一种铝盘下盖及包括该铝盘下盖的晶圆料盘的制作方法

本技术涉及晶圆加工，尤其涉及一种铝盘下盖及包括该铝盘下盖的晶圆料盘。

背景技术：

1、晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。晶圆在生产加工过程中，依据加工工艺需求，需要进行晶圆的icp刻蚀加工，icp刻蚀工艺前，通常需要将晶圆排列放置到料盘内，此过程称为晶圆的上片，以便于在刻蚀加工时，将承载有晶圆的整个料盘放入等离子刻蚀机中进行刻蚀加工。

2、晶圆料盘包括铝盘下盖和铝盘上盖，使用时，将晶圆排列放置到铝盘下盖上，然后将铝盘上盖定位扣合到铝盘下盖上并固定即可；为实现铝盘上盖和铝盘下盖的定位扣合，通常在铝盘下盖上设有定位块，在铝盘上盖上开设与定位块相适配的定位孔，利用定位块和定位块实现铝盘上盖于铝盘下盖上的定位扣合。

3、目前，刻蚀用的铝盘下盖1，其定位块101通常为一体成型结构，如图1所示；在刻蚀加工过程中，铝盘下盖1的定位块101受到等离子体的轰击会逐渐变矮，定位块101变矮达到一定的程度后，便无法对铝盘上盖的安装位置进行纠偏，此时如果铝盘下盖继续使用，铝盘上盖倾斜后无法进行纠正，进而使铝盘上盖压迫晶圆产生裂片，故定位块是决定铝盘下盖使用寿命的关键之一。铝盘下盖因定位柱变矮无法继续使用后，虽然铝盘下盖其余部分仍可继续使用，但仍会导致铝盘下盖的报废，造成铝盘下盖使用的浪费。通过增加铝盘的厚度虽然可使得铝盘下盖的使用寿命得到延长，但铝盘厚度增加的同时，又会使得铝盘制作成本较高，故在权衡综合成本后，通常将铝盘下盖按照8mm的厚度进行加工，因此，目前的铝盘下盖结构，在其定位块变矮达到无法继续使用的程度后，只能被迫进行铝盘下盖的报废。

技术实现思路

1、为了克服上述所指出的现有技术的缺陷，本发明人对此进行了深入研究，在付出了大量创造性劳动后，从而完成了本实用新型。

2、具体而言，本实用新型所要解决的技术问题是：提供一种铝盘下盖及包括该铝盘下盖的晶圆料盘，以解决目前的铝盘下盖结构，定位块变矮达到无法继续使用的程度后，只能被迫进行铝盘下盖的报废，导致铝盘下盖使用寿命低的技术问题。

3、为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是：

4、一种铝盘下盖，包括盖体，所述盖体上具有若干均匀排列设置的晶圆限位环，所述晶圆限位环围设成与晶圆相适配的晶圆放置槽，所述盖体上设有至少一个嵌入式定位块，所述嵌入式定位块包括一体成型的嵌装部和定位部，且所述嵌入式定位块上开设有一沉孔，所述盖体上开设有与所述嵌装部相适配的定位块安装槽，所述嵌入式定位块通过所述嵌装部和所述定位块安装槽嵌装于所述盖体上，并利用贯穿所述沉孔的紧固螺栓固定。

5、作为一种改进的技术方案，所述嵌入式定位块设有两个，两个所述嵌入式定位块分别靠近所述盖体的边缘设置。

6、作为一种改进的技术方案，所述定位块安装槽的侧边具有用以实现所述嵌入式定位块定位安装的定位槽口，所述嵌装部具有与所述定位槽口相适配的定位凸起。

7、作为一种改进的技术方案，所述定位块安装槽的底面开设有密封圈安装槽，所述密封圈安装槽内安装有密封圈，且所述嵌装部的底面开设有密封圈避让槽。

8、作为一种改进的技术方案，所述盖体上于所述定位块安装槽位置处还开设有安装孔，所述盖体通过所述安装孔固定安装有丝扣，所述嵌入式定位块处于安装状态时，所述丝扣与所述沉孔对应设置。

9、本实用新型同时公开了一种晶圆料盘，包括如上述所述的铝盘下盖，还包括铝盘上盖，所述铝盘上盖开设有与所述嵌入式定位块对应设置的定位孔，所述定位孔与所述嵌入式定位块的定位部相适配，所述铝盘上盖上还开设有分别与所述晶圆放置槽对应设置的晶圆刻蚀口，且所述铝盘上盖上沿所述晶圆刻蚀口的周向设有若干压爪。

10、作为一种改进的技术方案，所述铝盘上盖的内侧于所述晶圆刻蚀口对应位置处均开设有避让槽，所述铝盘上盖的外侧沿所述晶圆刻蚀口的周向开设有若干导流槽。

11、采用了上述技术方案后，本实用新型的有益效果是：

12、（1）该铝盘下盖，便于实现嵌入式定位块的拆装更换，且拆装更换操作简单方便，在不改变腔室刻蚀环境、保障刻蚀稳定性的前提下，通过对嵌入式定位块进行更换的方式，大大延长了铝盘下盖的使用寿命。

