高密度集成电路引线框架设备的蚀刻喷射机构的制作方法

本技术涉及半导体集成电路引线框架蚀刻制造，尤其涉及高密度集成电路引线框架设备的蚀刻喷射机构。

背景技术：

1、在半导体引线框架制造技术领域中，用蚀刻技术将金属素材制造加工成多种多样的高科技领域所需的精密半导体电子产品成为目前十分重要的课题。例如，半导体集成电路的重要技术核心，芯片制造技术是高尖端科学技术发展的重要基础及核心组成部分；半导体引线框架作为集成电路的芯片载体，是电子信息产业中重要的基础原材料；因而半导体引线框架制造技术是制造高精密半导体集成电路的重要基础材料。

2、蚀刻工艺的基本原理是利用化学感光材料的光敏特性，在铜带上形成抗蚀刻掩膜，通过腐蚀溶液蚀刻掉部分金属，得到所需的产品。

3、现有的蚀刻工艺中需要采用喷头喷射蚀刻液体进行加工，大部分的喷头都是无法移动，通过移动引线框架来进行喷射到指定位置，提高喷射的均匀性，药水能够较为均匀地与引线框架发生反应，而一些引线框架为连续不断的长条带，因此无法对引线框架进行移动，会影响到蚀刻的效果。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于针对现有技术的不足提供高密度集成电路引线框架设备的蚀刻喷射机构。

2、为实现上述目的，本实用新型的技术方案如下：

3、高密度集成电路引线框架设备的蚀刻喷射机构，包括蚀刻箱，蚀刻箱设置有供引线框架进出的通过口以及对引线框架前进输送的蚀刻通道，蚀刻通道沿途布置有对经过引线框架喷射液体的蚀刻组件，蚀刻组件包括支撑件以及带动支撑件往复移动的移动驱动件，支撑件安装有多个可朝向于引线框架喷射液体的喷射头。

4、进一步的：支撑件包括支撑架以及供支撑架滑动的导向板，支撑架上布置有多个底部喷射管，每个底部喷射管安装有多个所述喷射头。

5、进一步的：导向板垂直于引线框架的前进方向布置，导向板沿其长度方向开设有滑动通道，支撑架安装有与滑动通道滚动配合的导向滚动轮。

6、进一步的：移动驱动件包括可转动的驱动轴，驱动轴安装有偏心轮，偏心轮嵌套有曲柄件，曲柄件一端与支撑架连接。

7、进一步的：偏心轮开设有供驱动轴插入的偏心孔，曲柄件包括曲柄块，曲柄块成型有用于安装偏心轮的驱动槽，偏心轮与驱动槽滚动配合。

8、进一步的：驱动槽的内环壁安装有多个与偏心轮滚动配合的凸轮滚珠，驱动槽顶部安装有将凸轮滚珠折叠的遮挡盖，曲柄块一端安装有连接轴，连接轴一端可转动地安装在支撑架上。

9、进一步的：蚀刻组件的支撑件分别布置于蚀刻通道上方和下方，支撑架还安装有多个顶部通液管，顶部通液管垂直于底部喷射管布置，顶部通液管与底部喷射管连通。

10、进一步的：蚀刻通道包括沿蚀刻箱长度方向布置的蚀刻输送板，蚀刻输送板沿其长度方向间隔地设置有安装结构，安装结构可拆卸地布置有蚀刻输送辊，至少一个以上的安装结构安装有两个对引线框架进行辊压输送的蚀刻输送辊。

11、进一步的：其中位于蚀刻输送板两端的所述蚀刻输送辊沿其长度方向嵌套有导向胶辊。

12、进一步的：蚀刻输送辊沿其长度方向嵌套有多个间隔布置的滚轮套。

13、本实用新型的有益效果：需要蚀刻的引线框架经通过口进入到蚀刻箱，蚀刻通道对引线框架前进输送，蚀刻组件工作，安装有多个喷射头的支撑件对经过引线框架喷射药水进行蚀刻，且通过该移动驱动件带动支撑件往复移动，使得喷射头喷出的药水能够较为均匀地与引线框架发生反应，无需移动引线框架，保证蚀刻工艺的稳定性。

