一种二极管光伏模块封装结构的制作方法

文档序号:36551349发布日期:2023-12-30 03:47阅读:16来源:国知局
一种二极管光伏模块封装结构的制作方法

本申请涉及半导体封装,特别涉及一种二极管光伏模块封装结构。


背景技术:

1、本部分的陈述仅仅是提供了与本申请相关的背景技术信息,不必然构成在先技术。

2、太阳能光伏接线盒是太阳能发电转换主要的装置,目前市场较流行的接线盒内部结构是采用电极与二极管芯片集成化封装,二极管光伏模块包括左电极、右电极、芯片、粗铝丝、塑封体。其中,芯片的一个电极面焊接在左电极的右接线端子,芯片的相反电极面通过粗铝丝与右电极的左接线端子相连接,已经形成连接状态的二极管由塑封体绝缘、密封包裹住。

3、现有技术中,在电极板上对应光伏接线盒定位销的尺寸位置设计了相应的定位圆孔,但定位圆孔与光伏模块接线盒内的定位销接触过于紧密,间隙太小,以至于后续灌胶过程中无法顺畅排气;左、右电极均设置了边缘平滑的翻边结构,但电极的翻边结构与接线盒内壁贴合紧密,不利于灌胶流动,导致灌胶过程排气困难、效率低下;塑封体常设计为“]”形,一侧带有上下对称分布的用于区分光伏模块方向的方形凸出端,另一侧为直边,但此结构设计既不利于塑封工艺的树脂注入,容易产生空洞和砂眼,又减小了塑封体的应力。因此,一种更优的与塑封体相结合的便于灌胶排气的封装结构是本领域人员亟需解决的。


技术实现思路

1、为了解决上述问题,本申请提出了一种二极管光伏模块封装结构,其采用的多点开槽结构可有效地增加灌胶通道面积,从而解决灌胶排气困难、效率低下的问题。

2、本申请提供了一种二极管光伏模块封装结构,包括左电极、右电极和塑封体,所述左电极包括左电极焊接区,所述左电极焊接区靠近左接线端子的上下两侧设置有左电极定位孔,左电极焊接区靠近塑封体的一侧设置有左槽孔,所述左槽孔靠近左接线端子的平行位置设置有左储锡坑槽,所述右电极包括右电极焊接区,所述右电极焊接区靠近右接线端子的上下两侧设置有右电极定位孔,右电极焊接区靠近塑封体的一侧设置有右槽孔,所述右槽孔靠近右接线端子的平行位置设置有右储锡坑槽,所述左电极焊接区、右电极焊接区的上下两侧为边缘平滑的翻边结构,所述右电极定位孔内侧边缘设置有排气槽口。

3、优选地,所述排气槽口设置于右电极定位孔靠近所述右电极焊接区下方的翻边结构一侧。

4、优选地,所述左电极焊接区和或右电极焊接区上下两侧的翻边结构的边缘均设置有灌胶流动槽口。

5、优选地,所述塑封体在相对于所述左槽孔下方设有方形凸出端,其右侧为直边,塑封体整体呈“j”型。

6、优选地,所述左电极焊接区上相对于左槽孔上方设置有灌胶排气孔。

7、优选地,所述左电极上相对于左电极焊接区左侧和或右电极上相对于右电极焊接区右侧设置有接线端子。

8、与现有技术相比,本申请的有益效果为:

9、(1)本申请电极定位孔设置有排气槽口使得二极管光伏模块在接线盒内的灌胶排气过程更加顺畅迅速,提升灌胶质量和效率。

10、(2)本申请的翻边结构设置有灌胶流动槽口,与排气槽口配合进一步使二极管光伏模块在接线盒内的灌胶排气顺畅迅速,大幅提升灌胶质量和效率。

11、(3)本申请与“j”型塑封体配合的灌胶排气孔可以进一步提升灌胶排气效率。



技术特征:

1.一种二极管光伏模块封装结构,包括左电极(1)、右电极(2)和塑封体(3),所述左电极(1)包括左电极焊接区(5),所述左电极焊接区(5)靠近左接线端子(4)的上下两侧设置有左电极定位孔(6),左电极焊接区(5)靠近塑封体(3)的一侧设置有左槽孔(7),所述左槽孔(7)靠近左接线端子(4)的平行位置设置有左储锡坑槽(8),所述右电极(2)包括右电极焊接区(10),所述右电极焊接区(10)靠近右接线端子(11)的上下两侧设置有右电极定位孔(12),右电极焊接区(10)靠近塑封体(3)的一侧设置有右槽孔(14),所述右槽孔(14)靠近右接线端子(11)的平行位置设置有右储锡坑槽(15),其特征在于:

2.根据权利要求1所述的一种二极管光伏模块封装结构,其特征在于:

3.根据权利要求1所述的一种二极管光伏模块封装结构,其特征在于:

4.根据权利要求1-3任一权利要求所述的一种二极管光伏模块封装结构,其特征在于:

5.根据权利要求4所述的一种二极管光伏模块封装结构,其特征在于:

6.根据权利要求1所述的一种二极管光伏模块封装结构,其特征在于:


技术总结
本申请提供了一种二极管光伏模块封装结构,包括包括左电极、右电极和塑封体,所述左电极包括左电极焊接区,右电极包括右电极焊接区,所述左电极焊接区、右电极焊接区的上下两侧为边缘平滑的翻边结构,所述左电极定位孔和或右电极定位孔内侧边缘设置有排气槽口。本申请采用的多点开槽结构可有效地增加灌胶通道面积,从而解决灌胶排气困难、效率低下的问题。

技术研发人员:王培祥,崔同,李京育,孟繁峰,姜明春,郑磊,安勇
受保护的技术使用者:济南晶恒电子有限责任公司
技术研发日:20230707
技术公布日:2024/1/15
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