SPINAND闪存存储系统的制作方法

本申请涉及半导体存储器，具体涉及一种spi nand闪存存储系统。

背景技术：

1、nand闪存器件，以其低成本、容量大、改写速度快等性能优势，适用于大量数据的存储，在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、mp3随身听记忆卡、体积小巧的u盘等。

2、相关技术中nand闪存裸片，其接口类型通常为并行接口，而该结构的nand闪存在进行数据传输时各通道之间存在干扰，数据传输速度受限，并且由于该结构的nand闪存具有较多的管脚，从而导致其与控制芯片合封后的产品面积较大，使得通信走线的长度和数量增加，进一步限制数据的传输速度。

技术实现思路

1、本申请提供了一种spi nand闪存存储系统，可以解决相关技术中数据的问题。

2、为了解决背景技术中所述的技术问题，本申请提供一种spi nand闪存存储系统，所述spi nand闪存存储系统包括：nand闪存芯片、spi芯片、引线框架载体和合封层；

3、所述引线框架载体包括位于中部的载片区和位于所述载片区外周的引脚区，所述框架引脚区中设有多个框架引脚；

4、所述nand闪存芯片通过第一粘接层粘附在所述载片区的正面；

5、所述spi芯片通过第二粘接层粘附在所述nand闪存芯片的正面；

6、所述nand闪存芯片通过多条第一引线连接所述spi芯片，所述spi芯片通过多条第二引线对应连接所述框架引脚；

7、所述nand闪存芯片、spi芯片、引线框架载体和第一引线、第二引线封装于所述合封层中。

8、可选地，所述框架引脚包括焊接区，所述焊接区的一侧设有合封固定结构；

9、所述合封固定结构包括从所述焊接区的一侧延伸出的上固定片，以及与所述上固定片相对设置的下固定片；

10、所述上固定片中形成有合封固定孔，所述上固定片与所述下固定片之间形成有固定缝隙；

11、形成所述合封层的合封材料填充满所述合封固定孔和所述固定缝隙。

12、可选地，靠近所述固定缝隙的下固定片表面上形成颗粒区，所述颗粒区中形成若干突起状颗粒。

13、可选地，所述载片区的背面形成有散热层。

14、可选地，所述散热层的材质包括金属锡。

15、可选地，所述第二引线的跨接高度高于所述第一引线的跨接高度。

16、可选地，所述nand闪存芯片上形成闪存引脚区，所述spi芯片上形成spi引脚区；

17、所述spi芯片设置于所述nand闪存芯片形成有所述闪存引脚区的一侧与所述nand闪存芯片的中心之间。

18、可选地，所述spi芯片形成有所述spi引脚区的一侧朝向所述nand闪存芯片的闪存引脚区。

19、可选地，所述第一粘接层包括若干个粘接区，相邻所述粘接区之间互相间隔。

20、可选地，所述第二粘接层包括若干个粘接区，相邻所述粘接区之间互相间隔。

21、本申请技术方案，至少包括如下优点：通过将nand闪存芯片通过第一粘接层粘附在所述载片区的正面，将spi芯片通过第二粘接层粘附在所述nand闪存芯片的正面，nand闪存芯片通过多条第一引线连接所述spi芯片，所述spi芯片通过多条第二引线对应连接所述框架引脚，nand闪存芯片、spi芯片、引线框架载体和第一引线、第二引线封装于所述合封层中，能够将nand闪存芯片的引脚的数量缩小为框架引脚的数量，且能够缩小器件的所占面积，缩短芯片之间的走线长度，从而能够提高通信速率。

技术特征：

1.一种spi nand闪存存储系统，其特征在于，所述spi nand闪存存储系统包括：nand闪存芯片、spi芯片、引线框架载体和合封层；

2.如权利要求1所述的spi nand闪存存储系统，其特征在于，所述框架引脚包括焊接区，所述焊接区的一侧设有合封固定结构；

3.如权利要求2所述的spi nand闪存存储系统，其特征在于，靠近所述固定缝隙的下固定片表面上形成颗粒区，所述颗粒区中形成若干突起状颗粒。

4.如权利要求1所述的spi nand闪存存储系统，其特征在于，所述载片区的背面形成有散热层。

5.如权利要求4所述的spi nand闪存存储系统，其特征在于，所述散热层的材质包括金属锡。

6.如权利要求1所述的spi nand闪存存储系统，其特征在于，所述第二引线的跨接高度高于所述第一引线的跨接高度。

7.如权利要求1所述的spi nand闪存存储系统，其特征在于，所述nand闪存芯片上形成闪存引脚区，所述spi芯片上形成spi引脚区；

8.如权利要求7所述的spi nand闪存存储系统，其特征在于，所述spi芯片形成有所述spi引脚区的一侧朝向所述nand闪存芯片的闪存引脚区。

9.如权利要求1所述的spi nand闪存存储系统，其特征在于，所述第一粘接层包括若干个粘接区，相邻所述粘接区之间互相间隔。

10.如权利要求1所述的spi nand闪存存储系统，其特征在于，所述第二粘接层包括若干个粘接区，相邻所述粘接区之间互相间隔。

技术总结
本申请涉及半导体存储器技术领域，具体涉及一种SPI NAND闪存存储系统。SPI NAND闪存存储系统包括：NAND闪存芯片、SPI芯片、引线框架载体和合封层；所述引线框架载体包括位于中部的载片区和位于所述载片区外周的引脚区，所述框架引脚区中设有多个框架引脚；所述NAND闪存芯片通过第一粘接层粘附在所述载片区的正面；所述SPI芯片通过第二粘接层粘附在所述NAND闪存芯片的正面；所述NAND闪存芯片通过多条第一引线连接所述SPI芯片，所述SPI芯片通过多条第二引线对应连接所述框架引脚；所述NAND闪存芯片、SPI芯片、引线框架载体和第一引线、第二引线封装于所述合封层中。本申请提供的SPI NAND闪存存储系统，可以解决相关技术中数据的问题。

技术研发人员：黎江南,刘焱
受保护的技术使用者：联和存储科技（江苏）有限公司
技术研发日：20230510
技术公布日：2024/1/15