太阳能电池、光伏组件和光伏系统的制作方法

本申请涉及光伏发电，特别是涉及一种太阳能电池、光伏组件和光伏系统。

背景技术：

1、随着半导体技术的不断发展，人们对于半导体器件的性能要求也在不断提升。其中，钝化是一种能够显著提升器件性能的技术。

2、例如，在太阳能电池中，通过形成钝化层可以大大提升太阳能电池的光电转换效率。但是，如何提高钝化层的钝化效果是目前亟待解决的问题。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种太阳能电池、光伏组件和光伏系统，以提高钝化层的钝化效果，从而提高太阳能电池的光电转换效率。

2、第一方面，提供一种太阳能电池，包括：

3、基片，具有沿其厚度方向相背设置的第一表面和第二表面；

4、第一钝化层，设置于所述基片的第一表面一侧；

5、第二钝化层，设置于所述第一钝化层远离所述基片的一侧；

6、其中，所述第一钝化层和所述第二钝化层的材料相同；

7、所述第一钝化层的致密度高于所述第二钝化层的致密度，且所述第一钝化层的平均厚度小于所述第二钝化层的平均厚度。

8、可选地，所述第一钝化层的平均厚度为0.1～6nm，所述第二钝化层的平均厚度为1～30nm。

9、可选地，所述第一钝化层的厚度均匀性优于所述第二钝化层的厚度均匀性。

10、可选地，所述第一钝化层不同区域的厚度差小于0.5nm，所述第二钝化层不同区域的厚度差大于0.5nm。

11、可选地，所述第一钝化层和所述第二钝化层还覆盖至所述基片的侧面，且所述第一钝化层在所述基片侧面的覆盖面积小于或等于所述第二钝化层在所述基片侧面的覆盖面积。

12、可选地，所述基片包括沿逐渐远离所述第一钝化层的方向依次设置的第一厚度部分和第二厚度部分；

13、所述第一钝化层覆盖在所述第一厚度部分所对应的侧面上，所述第二钝化层覆盖在所述第一厚度部分和所述第二厚度部分对应的侧面上。

14、可选地，所述第一厚度部分的厚度大于或等于所述基片厚度的1/2小于或等于基片厚度，所述第一厚度部分和所述第二厚度部分的厚度之和大于或等于所述基片厚度的2/3小于或等于基片厚度。

15、可选地，所述第一厚度部分的厚度为10～200μm，所述第一厚度部分和所述第二厚度部分的厚度之和为50～200μm。

16、第二方面，提供一种光伏组件，包括：多个太阳能电池，多个所述太阳能电池串联和/或并联连接；

17、至少一个所述太阳能电池为如第一方面所述的太阳能电池。

18、第三方面，提供一种光伏系统，包括如第二方面所述的光伏组件。

19、上述太阳能电池、光伏组件和光伏系统，可以采用原子层沉积和等离子体增强化学气相沉积分别形成第一钝化层和第二钝化层，如此，一方面，由于原子层沉积是基于挥发性前驱体分子与基质的自终止表面限制反应，能够实现对膜层厚度的纳米级的精确控制，因此，能够生成膜层均匀、致密、无裂缝和保效果良好的第一钝化层，从而可以确保第一钝化层对基片表面的钝化效果；另一方面，通过控制第一钝化层的厚度较小，第二钝化层的厚度较大，并采用等离子体增强化学气相沉积快速形成第二钝化层，可以在钝化层的厚度一定的情况下，尽可能地提高钝化层的制备效率。如此，可以在有效提高钝化层的钝化效果的同时提高制备效率，降低产能，可以有效平衡钝化效果和制备效率之间的关系。

20、另外，第二钝化层还能够对第一钝化层进行保护，从而有效减少第一钝化层过薄导致的强度不足、易损伤等的问题，使得钝化层具有足够的可靠性。

21、除此之外，通过控制第一钝化层和第二钝化层的材料相同，在制备太阳能电池中的其他膜层时，仅考虑该第一钝化层和第二钝化层的材料特性即可，无需考虑其他膜层在不同位置的制备工艺影响。

技术特征：

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，

9.一种光伏组件，其特征在于，包括：多个太阳能电池，多个所述太阳能电池串联和/或并联连接；

10.一种光伏系统，其特征在于，包括如权利要求9所述的光伏组件。

技术总结
本申请涉及光伏发电技术领域，特别是涉及一种太阳能电池、光伏组件和光伏系统。以提高钝化层的钝化效果，从而提高太阳能电池的光电转换效率。一种太阳能电池，包括：基片，具有沿其厚度方向相背设置的第一表面和第二表面；第一钝化层，设置于所述基片的第一表面一侧；第二钝化层，设置于所述第一钝化层远离所述基片的一侧；其中，所述第一钝化层和所述第二钝化层的材料相同；所述第一钝化层的致密度高于所述第二钝化层的致密度，且所述第一钝化层的平均厚度小于所述第二钝化层的平均厚度。

技术研发人员：刘成法,张帅,陈红,陆玉刚,李万里,邹杨
受保护的技术使用者：天合光能股份有限公司
技术研发日：20230625
技术公布日：2024/2/29