半导体元件的制作方法

本申请涉及半导体，更具体地，涉及一种半导体元件。

背景技术：

1、wlcsp(wafer level chip scale package，晶圆级芯片封装)的封装件为裸结构，表面无材料能遮挡光线。故将这样的封装件设置在光学环境中时，进入封装件的光线可能产生不必要的暗电流，而影响封装件的作用精确性。例如如图1所示，wlcsp的封装件包括设置在基板12上的芯片10，基板12和芯片10为裸结构，当封装件设置在行动装置(如手机)中并且芯片10位于光学元件20旁边时，光学元件20发出的光线30将有一部分可能会由行动装置的壳体40反射进入芯片10而产生光电流，进而会造成不必要的暗电流，而影响封装件的作用精确性。

技术实现思路

1、针对以上问题，本申请提出一种半导体元件，能够避免外部光线造成不必要的暗电流，进而改善半导体元件的作用精确性。

2、本申请的技术方案是这样实现的：

3、根据本申请的一个方面，提供了一种半导体元件，该半导体元件包括：芯片；第一包覆层，包覆芯片，并且用于减少芯片外部的光线抵达芯片；以及第二包覆层，包覆第一包覆层，并且用于保护芯片。

4、在一些实施例中，第一包覆层的材料为吸光材料。

5、在一些实施例中，芯片具有有源面，第一包覆层在靠近有源面的侧边的厚度小于远离侧边的厚度。

6、在一些实施例中，第一包覆层的朝向芯片的有源面的一侧不接触有源面。

7、在一些实施例中，芯片具有有源面，第一包覆层具有邻近于有源面的侧边的曲面。

8、在一些实施例中，芯片具有侧面，包覆芯片的侧面的第一包覆层具有曲面。

9、在一些实施例中，第二包覆层的结构强度大于第一包覆层。

10、在一些实施例中，第二包覆层的外表面具有突起。

11、在一些实施例中，芯片具有无源面和连接无源面的侧面，第一包覆层在无源面的厚度大于第一包覆层在侧面的厚度。

12、在一些实施例中，第二包覆层的厚度大于第一包覆层的厚度。

13、上述技术方案的有益效果包括：借由利用第一包覆层包覆芯片以起到遮光效果，可以减少外部的光线抵达芯片，从而可以避免光线造成不必要的暗电流；可以解决裸结构的芯片容易受外部光线影响而干扰电性传输的问题，改善了半导体元件的作用精确性。另外，通过第二包覆层包覆第一包覆层，能够降低外力冲击。通过设置可以遮光的第一包覆层，可以不需要太厚的第二包覆层来遮光，减小了半导体元件的尺寸。

技术特征：

1.一种半导体元件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述第一包覆层的材料为吸光材料。

3.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述第二包覆层的材料为模塑料。

4.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述第一包覆层的朝向所述芯片的所述有源面的一侧不接触所述有源面。

5.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述第一包覆层具有邻近于所述有源面的侧边的曲面。

6.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，包覆所述芯片的所述侧面的所述第一包覆层具有曲面。

7.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述第二包覆层的结构强度大于所述第一包覆层的结构强度。

8.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述第二包覆层的外表面具有突起。

9.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述第一包覆层在所述无源面的厚度大于所述第一包覆层在所述侧面的厚度。

10.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述第二包覆层的厚度大于所述第一包覆层的厚度。

技术总结
本申请公开了一种半导体元件，该半导体元件包括：芯片；第一包覆层，包覆芯片，并且用于减少芯片外部的光线抵达芯片；以及第二包覆层，包覆第一包覆层，并且用于保护芯片。上述技术方案，借由利用第一包覆层包覆芯片以起到遮光效果，可以减少外部的光线抵达芯片，从而可以避免由光线造成不必要的暗电流；可以解决裸结构的芯片容易受外部光线影响而干扰电性传输的问题。另外，再通过第二包覆层包覆第一包覆层，能够降低外力冲击。

技术研发人员：李育颖
受保护的技术使用者：日月光半导体制造股份有限公司
技术研发日：20230403
技术公布日：2024/6/5