半蚀刻引线框架的制作方法

本技术涉及半导体封装，特指一种半蚀刻引线框架。

背景技术：

1、在半导体封装技术领域，由于半导体ic产品外形和功能的需要，其生产所使用的引线框架的底部不是平面设计，同时该引线框架的厚度较薄，约在100um左右，从而使得引线框架的底部支撑强度较低。在进行db(贴片)和wb(焊线)工艺时，引线框架会发生不可控的跳动，从而造成虚焊，球脱或上片中心偏移等异常现象，影响了产品的良率。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种半蚀刻引线框架，解决现有的引线框架底部支撑强度较低引发不可控的跳动造成虚焊、球脱或上片中心偏移等异常现象发生，进而影响了产品的良率的问题。

2、实现上述目的的技术方案是：

3、本实用新型提供了一种半蚀刻引线框架，包括：

4、基岛，所述基岛的背面设有凹陷部；

5、设于所述基岛下侧的引脚，所述引脚的背面设有凹入部；以及

6、填充于所述凹陷部、所述凹入部以及所述基岛和所述引脚之间的封装层，所述封装层的下表面与所述基岛及所述引脚的背面相平齐。

7、本实用新型的引线框架设置有封装层，利用封装层填充基岛及引脚背面的凹陷部与凹入部，大大提升了引线框架的平整度，在db和wb工艺中不存在真空吸附不牢，不规则跳动等问题，从而也就不会发生虚焊、球脱或上片中心偏移等异常现象，能够提高产品的良率。

8、本实用新型半蚀刻引线框架的进一步改进在于，位于所述基岛和所述引脚之间的封装层的上表面与所述基岛及所述引脚的正面相平齐。

9、本实用新型半蚀刻引线框架的进一步改进在于，所述基岛包括与所述凹陷部相对应的第一部分以及与所述第一部分连接的第二部分，所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度，且所述第一部分的正面与所述第二部分的正面相平齐。

10、本实用新型半蚀刻引线框架的进一步改进在于，所述基岛的上侧设有与所述第二部分连接的第一连筋，所述第一连筋的厚度与所述第一部分的厚度相一致，且所述第一连筋的正面与所述基岛的正面相平齐。

11、本实用新型半蚀刻引线框架的进一步改进在于，所述基岛的左右两侧设有与所述第一部分连接的第二连筋，所述第二连筋的厚度与所述第一部分的厚度相一致，且所述第二连筋的正面与所述第一部分的正面相平齐。

12、本实用新型半蚀刻引线框架的进一步改进在于，所述引脚的数量有两个，两个引脚之间形成有间隙；

13、所述封装层还填充于两个引脚之间的间隙内。

14、本实用新型半蚀刻引线框架的进一步改进在于，两个引脚的凹入部形成在两个引脚上靠近间隙的一侧。

15、本实用新型半蚀刻引线框架的进一步改进在于，两个引脚上远离间隙的一侧设有第一引脚连筋。

16、本实用新型半蚀刻引线框架的进一步改进在于，两个引脚的下侧设有第二引脚连筋。

17、本实用新型半蚀刻引线框架的进一步改进在于，所述基岛和所述引脚外露在所述封装层外的部分设有镀锡层。

技术特征：

1.一种半蚀刻引线框架，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半蚀刻引线框架，其特征在于，位于所述基岛和所述引脚之间的封装层的上表面与所述基岛及所述引脚的正面相平齐。

3.如权利要求1所述的半蚀刻引线框架，其特征在于，所述基岛包括与所述凹陷部相对应的第一部分以及与所述第一部分连接的第二部分，所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度，且所述第一部分的正面与所述第二部分的正面相平齐。

4.如权利要求3所述的半蚀刻引线框架，其特征在于，所述基岛的上侧设有与所述第二部分连接的第一连筋，所述第一连筋的厚度与所述第一部分的厚度相一致，且所述第一连筋的正面与所述基岛的正面相平齐。

5.如权利要求3所述的半蚀刻引线框架，其特征在于，所述基岛的左右两侧设有与所述第一部分连接的第二连筋，所述第二连筋的厚度与所述第一部分的厚度相一致，且所述第二连筋的正面与所述第一部分的正面相平齐。

6.如权利要求1所述的半蚀刻引线框架，其特征在于，所述引脚的数量有两个，两个引脚之间形成有间隙；

7.如权利要求6所述的半蚀刻引线框架，其特征在于，两个引脚的凹入部形成在两个引脚上靠近间隙的一侧。

8.如权利要求6所述的半蚀刻引线框架，其特征在于，两个引脚上远离间隙的一侧设有第一引脚连筋。

9.如权利要求6所述的半蚀刻引线框架，其特征在于，两个引脚的下侧设有第二引脚连筋。

10.如权利要求1所述的半蚀刻引线框架，其特征在于，所述基岛和所述引脚外露在所述封装层外的部分设有镀锡层。

技术总结
本技术涉及一种半蚀刻引线框架，该引线框架包括：基岛，所述基岛的背面设有凹陷部；设于所述基岛下侧的引脚，所述引脚的背面设有凹入部；以及填充于所述凹陷部、所述凹入部以及所述基岛和所述引脚之间的封装层，所述封装层的下表面与所述基岛及所述引脚的背面相平齐。本技术的引线框架设置有封装层，利用封装层填充基岛及引脚背面的凹陷部与凹入部，大大提升了引线框架的平整度，在DB和WB工艺中不存在真空吸附不牢，不规则跳动等问题，从而也就不会发生虚焊、球脱或上片中心偏移等异常现象，能够提高产品的良率。

技术研发人员：孙彬,孙静,李文学
受保护的技术使用者：青岛泰睿思微电子有限公司
技术研发日：20230418
技术公布日：2024/1/15