本技术涉及显示,尤其涉及一种显示装置。
背景技术:
1、微型发光二极管(micro light emitting diode,简称micro led)芯片是指晶粒尺寸在100微米以下的发光二极管芯片。采用micro led芯片制作的micro led显示器,具有低功耗、高亮度、高分辨率、高色彩饱和度、反应速度快、寿命较长、效率较高等优点,在高分辨率显示领域,例如在4k/8k电视、智能手机、虚拟现实(virtual reality,简称vr)、增强现实(augmented reality,简称ar)等显示领域中具有广阔的应用前景。
2、mciro led显示器通常包括驱动基板和位于驱动基板上的micro led芯片。驱动基板包括显示区域和围绕显示区域的边缘区域,micro led芯片设置在显示区域内。在一些技术路线中,通常在边缘区域内靠近显示区域的一侧设置公共电极线,各micro led芯片均连接至公共电极线以实现共阳极/共阴极连接。由于公共电极线通常采用金属材料制作,具有较强的反光能力,容易反射光线造成光线串扰,影响显示质量。
技术实现思路
1、本实用新型实施例提供一种显示装置,包括:
2、微型发光二极管显示器;微型发光二极管显示器包括驱动基板、微型发光二极管芯片及共电极遮蔽层;
3、驱动基板包括显示区域和围绕显示区域的边缘区域;其中,显示区域内设置有驱动电极,边缘区域内靠近显示区域的一侧设置有公共电极线;
4、微型发光二极管芯片位于显示区域内;微型发光二极管芯片的第一电极与驱动电极电连接,微型发光二极管芯片的第二电极与公共电极线电连接;
5、共电极遮蔽层位于公共电极线背离驱动基板的一侧;共电极遮蔽层在驱动基板上的正投影位于边缘区域内,且公共电极线位于共电极遮蔽层在驱动基板上的正投影之内。
6、本实用新型实施例通过设置共电极遮蔽层用于遮挡由显示区域以及显示装置的外部向公共电极线入射的光线,避免了由于公共电极线反射光线造成光线串扰,有利于提高显示质量。
7、本实用新型一些实施例中,公共电极线环绕显示区域设置,形成环状结构,可以减少压降,提供显示区域的亮度均匀性。
8、本实用新型一些实施例中,共电极遮蔽层的材料为黑色光刻胶,可以通过光刻工艺制作共电极遮蔽层,避免共电极遮蔽层影响图像显示。
9、本实用新型一些实施例中,微型发光二极管芯片的第二电极位于第一电极背离驱动基板的一侧。采用垂直结构的微型发光二极管芯片,有利于减小微型发光二极管显示器的体积。
10、本实用新型一些实施例中,微型发光二极管显示器还包括:
11、共电极层,位于微型发光二极管芯片背离驱动基板的一侧,且与第二电极电连接;共电极层在驱动基板上的正投影覆盖显示区域,并延伸至边缘区域与公共电极线电连接。通过共电极连接第二电极和公共电极线,可以简化工艺。
12、本实用新型一些实施例中,共电极层的材料为透明导电材料,提高光线透过率。
13、本实用新型一些实施例中,公共电极线全部位于共电极层在驱动基板上的正投影之内,降低接触电阻,提高显示区域发光均匀性。
14、本实用新型一些实施例中,微型发光二极管显示器还包括:
15、绝缘保护层,位于共电极层与驱动基板之间;绝缘保护层在驱动基板上的正投影至少位于显示区域内,用于遮挡驱动电极;绝缘保护层包括多个开口,开口用于暴露第二电极。
16、本实用新型一些实施例中,边缘区域远离显示区域的一侧设置有至少一个焊盘,焊盘用于绑定转接线;
17、共电极遮蔽层在驱动基板上的正投影与焊盘不重叠,便于转接线的安装和拆除。
18、本实用新型一些实施例中,微型发光二极管显示器用于出射红色光、蓝色光、绿色光、红外光、紫外光或者白色光中的至少一种光线。
1.一种显示装置,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述公共电极线环绕所述显示区域设置,形成环状结构。
3.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述共电极遮蔽层的材料为黑色光刻胶。
4.如权利要求1~3任一项所述的显示装置,其特征在于,所述微型发光二极管芯片的所述第二电极位于所述第一电极背离所述驱动基板的一侧。
5.如权利要求4所述的显示装置,其特征在于,所述微型发光二极管显示器还包括:
6.如权利要求5所述的显示装置,其特征在于,所述共电极层的材料为透明导电材料。
7.如权利要求5所述的显示装置,其特征在于,所述公共电极线全部位于所述共电极层在所述驱动基板上的正投影之内。
8.如权利要求5所述的显示装置,其特征在于,所述微型发光二极管显示器还包括:
9.如权利要求1~3任一项所述的显示装置,其特征在于,所述边缘区域远离所述显示区域的一侧设置有至少一个焊盘,所述焊盘用于绑定转接线;
10.如权利要求1~3任一项所述的显示装置,其特征在于,所述微型发光二极管显示器用于出射红色光、蓝色光、绿色光、红外光、紫外光或者白色光中的至少一种光线。