一种刻蚀设备的制作方法

文档序号:36198369发布日期:2023-11-30 02:12阅读:29来源:国知局
一种刻蚀设备的制作方法

本技术涉及晶圆加工,尤其涉及一种刻蚀设备。


背景技术:

1、现有技术中,面板、半导体和光伏等行业大量使用湿法刻蚀机,目前的刻蚀罩酸排风系统存在酸气外溢的问题,刻蚀机内部实际为正压状态,导致大量的酸气会通过传送入口处外泄到刻蚀前设备,进而外溢到车间造成车间酸气严重,极大影响人员健康和造成设备腐蚀。

2、晶圆在刻蚀前会进行清洗除去表面异物,但因清洗后晶圆输送至刻蚀机的传送带较长,传送过程仍有异物落入晶圆表面导致刻蚀不净的问题。

3、基于此,亟需一种刻蚀设备,以解决上述存在的问题。


技术实现思路

1、基于以上所述,本实用新型的目的在于提供一种刻蚀设备,去除晶圆在进入刻蚀设备前的工序中附着的杂质,防止酸气通过传送入口处外泄到刻蚀前设备,防止腐蚀设备,保证人员健康安全。

2、为达上述目的,本实用新型采用以下技术方案:

3、一种刻蚀设备,包括:

4、箱体;

5、传送组件,所述传送组件位于所述箱体内,所述传送组件用于传送晶圆;

6、所述箱体内沿所述传送组件的传输方向依次设置有第一水淋槽、第一风刀槽和刻蚀槽;

7、所述第一水淋槽内设置有第一喷淋装置,所述第一喷淋装置位于所述传送组件的上方,所述第一喷淋装置用于清洗所述晶圆;

8、所述第一风刀槽内设置有第一风刀,所述第一风刀位于所述传送组件的上方,所述第一风刀用于吹扫所述晶圆;

9、所述刻蚀槽内设置有第二喷淋装置,所述第二喷淋装置位于所述传送组件的上方,所述第二喷淋装置用于向所述晶圆喷射刻蚀溶液。

10、作为一种刻蚀设备的优选技术方案,所述箱体内还设置有过渡槽,所述过渡槽位于所述第一风刀槽和所述刻蚀槽之间。

11、作为一种刻蚀设备的优选技术方案,所述箱体内还设置有第二水淋槽,所述第二水淋槽位于所述刻蚀槽的下游,所述第二水淋槽内设置有第三喷淋装置,所述第三喷淋装置位于所述传送组件的上方,所述第三喷淋装置用于清洗所述晶圆。

12、作为一种刻蚀设备的优选技术方案,所述第二水淋槽为多个且依次设置。

13、作为一种刻蚀设备的优选技术方案,所述箱体内还设置有第二风刀槽,所述第二风刀槽位于所述第二水淋槽的下游,所述第二风刀槽内设置有第二风刀,所述第二风刀位于所述传送组件的上方,所述第二风刀用于吹扫所述晶圆。

14、作为一种刻蚀设备的优选技术方案,所述第一风刀倾斜设置于所述第一风刀槽内,所述第二风刀倾斜设置于所述第二风刀槽内。

15、作为一种刻蚀设备的优选技术方案,还包括刻蚀罩,所述过渡槽、所述刻蚀槽、所述第二水淋槽和所述第二风刀槽均位于所述刻蚀罩内,所述刻蚀罩的顶部设置有第一排气管。

16、作为一种刻蚀设备的优选技术方案,所述第一水淋槽、所述第一风刀槽、所述过渡槽、所述刻蚀槽、所述第二水淋槽和所述第二风刀槽的底部均设置有排液管路。

17、作为一种刻蚀设备的优选技术方案,所述第一水淋槽、所述第一风刀槽、所述过渡槽、所述刻蚀槽、所述第二水淋槽和/或所述第二风刀槽的顶部开口安装有柜门,所述柜门通过合叶与所述顶部开口转动连接,所述柜门的外侧设置有门把手。

18、作为一种刻蚀设备的优选技术方案,所述柜门为透明材质。

19、本实用新型的有益效果为:

20、本实用新型提供一种刻蚀设备,工作时,传送组件首先将晶圆传送至第一水淋槽内,第一喷淋装置对晶圆进行清洗,以去除晶圆在进入刻蚀设备前的工序中附着的杂质,保证后续晶圆的加工质量,然后,传送组件将晶圆传送至第一风刀槽内,第一风刀能够对晶圆进行风干,防止晶圆表面的水渍稀释刻蚀溶液,最后传送组件将晶圆传送至刻蚀槽,第二喷淋装置向晶圆喷射刻蚀溶液,以实现对晶圆进行刻蚀加工。其中,第一风刀槽内第一风刀产生压缩空气,第一风刀槽的气压远大于刻蚀槽内的气压,阻隔刻蚀槽内的酸气外溢,即使酸气穿过第一风刀槽进入第一水淋槽时,利用酸易溶于水的原理,第一喷淋装置喷出的水能够吸收酸气,起到二次防护酸气外溢的作用,防止酸气通过传送入口处外泄到刻蚀前设备,防止腐蚀设备,保证人员健康安全。



技术特征:

1.一种刻蚀设备,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的刻蚀设备,其特征在于,所述箱体(1)内还设置有过渡槽(13),所述过渡槽(13)位于所述第一风刀槽(12)和所述刻蚀槽(14)之间。

3.根据权利要求2所述的刻蚀设备,其特征在于,所述箱体(1)内还设置有第二水淋槽(15),所述第二水淋槽(15)位于所述刻蚀槽(14)的下游,所述第二水淋槽(15)内设置有第三喷淋装置,所述第三喷淋装置位于所述传送组件(2)的上方,所述第三喷淋装置用于清洗所述晶圆。

4.根据权利要求3所述的刻蚀设备,其特征在于,所述第二水淋槽(15)为多个且依次设置。

5.根据权利要求4所述的刻蚀设备,其特征在于,所述箱体(1)内还设置有第二风刀槽(16),所述第二风刀槽(16)位于所述第二水淋槽(15)的下游,所述第二风刀槽(16)内设置有第二风刀,所述第二风刀位于所述传送组件(2)的上方,所述第二风刀用于吹扫所述晶圆。

6.根据权利要求5所述的刻蚀设备,其特征在于,所述第一风刀(121)倾斜设置于所述第一风刀槽(12)内,所述第二风刀倾斜设置于所述第二风刀槽(16)内。

7.根据权利要求5所述的刻蚀设备,其特征在于,还包括刻蚀罩(3),所述过渡槽(13)、所述刻蚀槽(14)、所述第二水淋槽(15)和所述第二风刀槽(16)均位于所述刻蚀罩(3)内,所述刻蚀罩(3)的顶部设置有第一排气管(31)。

8.根据权利要求5所述的刻蚀设备,其特征在于,所述第一水淋槽(11)、所述第一风刀槽(12)、所述过渡槽(13)、所述刻蚀槽(14)、所述第二水淋槽(15)和所述第二风刀槽(16)的底部均设置有排液管路(17)。

9.根据权利要求5所述的刻蚀设备,其特征在于,所述第一水淋槽(11)、所述第一风刀槽(12)、所述过渡槽(13)、所述刻蚀槽(14)、所述第二水淋槽(15)和/或所述第二风刀槽(16)的顶部开口安装有柜门(18),所述柜门(18)通过合叶与所述顶部开口转动连接,所述柜门(18)的外侧设置有门把手(181)。

10.根据权利要求9所述的刻蚀设备,其特征在于,所述柜门(18)为透明材质。


技术总结
本技术涉及晶圆加工技术领域,公开一种刻蚀设备。其中刻蚀设备包括箱体和传送组件。传送组件位于箱体内,传送组件用于传送晶圆;箱体内沿传送组件的传输方向依次设置有第一水淋槽、风刀槽和刻蚀槽;第一水淋槽内设置有第一喷淋装置,第一喷淋装置位于传送组件的上方,第一喷淋装置用于清洗晶圆;第一风刀槽内设置有第一风刀,第一风刀位于传送组件的上方,第一风刀用于吹扫晶圆;刻蚀槽内设置有第二喷淋装置,第二喷淋装置位于传送组件的上方,第二喷淋装置用于向晶圆喷射刻蚀溶液。本技术实现了去除晶圆在进入刻蚀设备前的工序中附着的杂质,防止酸气通过传送入口处外泄到刻蚀前设备,防止腐蚀设备,保证人员健康安全。

技术研发人员:杨宗苓,李勇,周志锋,陈相逾,马中生
受保护的技术使用者:苏州清越光电科技股份有限公司
技术研发日:20230703
技术公布日:2024/1/15
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