13、（2）设有的定位槽口和定位凸起，在便于嵌入式定位块定位安装的同时，能够实现嵌入式定位块周向上的限位，避免嵌入式定位块安装后旋转；紧固螺栓于沉孔内安装，安装后位于嵌入式定位块内，不会对铝盘下盖后续的定位使用造成干涉。

14、（3）安装有的密封圈，能够实现有效密封，防止氦气泄露，从而避免了因氦气泄露而导致等离子刻蚀不稳定现象的发生。

15、（4）安装的丝扣，能够防止铝盘下盖的螺纹磨损，便于后续嵌入式定位块的拆装更换，提高嵌入式定位块的更换次数。

16、（5）该晶圆料盘，结构简单，便于晶圆的定位放置以及铝盘下盖和铝盘上盖的定位扣合，晶圆刻蚀口实现晶圆与腔室内的等离子体的接触，便于实现晶圆于腔室环境内的稳定刻蚀。

17、（6）铝盘上盖上开设有的避让槽用以实现对所述晶圆限位环的避让，铝盘上盖上开设有的导流槽使得铝盘上盖的晶圆刻蚀口的边缘厚度减小，大大降低了气流的边缘效应的影响。

技术特征：

1.一种铝盘下盖，包括盖体，所述盖体上具有若干均匀排列设置的晶圆限位环，所述晶圆限位环围设成与晶圆相适配的晶圆放置槽，其特征在于：所述盖体上设有至少一个嵌入式定位块，所述嵌入式定位块包括一体成型的嵌装部和定位部，且所述嵌入式定位块上开设有一沉孔，所述盖体上开设有与所述嵌装部相适配的定位块安装槽，所述嵌入式定位块通过所述嵌装部和所述定位块安装槽嵌装于所述盖体上，并利用贯穿所述沉孔的紧固螺栓固定。

2.如权利要求1所述的铝盘下盖，其特征在于：所述嵌入式定位块设有两个，两个所述嵌入式定位块分别靠近所述盖体的边缘设置。

3.如权利要求1所述的铝盘下盖，其特征在于：所述定位块安装槽的侧边具有用以实现所述嵌入式定位块定位安装的定位槽口，所述嵌装部具有与所述定位槽口相适配的定位凸起。

4.如权利要求3所述的铝盘下盖，其特征在于：所述定位块安装槽的底面开设有密封圈安装槽，所述密封圈安装槽内安装有密封圈，且所述嵌装部的底面开设有密封圈避让槽。

5.如权利要求4所述的铝盘下盖，其特征在于：所述盖体上于所述定位块安装槽位置处还开设有安装孔，所述盖体通过所述安装孔固定安装有丝扣，所述嵌入式定位块处于安装状态时，所述丝扣与所述沉孔对应设置。

6.一种晶圆料盘，其特征在于：包括如权利要求1所述的铝盘下盖，还包括铝盘上盖，所述铝盘上盖开设有与所述嵌入式定位块对应设置的定位孔，所述定位孔与所述嵌入式定位块的定位部相适配，所述铝盘上盖上还开设有分别与所述晶圆放置槽对应设置的晶圆刻蚀口，且所述铝盘上盖上沿所述晶圆刻蚀口的周向设有若干压爪。

7.如权利要求6所述的晶圆料盘，其特征在于：所述铝盘上盖的内侧于所述晶圆刻蚀口对应位置处均开设有避让槽，所述铝盘上盖的外侧沿所述晶圆刻蚀口的周向开设有若干导流槽。

技术总结
本技术属于晶圆加工技术领域，提供了一种铝盘下盖及包括该铝盘下盖的晶圆料盘，铝盘下盖包括盖体，盖体上具有若干均匀排列设置的晶圆限位环，晶圆限位环围设成晶圆放置槽，盖体上设有至少一个嵌入式定位块，嵌入式定位块包括一体成型的嵌装部和定位部，且嵌入式定位块上开设有一沉孔，盖体上开设有与嵌装部相适配的定位块安装槽，嵌入式定位块通过嵌装部和定位块安装槽嵌装于盖体上，并利用紧固螺栓固定。晶圆料盘包括如上述所述的铝盘下盖，还包括铝盘上盖，铝盘上盖开设有与嵌入式定位块对应设置的定位孔。本技术在不改变腔室刻蚀环境、保障刻蚀稳定性的前提下，通过对嵌入式定位块进行更换的方式，大大延长了铝盘下盖的使用寿命。

技术研发人员：席光义,刘志刚,娄文海,席庆男,于瑞冬,玄成帅,何帅,王岳恒
受保护的技术使用者：元旭半导体科技股份有限公司
技术研发日：20230522
技术公布日：2024/1/12