本技术涉及mos管,具体为一种mos管压接装置。
背景技术:
1、mos,mosfet金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管。
2、经检索,中国专利申请号为cn215069949u的专利,公开了一种功率mos管压接装置,包括pcb板,所述pcb板上设有mos管,所述pcb板的底部设有散热底板,所述散热底板与mos管接触,还包括:压板,设置在pcb板的上方;压接组件,设置在压板的一端,用于压接mos管;调节组件,设置在散热底板的上表壁,用于固定压板。
3、上述专利中的一种功率mos管压接装置存在以下不足:上述专利中通过在pcb板上设置压板和立柱之间的配合,方便对mos管机箱压紧,但是由于压板的体积相对较大不利于在pcb板上使用,容易影响其它电机元件的正常安装。
技术实现思路
1、本实用新型的目的在于解决或至少缓解现有技术中所存在的问题。
2、为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种mos管压接装置,包括pcb板,所述pcb板顶部外壁焊接有三个等距离分布的mos管本体,且pcb板顶部外壁开设有四个圆口,三个所述mos管本体顶部外壁设置有散热器,且散热器的两侧外壁均固定连接有两个安装耳,四个所述安装耳顶部外壁均开设有圆形口,且四个圆形口的内壁均滑动连接有安装柱,所述安装柱的截面为t形结构,四个所述安装柱的外壁均套接有弹簧一,且四个安装柱的外壁均滑动连接有滑动环,所述安装柱底部外壁开设有圆槽,且圆槽的内壁开设有两个开口,两个所述开口的内壁均滑动连接有限位块。
3、可选地,两个所述限位块相对一侧外壁均固定连接有安装板,且两个安装板相对一侧外壁均转动连接有连接杆。
4、可选地,两个所述连接杆的外壁转动连接有同一个螺纹套,所述螺纹套的内壁螺接有螺杆。
5、可选地,所述螺杆的一端转动连接在圆槽的顶部内壁上。
6、可选地,所述安装柱顶部外壁开设有凹槽,且凹槽的底部内壁转动连接有转动盘。
7、可选地,所述转动盘顶部外壁开设有棱槽,且棱槽为六边形结构,所述转动盘的传动轴一端固定连接在螺杆上。
8、可选地,所述散热器底部外壁开设有三个等距离分布的矩形槽,且三个矩形槽的内壁均滑动连接有铜块,所述铜块和mos管本体相接触。
9、可选地,所述矩形槽的顶部内壁固定连接有两个弹簧二,且两个弹簧二的一端固定连接在铜块上。
10、与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
11、(1)本实用新型通过在pcb板和散热器之间通过安装柱进行连接,又在安装柱上设置可以调节的限位块,通过限位块的设置方便将安装柱卡接在pcb板上,同时安装柱的体积相对较小,方便将散热器安装在pcb板上;
12、(2)本实用新型通过在散热器中设置弹簧二驱动的铜块,方便时铜块始终贴覆在mos管上,从而提高了mos管的散热效率,通过在安装柱中设置螺杆和螺纹套之间的配合,方便直接调节限位块动作。
1.一种mos管压接装置,包括pcb板(1),其特征在于:所述pcb板(1)顶部外壁焊接有三个等距离分布的mos管本体(4),且pcb板(1)顶部外壁开设有四个圆口,三个所述mos管本体(4)顶部外壁设置有散热器(2),且散热器(2)的两侧外壁均固定连接有两个安装耳(3),四个所述安装耳(3)顶部外壁均开设有圆形口,且四个圆形口的内壁均滑动连接有安装柱(5),所述安装柱(5)的截面为t形结构,四个所述安装柱(5)的外壁均套接有弹簧一(13),且四个安装柱(5)的外壁均滑动连接有滑动环(12),所述安装柱(5)底部外壁开设有圆槽,且圆槽的内壁开设有两个开口,两个所述开口的内壁均滑动连接有限位块(11)。
2.根据权利要求1所述的一种mos管压接装置,其特征在于:两个所述限位块(11)相对一侧外壁均固定连接有安装板(10),且两个安装板(10)相对一侧外壁均转动连接有连接杆(9)。
3.根据权利要求2所述的一种mos管压接装置,其特征在于:两个所述连接杆(9)的外壁转动连接有同一个螺纹套(8),所述螺纹套(8)的内壁螺接有螺杆(7)。
4.根据权利要求3所述的一种mos管压接装置,其特征在于:所述螺杆(7)的一端转动连接在圆槽的顶部内壁上。
5.根据权利要求3所述的一种mos管压接装置,其特征在于:所述安装柱(5)顶部外壁开设有凹槽,且凹槽的底部内壁转动连接有转动盘(6)。
6.根据权利要求5所述的一种mos管压接装置,其特征在于:所述转动盘(6)顶部外壁开设有棱槽,且棱槽为六边形结构,所述转动盘(6)的传动轴一端固定连接在螺杆(7)上。
7.根据权利要求1所述的一种mos管压接装置,其特征在于:所述散热器(2)底部外壁开设有三个等距离分布的矩形槽,且三个矩形槽的内壁均滑动连接有铜块(15),所述铜块(15)和mos管本体(4)相接触。
8.根据权利要求7所述的一种mos管压接装置,其特征在于:所述矩形槽的顶部内壁固定连接有两个弹簧二(14),且两个弹簧二(14)的一端固定连接在铜块(15)上。