一种限位一体化桥接式封装结构的制作方法

本技术涉及电子器件的，特别是一种限位一体化桥接式封装结构。

背景技术：

1、目前电子器件的功率器件一般采用焊线的方式来实现电性连接，或者在芯片的s极进行铜桥焊接，而g极都是在焊接完成芯片与框架、铜桥与芯片的焊接后，需要两次上机，生产效率慢，再重新上焊接设备进行铜线焊接，在进行引线焊接前，都需要进行化学清洗及等离子清洗，而由于在铜桥焊接过程较多实用的锡膏工艺，锡膏焊接过程容易释放出助焊剂，容易污染到铜线焊接的功能区(芯片g极)，在上述清洗过程中不彻底，容易导致引线虚焊；或在使用过程中容易出现引线断开引起开路的质量隐患问题。

技术实现思路

1、针对上述缺陷，本实用新型的目的在于提出一种限位一体化桥接式封装结构，解决目前铜线焊接，效率低，容易导致引线虚焊，在使用过程中容易出现引线断开引起开路的问题。

2、为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

3、一种限位一体化桥接式封装结构，包括导线框架、芯片和铜桥框架；

4、所述导线框架包括基座和引脚，所述基座与引脚电性隔离；

5、所述芯片设置于所述基座内；

6、所述铜桥框架包括主铜桥和副铜桥，所述主铜桥和副铜桥电性隔离；

7、所述主铜桥的一端与所述芯片的s极电性连接，所述主铜桥的另一端与所述引脚的s极电性连接；

8、所述副铜桥的一端与所述芯片的g极电性连接，所述副铜桥的另一端与所述引脚的g极电性连接。

9、优选的，所述主铜桥和副铜桥为一体成型结构。

10、优选的，所述副铜桥的一端向下凸起设置有接触凸点。

11、优选的，所述接触凸点包括有一层凸台和二层凸点，所述一层凸台沿所述副铜桥的底面向下凸起设置，所述二层凸点沿所述一层凸台的底面向下凸起设置。

12、优选的，所述一层凸台设置为直径0.05mm-0.1mm的圆形凸台，所述二层凸点设置为直径0.01mm-0.03mm的圆形凸台。

13、优选的，所述一层凸台的直径尺寸不超过所述芯片的g极宽度的一半。

14、优选的，所述一层凸台和二层凸点分别通过在所述副铜桥进行冲压成型制备而成。

15、优选的，所述主铜桥的一侧设置有限位卡口，所述主铜桥通过所述限位卡口与所述芯片卡扣连接。

16、优选的，所述芯片的上表面设置有塑封料，所述塑封料用于封装所述铜桥框架、芯片以及导线框架。

17、优选的，所述铜桥框架的底面设置有粘片材料，所述铜桥框架通过所述粘片材料与所述导线框架固定连接。

18、上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点或有益效果：

19、一种限位一体化桥接式封装结构，铜桥框架包括主铜桥和副铜桥两部分，在组装本封装结构时，利用同移动吸爪将主铜桥与副铜桥同时吸持，由设备进行定位放置，通过主铜桥和副铜桥与芯片之间的对位，实现一次性对位贴桥，使得芯片、导线框架、铜桥框架一次性完成完整的电性回路，避免二次上焊接设备再进行g极的引线焊接，有效提升了生产效率，解决铜线焊接效率慢，容易导致引线虚焊、断开等隐患问题；另外，采用副铜桥连接芯片g极，替代现有技术的引线焊接，使用焊接焊接，焊接牢固，而且不会存在断裂问题，保证产品品质，且在过电流能力上得到提升，封装后的电子器件不会存在过电流差的问题。

技术特征：

1.一种限位一体化桥接式封装结构，其特征在于：包括导线框架、芯片和铜桥框架；

2.根据权利要求1所述的一种限位一体化桥接式封装结构，其特征在于：所述主铜桥和副铜桥为一体成型结构。

3.根据权利要求1所述的一种限位一体化桥接式封装结构，其特征在于：所述副铜桥的一端向下凸起设置有接触凸点。

4.根据权利要求3所述的一种限位一体化桥接式封装结构，其特征在于：所述接触凸点包括有一层凸台和二层凸点，所述一层凸台沿所述副铜桥的底面向下凸起设置，所述二层凸点沿所述一层凸台的底面向下凸起设置。

5.根据权利要求4所述的一种限位一体化桥接式封装结构，其特征在于：所述一层凸台设置为直径0.05mm-0.1mm的圆形凸台，所述二层凸点设置为直径0.01mm-0.03mm的圆形凸台。

6.根据权利要求4所述的一种限位一体化桥接式封装结构，其特征在于：所述一层凸台的直径尺寸不超过所述芯片的g极宽度的一半。

7.根据权利要求4所述的一种限位一体化桥接式封装结构，其特征在于：所述一层凸台和二层凸点分别通过在所述副铜桥进行冲压成型制备而成。

8.根据权利要求1所述的一种限位一体化桥接式封装结构，其特征在于：所述主铜桥的一侧设置有限位卡口，所述主铜桥通过所述限位卡口与所述芯片卡扣连接。

9.根据权利要求1所述的一种限位一体化桥接式封装结构，其特征在于：所述芯片的上表面设置有塑封料，所述塑封料用于封装所述铜桥框架、芯片以及导线框架。

10.根据权利要求1所述的一种限位一体化桥接式封装结构，其特征在于：所述铜桥框架的底面设置有粘片材料，所述铜桥框架通过所述粘片材料与所述导线框架固定连接。

技术总结
本技术涉及电子器件的技术领域，提出一种限位一体化桥接式封装结构，包括导线框架、芯片和铜桥框架；导线框架包括基座和引脚，基座与引脚电性隔离；芯片设置于基座内；铜桥框架包括主铜桥和副铜桥，主铜桥和副铜桥电性隔离；主铜桥的一端与芯片的S极电性连接，主铜桥的另一端与引脚的S极电性连接；副铜桥的一端与芯片的G极电性连接，副铜桥的另一端与引脚的G极电性连接；本技术铜桥框架包括主铜桥和副铜桥两部分，芯片、导线框架、铜桥框架一次性完成组装，避免二次上焊接设备再进行G极的引线焊接，有效提升了生产效率，解决目前铜线焊接效率低，容易导致铜线虚焊，在使用过程中容易出现铜线断开引起开路的问题。

技术研发人员：林品旺,雏继军,刘耀文,肖志华
受保护的技术使用者：佛山市蓝箭电子股份有限公司
技术研发日：20230404
技术公布日：2024/1/15