一种提升MLCC抗弯性能的叠层结构的制作方法

本技术涉及电子元器件生产，具体为一种提升mlcc抗弯性能的叠层结构。

背景技术：

1、由于mlcc的主体为陶瓷材料，其延展性很低，承受过大机械应力时，瓷体易断裂，在mlcc的使用过程中，pcb发生弯曲时，瓷体极易产生裂纹。

2、目前mlcc的常规结构，电极与介质层交错叠层，每2根相邻的电极与内部介质层形层一个电容器，多个这种电容器通过金属外端子并联，从而形成mlcc，此种结构设计非常巧妙，可以实现mlcc电容器的小尺寸大容量特性，但是这种结构设计造成了mlcc内部电极边缘电场的畸变，内部金属电极间电流分布不均匀，加之材料缺陷及加工工艺过程，导致内部瓷体结构各处应力分布不均，其中，上(下)保护层与第一层(最后一层)电极靠近端电极处应力集中，在板弯曲或承受其它外力时易产生裂纹，严重时可延展至多层电极，从而造成mlcc短路失效。

技术实现思路

1、为了解决以上技术问题，本实用新型的目的是提供一种提升mlcc抗弯性能的叠层结构，以解决背景技术中提出的问题。

2、为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种提升mlcc抗弯性能的叠层结构，包括两个端电极及设置在两个所述端电极中间的介质体，所述介质体包括介质层、固定设置在所述介质层两侧的上保护层、下保护层，所述端电极上固定设置有多片电极层，多片所述电极层与所述介质层交错叠层，所述上保护层的下端面固定设置有缓冲电极层，所述下保护层的上端面固定设置有缓冲电极层。

3、优选的技术方案，多片所述电极层与介质层间隔设置。

4、优选的技术方案，所述缓冲电极层与两个所述端电极不连接。

5、优选的技术方案，多片所述电极层之间、所述缓冲电极层与所述电极层之间的间隔相同。

6、进一步技术方案，所述缓冲电极层与所述电极层的有效长度相同、宽度相同。

7、本实用新型的优点是：

8、1、在常规内电极叠层结构基础上，最上层和最下层电极层与上、下保护层之间分别增加一层缓冲电极层，可有效吸收此处集中的应力，降低跨电极间的裂纹造成短路失效的风险，提升mlcc抗弯曲能力。

技术特征：

1.一种提升mlcc抗弯性能的叠层结构，包括两个端电极(1)及设置在两个所述端电极(1)中间的介质体，所述介质体包括介质层(4)、固定设置在所述介质层(4)两侧的上保护层(2)、下保护层(3)，所述端电极(1)上固定设置有多片电极层(5)，多片所述电极层(5)与所述介质层(4)交错叠层，其特征在于：所述上保护层(2)的下端面固定设置有缓冲电极层(6)，所述下保护层(3)的上端面固定设置有缓冲电极层(6)。

2.根据权利要求1所述的一种提升mlcc抗弯性能的叠层结构，其特征在于：多片所述电极层(5)间隔设置。

3.根据权利要求1所述的一种提升mlcc抗弯性能的叠层结构，其特征在于：所述缓冲电极层(6)与两个所述端电极(1)不连接。

4.根据权利要求1所述的一种提升mlcc抗弯性能的叠层结构，其特征在于：多片所述电极层(5)之间、所述缓冲电极层(6)与第一层的所述电极层(5)之间的间隔相同。

5.根据权利要求1所述的一种提升mlcc抗弯性能的叠层结构，其特征在于：所述缓冲电极层(6)与所述电极层(5)的有效长度相同、宽度相同。

技术总结
本技术公开了一种提升MLCC抗弯性能的叠层结构，包括两个端电极及设置在两个所述端电极中间的介质体，所述介质体包括上保护层、下保护层，及设置在保护层内部的电极层和介质层，所述介质层设置在所述电极层中间，电极层与介质层交错叠层并固定设置在所述上保护层和下保护层的内部，所述上保护层的下端面固定设置有缓冲电极层，所述下保护层的上端面固定设置有缓冲电极层，所述端电极与陶瓷体两端的电极层和介质层相连接，与缓冲层电极不连接。本技术结构简单、可有效吸收MLCC上下边部的应力，降低跨电极间的裂纹造成短路失效的风险，提升MLCC抗弯曲能力。

技术研发人员：张楠,裴钰
受保护的技术使用者：元六鸿远（苏州）电子科技有限公司
技术研发日：20230628
技术公布日：2024/1/15