本技术涉及一种混合键合贴片制造设备,属于半导体。
背景技术:
1、目前先进封装技术单位面积下的i/o越来越密集,2.5d封装尺寸越来越大,为了要缩小集成电路的面积,一种方法就是在载板上增加一层硅中介层(也是用半导体芯片工艺制造而成的),芯片依然通过覆晶方式正面朝下连接在这个中介层上。硅中介层就充当了裸片-裸片(die-die)互连以及裸片-基底(die-substrate)互连。
2、在未来i/o越来越多,凸块间距越来越小,就需要使用到混合键合技术。但是,目前对于晶圆上芯片(chip on wafer)的小芯片封装技术非常不成熟,因为混合键合技术,对产品表面洁净度和平整性要求非常高,而且使用凡德瓦尔力键结方式,对于产品上的表面能关能基有时间严苛要求,时间过长会影响晶圆上芯片(chip on wafer)键合的黏着力,所以目前机台的一单一模块化,是有严重的制造问题的。
技术实现思路
1、本实用新型所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷,提供一种混合键合贴片制造设备,其中对位单一模块、清洁单一模块、电浆单一模块和贴片单一模块整合成系统大模块,满足混合键合的制造需求。
2、根据本实用新型,提供了一种混合键合贴片制造设备,包括:转移腔室;其中,在转移腔室一端布置有用于装载待加工件的装载口;转移腔室内布置有对位模块、清洁模块、电浆模块和贴片模块;而且转移腔室内布置有用于将待加工件在模块间转移的转移台。
3、优选地,装载口包括晶圆型装载口。
4、优选地,装载口包括晶铁圈型装载口。
5、优选地,电浆模块包括晶圆型电浆模块。
6、优选地,电浆模块包括晶铁圈型电浆模块。
7、优选地,转移腔室中充满惰性气体。
8、或者,优选地,转移腔室中充满氮气。
9、优选地,转移腔室内的贴片模块的数量不少于两个。
10、优选地,所述混合键合贴片制造设备用于晶圆上芯片的封装。
11、优选地,对位模块包括圆类型对位模块和铁圈型对位模块。
12、本实用新型提供了一种混合键合贴片制造设备,其中对位单一模块、清洁单一模块、电浆单一模块和贴片单一模块整合成封闭的系统大模块,不需要暴露至外界环境,满足混合键合的制造需求。
1.一种混合键合贴片制造设备,其特征在于包括:转移腔室;其中,在转移腔室一端布置有用于装载待加工件的装载口;转移腔室内布置有对位模块、清洁模块、电浆模块和贴片模块;而且转移腔室内布置有用于将待加工件在模块间转移的转移台。
2.根据权利要求1所述的混合键合贴片制造设备,其特征在于,装载口包括晶圆型装载口。
3.根据权利要求1或2所述的混合键合贴片制造设备,其特征在于,装载口包括晶铁圈型装载口。
4.根据权利要求1或2所述的混合键合贴片制造设备,其特征在于,电浆模块包括晶圆型电浆模块。
5.根据权利要求1或2所述的混合键合贴片制造设备,其特征在于,电浆模块包括晶铁圈型电浆模块。
6.根据权利要求1或2所述的混合键合贴片制造设备,其特征在于,转移腔室中充满惰性气体。
7.根据权利要求1或2所述的混合键合贴片制造设备,其特征在于,转移腔室中充满氮气。
8.根据权利要求1或2所述的混合键合贴片制造设备,其特征在于,转移腔室内的贴片模块的数量不少于两个。
9.根据权利要求1或2所述的混合键合贴片制造设备,其特征在于,所述混合键合贴片制造设备用于晶圆上芯片的封装。
10.根据权利要求1或2所述的混合键合贴片制造设备,其特征在于,对位模块包括圆类型对位模块和铁圈型对位模块。