一种倒装miniLED芯片的制作方法

本技术属于led芯片的，具体地涉及一种倒装mini led芯片。

背景技术：

1、随着人们对显示屏显示效果越来越高的要求，led显示从开始的lcd显示到后来红绿蓝三色led芯片直接显示、小间距显示、再到现在的全倒装mini led芯片显示，显示屏点间距越来越小，清晰度、对比度越来越高，这些技术的发展，同时伴随的就是led芯片尺寸越来越小。

2、随着芯片尺寸的减小，相应的芯片焊盘的尺寸也必须减小，焊盘减小，导致芯片焊接与pcb板的粘合力急剧减小，因此需要将mini led芯片焊接在pcb上，但后续在led芯片上封胶、烘烤胶的过程中，由于胶的应力变化，容易出现mini led芯片从pcb板上扯下的情况，最终导致显示屏花屏，观看效果较差。

技术实现思路

1、为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种倒装mini led芯片，用于解决上述背景技术所提出的技术问题。

2、该实用新型提供以下技术方案，一种倒装mini led芯片，包括衬底以及依次层叠于所述衬底上的外延层、导电电极层、布拉格反射层与焊盘层，所述布拉格反射层上设有若干布拉格反射通孔，所述焊盘层设于所述布拉格反射通孔内且所述焊盘层部分覆盖所述布拉格反射层，所述焊盘层经所述布拉格反射通孔与所述导电电极层连接；

3、其中，所述布拉格反射层包括m个沿层叠方向周期性交替排布的sio2层与tio2层，所述布拉格反射层上设有第一沟槽，所述第一沟槽设于最后一个周期的所述tio2层上，所述焊盘层靠近所述布拉格反射层的一侧设有ti金属层，所述ti金属层设于所述第一沟槽上，以使所述ti金属层填充所述第一沟槽，所述焊盘层的上方设有第二沟槽，所述第二沟槽与所述第一沟槽结构一致。

4、相比现有技术，本申请的有益效果为：本申请通过ti金属层与tio2层极强的粘附力，可增加焊盘层与布拉格反射层之间的粘附力，同时通过在布拉格反射层上设置第一沟槽，可增加ti金属层与tio2层之间的接触面积，进一步增加了焊盘层与布拉格发射层之间的粘附力，且在焊盘层上设置有第二沟槽，在利用电子束蒸镀技术制备焊盘层时，焊盘层也会复制与第一沟槽相同的第二沟槽，通过第二沟槽可增加焊盘层与pcb焊料之间的接触面积，进而增强了焊盘层与pcb板的粘附力，使得该倒装mini led芯片不易从pcb板上脱落。

5、较佳地，所述sio2层与所述tio2层交替排布的周期m取值范围为：20≤m≤40。

6、较佳地，所述外延层包括依次层叠于所述衬底上的n型半导体层、有源发光层、p型半导体层。

7、较佳地，所述导电电极层包括p型导电电极层和n型导电电极层，所述p型导电电极层设于所述p型半导体层上，所述n型导电电极层设于所述n型半导体层上。

8、较佳地，所述p型导电电极层与所述p型半导体层之间设有电流阻挡层与电流扩展层。

9、较佳地，所述焊盘层包括n型焊盘与p型焊盘，若干所述布拉格反射通孔包括n型布拉格反射通孔与p型布拉格反射通孔，所述n型布拉格反射通孔设于所述n型焊盘与所述n型导电电极层之间，所述p型布拉格反射通孔设于所述p型焊盘与所述p型导电电极层之间。

10、较佳地，所述第一沟槽在所述布拉格反射层上的所占面积为所述焊盘层在所述布拉格反射层上投影面积的20％-50％，沿层叠方向所述第一沟槽的宽度逐渐递增。

技术特征：

1.一种倒装mini led芯片，其特征在于，包括衬底以及依次层叠于所述衬底上的外延层、导电电极层、布拉格反射层与焊盘层，所述布拉格反射层上设有若干布拉格反射通孔，所述焊盘层设于所述布拉格反射通孔内且所述焊盘层部分覆盖所述布拉格反射层，所述焊盘层经所述布拉格反射通孔与所述导电电极层连接；

2.根据权利要求1所述的倒装mini led芯片，其特征在于，所述sio2层与所述tio2层交替排布的周期m取值范围为：20≤m≤40。

3.根据权利要求1所述的倒装mini led芯片，其特征在于，所述外延层包括依次层叠于所述衬底上的n型半导体层、有源发光层、p型半导体层。

4.根据权利要求3所述的倒装mini led芯片，其特征在于，所述导电电极层包括p型导电电极层和n型导电电极层，所述p型导电电极层设于所述p型半导体层上，所述n型导电电极层设于所述n型半导体层上。

5.根据权利要求4所述的倒装mini led芯片，其特征在于，所述p型导电电极层与所述p型半导体层之间设有电流阻挡层与电流扩展层。

6.根据权利要求4所述的倒装mini led芯片，其特征在于，所述焊盘层包括n型焊盘与p型焊盘，若干所述布拉格反射通孔包括n型布拉格反射通孔与p型布拉格反射通孔，所述n型布拉格反射通孔设于所述n型焊盘与所述n型导电电极层之间，所述p型布拉格反射通孔设于所述p型焊盘与所述p型导电电极层之间。

7.根据权利要求1所述的倒装mini led芯片，其特征在于，所述第一沟槽在所述布拉格反射层上的所占面积为所述焊盘层在所述布拉格反射层上投影面积的20％-50％，沿层叠方向所述第一沟槽的宽度逐渐递增。

技术总结
本技术提供了一种倒装mini LED芯片，包括衬底以及依次层叠于所述衬底上的外延层、导电电极层、布拉格反射层与焊盘层；所述布拉格反射层包括M个沿层叠方向周期性交替排布的SiO<subgt;2</subgt;层与TiO<subgt;2</subgt;层，所述布拉格反射层上设有第一沟槽，所述焊盘层靠近所述布拉格反射层的一侧设有Ti金属层，所述焊盘层的上方设有第二沟槽，本申请增强了焊盘层与PCB板的粘附力，使得该倒装mini LED芯片不易从PCB板上脱落。

技术研发人员：李文涛,鲁洋,林潇雄,胡加辉,金从龙
受保护的技术使用者：江西兆驰半导体有限公司
技术研发日：20230525
技术公布日：2024/1/14