技术特征：

1.高密度集成电路引线框架设备的蚀刻喷射机构，包括蚀刻箱，蚀刻箱设置有供引线框架进出的通过口以及对引线框架前进输送的蚀刻通道，其特征在于：所述蚀刻通道沿途布置有对经过引线框架喷射液体的蚀刻组件，蚀刻组件包括支撑件以及带动支撑件往复移动的移动驱动件，支撑件安装有多个可朝向于引线框架喷射液体的喷射头。

2.根据权利要求1所述的高密度集成电路引线框架设备的蚀刻喷射机构，其特征在于：所述支撑件包括支撑架以及供支撑架滑动的导向板，支撑架上布置有多个底部喷射管，每个底部喷射管安装有多个所述喷射头。

3.根据权利要求2所述的高密度集成电路引线框架设备的蚀刻喷射机构，其特征在于：所述导向板垂直于引线框架的前进方向布置，导向板沿其长度方向开设有滑动通道，支撑架安装有与滑动通道滚动配合的导向滚动轮。

4.根据权利要求1所述的高密度集成电路引线框架设备的蚀刻喷射机构，其特征在于：所述移动驱动件包括可转动的驱动轴，驱动轴安装有偏心轮，偏心轮嵌套有曲柄件，曲柄件一端与支撑架连接。

5.根据权利要求4所述的高密度集成电路引线框架设备的蚀刻喷射机构，其特征在于：所述偏心轮开设有供驱动轴插入的偏心孔，曲柄件包括曲柄块，曲柄块成型有用于安装偏心轮的驱动槽，偏心轮与驱动槽滚动配合。

6.根据权利要求5所述的高密度集成电路引线框架设备的蚀刻喷射机构，其特征在于：所述驱动槽的内环壁安装有多个与偏心轮滚动配合的凸轮滚珠，驱动槽顶部安装有将凸轮滚珠折叠的遮挡盖，曲柄块一端安装有连接轴，连接轴一端可转动地安装在支撑架上。

7.根据权利要求1所述的高密度集成电路引线框架设备的蚀刻喷射机构，其特征在于：所述蚀刻组件的支撑件分别布置于蚀刻通道上方和下方，支撑架还安装有多个顶部通液管，顶部通液管垂直于底部喷射管布置，顶部通液管与底部喷射管连通。

8.根据权利要求7所述的高密度集成电路引线框架设备的蚀刻喷射机构，其特征在于：所述蚀刻通道包括沿蚀刻箱长度方向布置的蚀刻输送板，蚀刻输送板沿其长度方向间隔地设置有安装结构，安装结构可拆卸地布置有蚀刻输送辊，至少一个以上的安装结构安装有两个对引线框架进行辊压输送的蚀刻输送辊。

9.根据权利要求8所述的高密度集成电路引线框架设备的蚀刻喷射机构，其特征在于：其中位于蚀刻输送板两端的所述蚀刻输送辊沿其长度方向嵌套有导向胶辊。

10.根据权利要求8所述的高密度集成电路引线框架设备的蚀刻喷射机构，其特征在于：所述蚀刻输送辊沿其长度方向嵌套有多个间隔布置的滚轮套。

技术总结
本技术涉及半导体集成电路引线框架蚀刻制造技术领域，尤其涉及高密度集成电路引线框架设备的蚀刻喷射机构，包括蚀刻箱，蚀刻箱设置有通过口以及对引线框架前进输送的蚀刻通道，蚀刻通道沿途布置有对经过引线框架喷射液体的蚀刻组件，蚀刻组件包括支撑件以及带动支撑件往复移动的移动驱动件，支撑件安装有多个可朝向于引线框架喷射液体的喷射头；需要蚀刻的引线框架经通过口进入到蚀刻箱，蚀刻通道对引线框架前进输送，蚀刻组件工作，安装有多个喷射头的支撑件对经过引线框架喷射药水进行蚀刻，且通过该移动驱动件带动支撑件往复移动，使得喷射头喷出的药水能够较为均匀地与引线框架发生反应，无需移动引线框架，保证蚀刻工艺的稳定性。

技术研发人员：苏骞,孟敏,林郁贤
受保护的技术使用者：东莞奥美特科技有限公司
技术研发日：20230517
技术公布日：2024/1/15