一种采用应力改善结构的键合装置的制作方法

本技术涉及半导体制造，尤其涉及一种采用应力改善结构的键合装置。

背景技术：

1、在半导体制造领域，为保证键合质量，需要增加键合设备压头或加热平台表面的均匀性和减少表面的微小颗粒。键合第一个样品和键合第二个样品表面赃物和细微颗粒在键合过程中施加压力和升温时，易导致晶圆碎裂，目前晶圆键合将不同尺寸或不同的的材料键合在一起，利用机器手臂或者人工上片方式将第一片定位到第二片待键合的位置，键合的两片均处在加热板中心位置。

2、现有技术中，键合装置在使用过程中，加热板和压头表面的不均匀和表面清洁不到位，导致键合片容易出现损坏，为此我们提出了一种采用应力改善结构的键合装置用于解决上述问题。

技术实现思路

1、本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在键合装置在使用过程中，加热板和压头表面的不均匀和表面清洁不到位，导致键合片容易出现损坏的缺点，而提出的一种采用应力改善结构的键合装置。

2、为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：

3、一种采用应力改善结构的键合装置，包括外壳，所述外壳连接有加热底座，加热底座上连接有第三缓冲材料，第三缓冲材料连接有第四缓冲材料，外壳连接有压力头，压力头连接有第一缓冲材料，第一缓冲材料连接有第二缓冲材料，压力头一侧设置有第一待键合样品，加热底座一侧设置有第二待键合样品。

4、优选的，所述第二缓冲材料的厚度为2-8mm。

5、优选的，所述第四缓冲材料厚度为5-10mm。

6、优选的，所述第一待键合样品位于第二缓冲材料朝向加热底座一侧的压力区。

7、优选的，所述第二待键合样品位于第四缓冲材料朝向压力头一侧的压力区。

8、本实用新型中，所述一种采用应力改善结构的键合装置的有益效果：

9、本方案通过加热底座加热热传导给第一缓冲材料、第二缓冲材料、第三缓冲材料、第四缓冲材料和键合样品，压力头施加压力时，缓冲材料起到缓冲键合样品作用，与键合样品接触的第二缓冲材料、第四缓冲材料的形变可以保证键合样品处于等静压状态下，进一步提高键合样品每一处的受力均匀，防止键合样品破损，提高键合样品的良率，保证键合界面质量。

10、本实用新型能够在施加压力时，缓冲材料起到缓冲键合样品作用，保证键合样品处于等静压状态下，进一步提高键合样品每一处的受力均匀，防止键合样品破损，提高键合样品的良率，保证键合界面质量。

技术特征：

1.一种采用应力改善结构的键合装置，包括外壳(1)，其特征在于，所述外壳(1)连接有加热底座(2)，加热底座(2)上连接有第三缓冲材料(6)，第三缓冲材料(6)连接有第四缓冲材料(7)，外壳(1)连接有压力头(3)，压力头(3)连接有第一缓冲材料(4)，第一缓冲材料(4)连接有第二缓冲材料(5)，压力头(3)一侧设置有第一待键合样品，加热底座(2)一侧设置有第二待键合样品。

2.根据权利要求1所述的一种采用应力改善结构的键合装置，其特征在于，所述第二缓冲材料(5)的厚度为2-8mm。

3.根据权利要求2所述的一种采用应力改善结构的键合装置，其特征在于，所述第一待键合样品位于第二缓冲材料(5)朝向加热底座(2)一侧的压力区。

4.根据权利要求3所述的一种采用应力改善结构的键合装置，其特征在于，所述第二待键合样品位于第四缓冲材料(7)朝向压力头(3)一侧的压力区。

5.根据权利要求4所述的一种采用应力改善结构的键合装置，其特征在于，所述第四缓冲材料(7)厚度为5-10mm。

技术总结
本技术属于半导体制造领域，尤其是一种采用应力改善结构的键合装置，针对现有的键合装置在使用过程中，加热板和压头表面的不均匀和表面清洁不到位，导致键合片容易出现损坏的问题，现提出如下方案，其包括外壳，所述外壳连接有加热底座，加热底座上连接有第三缓冲材料，第三缓冲材料连接有第四缓冲材料，外壳连接有压力头，压力头连接有第一缓冲材料，第一缓冲材料连接有第二缓冲材料，本技术能够在施加压力时，缓冲材料起到缓冲键合样品作用，保证键合样品处于等静压状态下，进一步提高键合样品每一处的受力均匀，防止键合样品破损，提高键合样品的良率，保证键合界面质量。

技术研发人员：刘畅畅,李军帅,孔玮
受保护的技术使用者：西湖烟山科技（杭州）有限公司
技术研发日：20230403
技术公布日：2024/1/13