一种晶圆键合系统的制作方法

本技术涉及集成电路制造，尤其涉及一种晶圆键合系统。

背景技术：

1、在晶圆键合工艺中，晶圆键合对准精度和键合扭曲度是表征晶圆键合质量的关键参数。其中，键合扭曲度可以表征键合后的晶圆产生的形变量的大小。键合过程中，顶针作用于上晶圆时，理想的形变量是关于上晶圆的中心对称。而由于传片误差的因素，会使晶圆中心与卡盘及顶针中心不重合，进而恶化晶圆边缘区域的扭曲度。

2、为了解决晶圆中心与顶针重合的问题，现有技术中通过控制单元来控制并移动顶针至晶圆中心，但该方案的缺陷是不能使晶圆与卡盘及顶针中心三者重合。

技术实现思路

1、为了解决现有技术中的问题，本实用新型提供了一种晶圆键合系统，该系统包括：卡盘、移动平台、传片吸针组件、转接环、转接板以及顶针。

2、所述卡盘用于传送第一晶圆。

3、所述顶针固定于所述卡盘上，用于下压所述第一晶圆，以实现所述第一晶圆和第二晶圆的键合。

4、所述移动平台，位于所述卡盘上，用于带动所述传片吸针组件移动，进而将所述第一晶圆的中心位置调整到与所述卡盘的中心位置重合。

5、所述转接板与所述转接环连接。

6、所述转接环与所述移动平台相连。

7、所述传片吸针组件连接于所述转接环，所述传片吸针组件吸附或释放所述第一晶圆。

8、在一个实施例中，所述顶针固定在所述卡盘的中心位置。

9、在一个实施例中，晶圆键合系统还包括一键合机台，用于承载待与所述第一晶圆键合的所述第二晶圆。

10、在一个实施例中，所述移动平台包括xy向移动平台和z向移动平台；

11、所述xy向移动平台设置于所述卡盘上方，使所述xy向移动平台上的组件在xy方向进行移动。

12、在一个实施例中，所述转接板设置在所述xy向移动平台上方，用于连接所述xy向移动平台和所述z向移动平台并用于z向的升降运动。

13、在一个实施例中，所述第一晶圆的中心位置调整到与所述卡盘的中心位置重合的过程为：所述z向移动平台带动所述转接环移动并进而带动所述传片吸针组件向下移动，到达传片高度后，吸住所述第一晶圆，所述z向移动平台带动所述第一晶圆向上移动，将要接触所述卡盘时停住，计算所述第一晶圆的中心偏移量，所述xy移动平台带动其上的部件整体补偿该中心偏移量，将所述第一晶圆的中心调整至所述卡盘中心后，所述卡盘吸附所述第一晶圆，所述传片吸针组件释放真空，所述z向移动平台带动所述传片吸针组件吸针向上移动，完成调整，最终使得所述第一晶圆的中心与所述卡盘的中心及所述顶针重合。

14、在一个实施例中，所述传片吸针组件包括多个传片吸针，每个传片吸针上设有真空吸附孔，用于吸附所述第一晶圆，并受所述移动平台带动调整第一晶圆的位置。

15、在一个实施例中，所述转接板为l型。

16、在一个实施例中，所述转接环为三角形，所述转接环的一边与所述转接板的一端连接。

17、在一个实施例中，所述传片吸针组件包括三个传片吸针，分别固定在所述转接环的三个角。

18、本实用新型的晶圆键合系统能够使得晶圆中心、卡盘中心以及顶针三者重合，解决了键合扭曲度的问题，显著提高了晶圆键合质量。

技术特征：

1.一种晶圆键合系统，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的晶圆键合系统，其特征在于，所述顶针固定在所述卡盘的中心位置。

3.如权利要求1所述的晶圆键合系统，其特征在于，还包括一键合机台，用于承载待与所述第一晶圆键合的所述第二晶圆。

4.如权利要求1所述的晶圆键合系统，其特征在于，所述移动平台包括xy向移动平台和z向移动平台；

5.如权利要求4所述的晶圆键合系统，其特征在于，所述转接板设置在所述xy向移动平台上方，用于连接所述xy向移动平台和所述z向移动平台并用于z向的升降运动。

6.如权利要求1所述的晶圆键合系统，其特征在于，所述传片吸针组件包括多个传片吸针，每个传片吸针上设有真空吸附孔，用于吸附所述第一晶圆，并受所述移动平台带动调整第一晶圆的位置。

7.如权利要求1所述的晶圆键合系统，其特征在于，所述转接板为l型。

8.如权利要求1所述的晶圆键合系统，其特征在于，所述转接环为三角形，所述转接环的一边与所述转接板的一端连接。

9.如权利要求8所述的晶圆键合系统，其特征在于，所述传片吸针组件包括三个传片吸针，分别固定在所述转接环的三个角。

技术总结
本技术公开了一种晶圆键合系统，包括卡盘、移动平台、传片吸针组件、转接环、转接板以及顶针。所述卡盘用于传送第一晶圆；所述顶针固定于所述卡盘上，用于下压所述第一晶圆，以实现所述第一晶圆和第二晶圆的键合；所述移动平台，位于所述卡盘上，用于带动所述传片吸针组件移动，进而将所述第一晶圆的中心位置调整到与所述卡盘的中心位置重合；所述转接板与所述转接环连接；所述转接环与所述移动平台相连；所述传片吸针组件吸附或释放所述第一晶圆，所述传片吸针组件连接于所述转接环。

技术研发人员：王茁
受保护的技术使用者：拓荆键科（海宁）半导体设备有限公司
技术研发日：20230421
技术公布日：2024/1/15