半导体结构的制作方法

本申请涉及集成电路，特别是涉及一种半导体结构。

背景技术：

1、随着半导体技术的发展，薄膜晶体管逐步被应用于驱动电路中。薄膜晶体管具有电子迁移率高、关态电流低、均与性好的特点。然而，目前的薄膜晶体管不能很好的与发光单元结合。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对传统技术中的薄膜晶体管不能很好的与发光单元结合的问题提供一种半导体结构。

2、为了实现上述目的，本申请提供了一种半导体结构，包括：

3、外延层，所述外延层包括依次层叠设置的n型半导体层、发光层、p型半导体层；

4、凹槽，位于所述外延层内，将所述外延层分为多个发光单元；

5、隔离介质层，位于所述外延层上表面以及所述凹槽内壁；

6、晶体管结构，位于所述凹槽内的所述隔离介质层上。

7、上述半导体结构将晶体管结构内嵌于发光单元间，使晶体管结构很好的与发光单元进行了结合，简化了工艺步骤，提高了工艺效率，增加了产能。

8、在一个实施例中，所述晶体管结构包括：

9、有源层，位于所述凹槽内的所述隔离介质层上；

10、栅极介质层，位于所述有源层以及所述隔离介质层上；

11、栅极，位于所述栅极介质层上；

12、平坦化介质层，位于所述栅极以及所述栅极介质层上；

13、栅极互连结构，由所述平坦化介质层贯穿至所述栅极；

14、源极互连结构，由所述平坦化介质层贯穿至所述有源层的一端；

15、漏极互连结构，由所述平坦化介质层贯穿至所述有源层的另一端。

16、在一个实施例中，所述晶体管结构包括：

17、有源层，位于所述凹槽内的所述隔离介质层上；

18、第一介质层，位于所述有源层以及所述隔离介质层上；

19、源极以及漏极，均位于所述第一介质层上，且通过位于所述第一介质层内的通孔分别连接所述有源层的两端；

20、第二介质层，位于所述源极、所述漏极以及所述第一介质层上；

21、栅极，位于所述第二介质层上；

22、平坦化介质层，位于所述栅极以及所述第二介质层上；

23、栅极互连结构，由所述平坦化介质层贯穿至所述栅极；

24、源极互连结构，由所述平坦化介质层贯穿至所述源极；

25、漏极互连结构，由所述平坦化介质层贯穿至所述漏极。

26、在一个实施例中，所述晶体管结构包括：

27、栅极，位于所述凹槽内的所述隔离介质层上；

28、栅极介质层，位于所述栅极以及所述隔离介质层上；

29、有源层，位于所述栅极介质层上；

30、平坦化介质层，位于所述有源层以及所述栅极介质层上；

31、栅极互连结构，由所述平坦化介质层贯穿至所述栅极；

32、源极互连结构，由所述平坦化介质层贯穿至所述有源层的一端；

33、漏极互连结构，由所述平坦化介质层贯穿至所述有源层的另一端。

34、在一个实施例中，所述晶体管结构包括：

35、栅极，位于所述凹槽内的所述隔离介质层上；

36、栅极介质层，位于所述栅极以及所述隔离介质层上；

37、有源层，位于所述栅极介质层上；

38、第一介质层，位于所述有源层以及所述栅极介质层上；

39、源极以及漏极，均位于所述第一介质层上，且通过位于所述第一介质层内的通孔分别连接所述有源层的两端；

40、平坦化介质层，位于所述源极、所述漏极以及所述第一介质层上；

41、栅极互连结构，由所述平坦化介质层贯穿至所述栅极；

42、源极互连结构，由所述平坦化介质层贯穿至所述源极

43、漏极互连结构，由所述平坦化介质层贯穿至所述漏极。

44、在一个实施例中，所述晶体管结构还包括：

45、多个阴极通孔，位于相邻所述发光单元之间，且延伸至所述n型半导体层；

46、阴极互连网络，与所述栅极同层设置，且通过所述多个阴极通孔连接所述n型半导体层。

47、在一个实施例中，所述晶体管结构还包括：

48、多个阴极通孔，位于相邻发光单元之间，所述阴极通孔由所述第一介质层延伸至所述n型半导体层；

49、阴极互连网络，与所述源极以及所述漏极同层设置，且通过所述多个阴极通孔连接所述n型半导体层。

50、在一个实施例中，其特征在于，还包括：

51、驱动基板，键合在所述晶体管结构的远离所述隔离介质层的一侧；

52、阴极互连网络，位于所述n型半导体层远离所述发光层的一侧。

53、在一个实施例中，其特征在于，还包括：

54、阳极，由所述平坦化介质层贯穿至所述p型半导体。

55、在一个实施例中，晶体管结构还包括刻蚀阻挡层，所述平坦化介质层位于所述刻蚀阻挡层上，所述源极互连结构经过所述刻蚀阻挡层而贯穿至所述有源层的一端，所述漏极互连结构经过所述刻蚀阻挡层而贯穿至所述有源层的另一端。

技术特征：

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述晶体管结构包括：

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述晶体管结构包括：

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述晶体管结构包括：

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述晶体管结构包括：

6.根据权利要求2-5任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述晶体管结构还包括：

7.根据权利要求3或5所述的半导体结构，其特征在于，所述晶体管结构还包括：

8.根据权利要求2-5任一项所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

9.根据权利要求2-5任一项所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

10.根据权利要求2或4所述的半导体结构，其特征在于，晶体管结构还包括刻蚀阻挡层，所述平坦化介质层位于所述刻蚀阻挡层上，所述源极互连结构经过所述刻蚀阻挡层而贯穿至所述有源层的一端，所述漏极互连结构经过所述刻蚀阻挡层而贯穿至所述有源层的另一端。

技术总结
本申请涉及一种半导体结构，包括：外延层，所述外延层包括依次层叠设置的N型半导体层、发光层、P型半导体层；凹槽，位于所述外延层内，将所述外延层分为多个发光单元；隔离介质层，位于所述外延层上表面以及所述凹槽内壁；晶体管结构，位于所述凹槽内的所述隔离介质层上。在本申请中，将晶体管结构内嵌于发光单元间，使晶体管结构很好的与发光单元进行了结合，简化了工艺步骤，提高了工艺效率，增加了产能。

技术研发人员：籍亚男
受保护的技术使用者：苏州市奥视微科技有限公司
技术研发日：20230406
技术公布日：2024/1/15