设置在至少一半导体基板的表面的主电流电极、电流控制电极以及电压控制电极，并配备把每个电极连接到基板外部的主电流配线、电流控制配线和电压控制配线。所述电压控制电极被绝缘膜覆盖，并在所述表面沿第一方向呈直线状延伸配置。多个电压控制配线沿与第一方向不同的第二方向排列。所述电流控制配线与所述电压控制电极交叉，沿所述第二方向呈直线状延伸配置。所述电流控制配线与设置在多个所述电压控制电极之间的所述电流控制配线下方的所述电流控制电极连接。因此，本技术的半导体装置可减少配线层数并借此降低制造成本。而且，源极配线和基极配线交替地配置，有利于获得良好的半导体特性。

技术研发人员：米田真也,中村研贵,前田康宏,塚田能成,小堀俊光,根来佑树
受保护的技术使用者：本田技研工业株式会社
技术研发日：20230321
技术公布日：2024/1/14