一种雪崩光电二极管抗干扰封装结构的制作方法

本申请涉及激光雪崩光电二极管，具体而言，涉及一种雪崩光电二极管抗干扰封装结构。

背景技术：

1、雪崩光电二极管，英文缩写为apd，是一种具有内增益的光生电流器件，它利用光生载流子在强电场内的定向运动，产生的雪崩效应获得光电流的增益。雪崩光电二极管结构精密，规格多种多样。

2、目前，抗干扰的apd封装通常采用lcc陶瓷作为外壳，镀膜的玻璃片作为窄带滤光片，成本较高。例如现有公开号为cn215911432u的一种雪崩光电二极管的贴片封装组件(中国，授权公告日为20220225)，上述方案中，包括封装外壳、升降螺杆、升降块、支撑杆以及雪崩光电二极管，封装外壳的内部安装有雪崩光电二极管，雪崩光电二极管的左端和右端分别安装有引脚，封装外壳的内侧安装有四个升降螺杆，每个升降螺杆的下表面都安装有升降块，升降块的上表面安装有轴承，封装外壳内部的下表面上安装有八个限位杆，每个升降块的下表面都安装有支撑杆，每个支撑杆的下表面都安装有缓冲垫，该设计实现了能够在焊接完成后，根据引脚杆和封装外壳的高度调节支撑杆的高度，使得封装外壳能够始终与电路板保持距离，从而防止电路板与雪崩光电二极管过热。

3、但是上述方案仍然具有一定的缺陷，发明人经研究发现。apd的接收光谱范围较宽，对中心波长附近较大光谱范围以内的入射光具有响应，并且由于其高增益的特性，很容易收到杂散光的干扰，因此，对于部分信噪比要求较高的应用需要增加抗干扰措施。

技术实现思路

1、为了弥补以上不足，本申请提供了一种雪崩光电二极管抗干扰封装结构，旨在改善apd的接收光谱范围较宽，对中心波长附近较大光谱范围以内的入射光具有响应，并且由于其高增益的特性，很容易收到杂散光的干扰，因此，对于部分信噪比要求较高的应用需要增加抗干扰措施的问题。

2、本申请实施例提供了一种雪崩光电二极管抗干扰封装结构，包括主体机构和抗干扰封装机构。

3、所述主体机构包括pcb基板和盖板，所述pcb基板表面与所述盖板底部贴合，所述抗干扰封装机构包括抗干扰部和封装部，所述pcb基板内壁开设有所述抗干扰部，所述封装部设于所述pcb基板和所述盖板贴合处。

4、在一种具体的实施方案中，所述抗干扰部包括倒置锥形槽、金属膜和增透膜，所述pcb基板内壁开设有所述倒置锥形槽，且所述倒置锥形槽内壁还镀有金属高反射膜，所述金属膜和所述增透膜底部与所述盖板表面紧密黏贴，所述增透膜与所述倒置锥形槽对应。

5、在一种具体的实施方案中，所述封装部包括长方形卡槽、长方形卡框和树脂，所述pcb基板表面开设有所述长方形卡槽，所述长方形卡框顶端与所述盖板底部边缘固定连接，且底端与所述长方形卡槽内底部卡接，所述树脂放置在所述长方形卡槽内部。

6、在一种具体的实施方案中，主体机构还包括固定部，所述固定部内壁与所述pcb基板和所述盖板外壁固定连接。

7、在一种具体的实施方案中，所述固定部包括加固框、密封垫和若干固紧螺栓，所述加固框内壁与所述密封垫外壁紧密黏贴，所述密封垫内壁与所述pcb基板表面和所述盖板底部连接处外壁贴合，若干所述固紧螺栓底端分别等间距的贯穿所述加固框和所述密封垫外壁与所述pcb基板和所述盖板外壁固定连接。

