本技术涉及半导体器件,尤其涉及led显示装置。
背景技术:
1、led显示技术近年来蓬勃发展,从最开始的led背光显示,到后来的led直接显示、在到目前还未完全成熟的mini led直接显示技术,点间距越来越小,像素越来越高,显示效果越来越好,当然芯片面积也越来越小,
2、芯片面积的减小,对应的便是焊盘的减小,倒装芯片以cob的封装方式焊接在pcb上显示屏时,芯片焊盘太小就会造成在回流焊过程中单边翘起、虚焊等问题,以及芯片与pcb板粘合力太小,在回流焊完进行其它工序过程中,芯片存在脱落风险。
技术实现思路
1、为了解决上述技术问题,本实用新型提供了led显示装置。
2、该实用新型提供以下技术方案,led显示装置,包括mini led芯片和pcb板,所述mini led芯片包括芯片主体及位于所述芯片主体上的第一p型焊盘及第一n型焊盘,所述第一p型焊盘与所述第一n型焊盘之间的所述芯片主体上设有第一热熔胶层,所述pcb板的一侧设有分别与所述第一p型焊盘及所述第一n型焊盘对应的第二p型焊盘及第二n型焊盘、与所述第一热熔胶层对应的第二热熔胶层,所述第二p型焊盘及所述第二n型焊盘上均设有焊料层,所述第一热熔胶层用于与所述第二热熔胶层相互粘接,所述第一p型焊盘及所述第一n型焊盘分别用于与所述第二p型焊盘及所述第二n型焊盘焊接。
3、本发明一实施例的led显示装置,通过在mini led芯片的第一p型焊盘与第一n型焊盘之间设置第一热熔胶层,在pcb板的第二p型焊盘与第二n型焊盘之间设置第二热熔胶层,当mini led芯片倒装安装在pcb板上执行回流焊时,第一热熔胶层能够与第二热熔胶层相互粘接,使得mini led芯片与pcb板紧密连接,有效避免了mini led芯片在后续回流焊过程中因焊盘太小而出现单边翘起、虚焊的情况,使第一p型焊盘及第一n型焊盘分别与第二p型焊盘及第二n型焊盘有效焊接;而且通过热熔胶的粘合增强了mini led芯片与pcb板的粘合力,避免了回流焊完成后进行其它工序过程中芯片脱落的风险。
4、进一步的,所述第一热熔胶层靠近所述第一p型焊盘的一侧到所述第一p型焊盘的距离为5um~10um,所述第一热熔胶层靠近所述第一n型焊盘的一侧到所述第一n型焊盘的距离为5um~10um。
5、进一步的,所述第二热熔胶层靠近所述第二p型焊盘的一侧到所述第二p型焊盘的距离为5um~10um,所述第二热熔胶层靠近所述第二n型焊盘的一侧到所述第二n型焊盘的距离为5um~10um。
6、进一步的,所述第一热熔胶层的厚度比所述第一p型焊盘或所述第一n型焊盘暴露在所述芯片主体之上的部分的厚度高1um~5um,所述第二热熔胶层的厚度等于所述第二p型焊盘或所述第二n型焊盘与所述焊料层的厚度之和。
7、进一步的,所述第一热熔胶层的厚度等于所述第一p型焊盘或所述第一n型焊盘暴露在所述芯片主体之上的部分的厚度,所述第二热熔胶层的厚度比所述第二p型焊盘或所述第二n型焊盘与所述焊料层的厚度之和高1um~5um。
8、进一步的,所述第一热熔胶层的厚度比所述第一p型焊盘或所述第一n型焊盘暴露在所述芯片主体之上的部分的厚度高1um~3um,所述第二热熔胶层的厚度比所述第二p型焊盘或所述第二n型焊盘与所述焊料层的厚度之和高1um~3um。
9、进一步的,所述第一热熔胶层及所述第二热熔胶层均为聚丙烯层或聚乙烯层。
10、进一步的,所述第一p型焊盘、所述第一n型焊盘、所述第二p型焊盘及所述第二n型焊盘均为au层或ausn层。
11、进一步的,所述焊料层为sn层或者snagcu层。
12、进一步的,所述mini led芯片的单边尺寸为50um~200um。
1.led显示装置,其特征在于,包括mini led芯片和pcb板,所述mini led芯片包括芯片主体及位于所述芯片主体上的第一p型焊盘及第一n型焊盘,所述第一p型焊盘与所述第一n型焊盘之间的所述芯片主体上设有第一热熔胶层,所述pcb板的一侧设有分别与所述第一p型焊盘及所述第一n型焊盘对应的第二p型焊盘及第二n型焊盘、与所述第一热熔胶层对应的第二热熔胶层,所述第二p型焊盘及所述第二n型焊盘上均设有焊料层,所述第一热熔胶层用于与所述第二热熔胶层相互粘接,所述第一p型焊盘及所述第一n型焊盘分别用于与所述第二p型焊盘及所述第二n型焊盘焊接。
2.根据权利要求1所述的led显示装置,其特征在于,所述第一热熔胶层靠近所述第一p型焊盘的一侧到所述第一p型焊盘的距离为5um~10um,所述第一热熔胶层靠近所述第一n型焊盘的一侧到所述第一n型焊盘的距离为5um~10um。
3.根据权利要求1所述的led显示装置,其特征在于,所述第二热熔胶层靠近所述第二p型焊盘的一侧到所述第二p型焊盘的距离为5um~10um,所述第二热熔胶层靠近所述第二n型焊盘的一侧到所述第二n型焊盘的距离为5um~10um。
4.根据权利要求1所述的led显示装置,其特征在于,所述第一热熔胶层的厚度比所述第一p型焊盘或所述第一n型焊盘暴露在所述芯片主体之上的部分的厚度高1um~5um,所述第二热熔胶层的厚度等于所述第二p型焊盘或所述第二n型焊盘与所述焊料层的厚度之和。
5.根据权利要求1所述的led显示装置,其特征在于,所述第一热熔胶层的厚度等于所述第一p型焊盘或所述第一n型焊盘暴露在所述芯片主体之上的部分的厚度,所述第二热熔胶层的厚度比所述第二p型焊盘或所述第二n型焊盘与所述焊料层的厚度之和高1um~5um。
6.根据权利要求1所述的led显示装置,其特征在于,所述第一热熔胶层的厚度比所述第一p型焊盘或所述第一n型焊盘暴露在所述芯片主体之上的部分的厚度高1um~3um,所述第二热熔胶层的厚度比所述第二p型焊盘或所述第二n型焊盘与所述焊料层的厚度之和高1um~3um。
7.根据权利要求1所述的led显示装置,其特征在于,所述第一热熔胶层及所述第二热熔胶层均为聚丙烯层或聚乙烯层。
8.根据权利要求1所述的led显示装置,其特征在于,所述第一p型焊盘、所述第一n型焊盘、所述第二p型焊盘及所述第二n型焊盘均为au层或ausn层。
9.根据权利要求1所述的led显示装置,其特征在于,所述焊料层为sn层或者snagcu层。
10.根据权利要求1所述的led显示装置,其特征在于,所述mini led芯片的单边尺寸为50um~200um。