8、在一种具体的实施方案中，所述主体机构还包括安装槽，所述盖板表面开设有所述安装槽，且所述安装槽内壁设有所述增透膜，并与所述倒置锥形槽顶端贴合。

9、在一种具体的实施方案中，所述主体机构还包括两个凹槽，所述pcb基板外壁两侧开设有两个所述凹槽。

10、在一种具体的实施方案中，所述主体机构还包括元器件，所述元器件固定端与所述倒置锥形槽内底部固定连接。

11、有益效果：本申请提供了一种雪崩光电二极管抗干扰封装结构，通过pcb基板内壁设有的抗干扰部，再通过pcb基板表面与盖板底部设有的封装部，能够利用pcb基板内壁开设的倒置锥形槽方便安装元器件，并利用黏合在盖板表面的金属膜和增透膜，可以增加雪崩光电二极管的抗干扰效果，通过长方形卡槽内部设有的树脂，再通过长方形卡框与长方形卡槽内部卡接，能够通过树脂把元器件封装在倒置锥形槽内部。

技术特征：

1.一种雪崩光电二极管抗干扰封装结构，其特征在于，包括

2.根据权利要求1所述的一种雪崩光电二极管抗干扰封装结构，其特征在于，所述抗干扰部(210)包括倒置锥形槽(211)、金属膜(212)和增透膜(213)，所述pcb基板(110)内壁开设有所述倒置锥形槽(211)，且所述倒置锥形槽(211)内壁还镀有金属高反射膜，所述金属膜(212)和所述增透膜(213)底部与所述盖板(120)表面紧密黏贴，所述增透膜(213)与所述倒置锥形槽(211)对应。

3.根据权利要求2所述的一种雪崩光电二极管抗干扰封装结构，其特征在于，所述封装部(220)包括长方形卡槽(221)、长方形卡框(222)和树脂(223)，所述pcb基板(110)表面开设有所述长方形卡槽(221)，所述长方形卡框(222)顶端与所述盖板(120)底部边缘固定连接，且底端与所述长方形卡槽(221)内底部卡接，所述树脂(223)放置在所述长方形卡槽(221)内部。

4.根据权利要求3所述的一种雪崩光电二极管抗干扰封装结构，其特征在于，主体机构(10)还包括固定部(130)，所述固定部(130)内壁与所述pcb基板(110)和所述盖板(120)外壁固定连接。

5.根据权利要求4所述的一种雪崩光电二极管抗干扰封装结构，其特征在于，所述固定部(130)包括加固框(131)、密封垫(132)和若干固紧螺栓(133)，所述加固框(131)内壁与所述密封垫(132)外壁紧密黏贴，所述密封垫(132)内壁与所述pcb基板(110)表面和所述盖板(120)底部连接处外壁贴合，若干所述固紧螺栓(133)底端分别等间距的贯穿所述加固框(131)和所述密封垫(132)外壁与所述pcb基板(110)和所述盖板(120)外壁固定连接。

6.根据权利要求5所述的一种雪崩光电二极管抗干扰封装结构，其特征在于，所述主体机构(10)还包括安装槽(140)，所述盖板(120)表面开设有所述安装槽(140)，且所述安装槽(140)内壁设有所述增透膜(213)，并与所述倒置锥形槽(211)顶端贴合。

7.根据权利要求6所述的一种雪崩光电二极管抗干扰封装结构，其特征在于，所述主体机构(10)还包括两个凹槽(150)，所述pcb基板(110)外壁两侧开设有两个所述凹槽(150)。

8.根据权利要求7所述的一种雪崩光电二极管抗干扰封装结构，其特征在于，所述主体机构(10)还包括元器件(160)，所述元器件(160)固定端与所述倒置锥形槽(211)内底部固定连接。

技术总结
本申请提供了一种雪崩光电二极管抗干扰封装结构，属于激光雪崩光电二极管技术领域。该雪崩光电二极管抗干扰封装结构，包括主体机构和抗干扰封装机构。主体机构包括PCB基板和盖板，PCB基板表面与盖板底部贴合，抗干扰封装机构包括抗干扰部和封装部，PCB基板内壁开设有抗干扰部，封装部设于PCB基板和盖板贴合处，在本申请中，旨在改善APD的接收光谱范围较宽，对中心波长附近较大光谱范围以内的入射光具有响应，并且由于其高增益的特性，很容易收到杂散光的干扰，因此，对于部分信噪比要求较高的应用需要增加抗干扰措施的问题。

技术研发人员：孙骏逸
受保护的技术使用者：苏州如涵科技有限公司
技术研发日：20230418
技术公布日：2024/1/12