一种新型覆银式IGBT芯片结构的制作方法

本技术涉及igbt芯片，特别涉及一种新型覆银式igbt芯片结构。

背景技术：

1、自20世纪八十年代以来，igbt发展迅速，不仅在工业应用中取代了mos和gtr，还在消费类电子应用中逐步取代了bjt，mos等功率器件的众多应用领域，甚至已经扩展到了scr及gto占优势的大功率应用领域，作为新型功率半导体器件的主流器件，igbt是国际上公认的第三次革命，广泛应用于工业、通信、4c、计算机等领域。

2、igbt芯片结构是由igbt(绝缘栅双极型晶体管芯片)与fwd(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品，其芯片模块间的封装技术通常采用有压烧结银的方式进行导通连接，利用有压烧结银的高导电性、高强度、耐腐蚀性等特点，提高igbt芯片结构的连接固定性，

3、igbt芯片结构在安装使用过程中，其在长时间使用时，极易收到外界潮湿气等因素的影响，导致其可能会发生短路等情况，因此现有igbt芯片结构在生产组装过程中，尤其需注意防潮防湿等性能，例如现有专利技术所示：经检索，中国专利网公开了一种igbt芯片结构(公开公告号cn218333758u)，此类装置通过吸潮片和吸附杆能够将外框内部潮气进行吸收避免芯片发生短路情况。但是，针对上述公开专利以及现有市场所采取的igbt芯片结构，还存在一些不足之处：此类采用吸潮片和吸附杆对进入igbt芯片内部潮气进行吸附的方式，其吸潮能力有限，长时间使用下，极易出现失效的情况，对于igbt芯片结构的防潮保护效果不足。为此，本领域技术人员提供了一种新型覆银式igbt芯片结构，以解决上述背景技术中提出的问题。

技术实现思路

1、本实用新型的主要目的在于提供一种新型覆银式igbt芯片结构，可以有效解决背景技术中现有igbt芯片结构自我防潮防湿性能较为低下的问题。

2、为实现上述目的，本实用新型采取的技术方案为：一种新型覆银式igbt芯片结构，包括上封座组件、下封座组件、igbt芯片、收紧螺杆；

3、所述上封座组件与下封座组件相互对合，且上封座组件与下封座组件之间呈对称排列的两组收紧螺杆拧接固定；

4、所述igbt芯片卡扣安装于上封座组件与igbt芯片的对合腔之间；

5、所述上封座组件包括上封盖，所述上封盖的上部板面排布安装有两组散热翅板，且每组散热翅板的数量均为多个；

6、所述下封座组件包括下封盖，所述下封盖的上部板面排布安装有两组散热翅片，且每组散热翅片的数量均为多个。

7、作为本实用新型再进一步的方案：所述下封盖的支板一端设置有与igbt芯片相适配的卡扣板，且卡扣板为l形结构。

8、作为本实用新型再进一步的方案：所述下封盖的四个边角端均设置有缓冲墩座。

9、作为本实用新型再进一步的方案：所述下封盖的支板两侧位于中部位置处对称设置有两组收紧螺套b，所述上封盖的支板两侧位于中部位置处对称设置有两组收紧螺套a，两组所述收紧螺套b与两组收紧螺套a相互对合，且两组收紧螺套b和两组收紧螺套a与收紧螺杆相互拧接适配。

10、作为本实用新型再进一步的方案：所述igbt芯片的两端输出端安装有贯通上封座组件的两组连接头。

11、作为本实用新型再进一步的方案：多个所述散热翅板相对于上封盖的板面呈等间距排列，多个所述散热翅片相对于下封盖的板面等间距排列。

12、作为本实用新型再进一步的方案：所述散热翅板与散热翅片均采用铝质材质构件，所述上封盖与下封盖均采用硅胶材质构件。

13、与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果：

14、本实用新型通过利用上封座组件与下封座组件的对合固定，能够以对压封盖的方式，对igbt芯片进行密封、压盖式封装工作，其一方面其能够从源头上对igbt芯片结构进行密封保护工作，杜绝外界潮湿气等污染腐蚀igbt芯片结构的导通线路，另一方面具有简单、便捷的组装性能，能够提高其一体装配性能，且在利用上封座组件与下封座组件对igbt芯片进行封装的同时，通过利用散热翅板的上导通散热、散热翅片的下导通换热，在硅胶材质的上封盖、下封盖的绝缘导热下，能够对igbt芯片结构产生的机械热进行及时、全面的机械导热散热工作。

技术特征：

1.一种新型覆银式igbt芯片结构，其特征在于，包括上封座组件(1)、下封座组件(2)、igbt芯片(3)、收紧螺杆(4)；

2.根据权利要求1所述的一种新型覆银式igbt芯片结构，其特征在于，所述下封盖(21)的支板一端设置有与igbt芯片(3)相适配的卡扣板(24)，且卡扣板(24)为l形结构。

3.根据权利要求1所述的一种新型覆银式igbt芯片结构，其特征在于，所述下封盖(21)的四个边角端均设置有缓冲墩座(22)。

4.根据权利要求1所述的一种新型覆银式igbt芯片结构，其特征在于，所述下封盖(21)的支板两侧位于中部位置处对称设置有两组收紧螺套b(23)，所述上封盖(11)的支板两侧位于中部位置处对称设置有两组收紧螺套a(13)，两组所述收紧螺套b(23)与两组收紧螺套a(13)相互对合，且两组收紧螺套b(23)和两组收紧螺套a(13)与收紧螺杆(4)相互拧接适配。

5.根据权利要求1所述的一种新型覆银式igbt芯片结构，其特征在于，所述igbt芯片(3)的两端输出端安装有贯通上封座组件(1)的两组连接头(5)。

6.根据权利要求1所述的一种新型覆银式igbt芯片结构，其特征在于，多个所述散热翅板(12)相对于上封盖(11)的板面呈等间距排列，多个所述散热翅片(25)相对于下封盖(21)的板面等间距排列。

7.根据权利要求1所述的一种新型覆银式igbt芯片结构，其特征在于，所述散热翅板(12)与散热翅片(25)均采用铝质材质构件，所述上封盖(11)与下封盖(21)均采用硅胶材质构件。

技术总结
本技术涉及IGBT芯片技术领域，公开了一种新型覆银式IGBT芯片结构，所述上封座组件与下封座组件相互对合，且上封座组件与下封座组件之间呈对称排列的两组收紧螺杆拧接固定，所述IGBT芯片卡扣安装于上封座组件与IGBT芯片的对合腔之间。本技术通过利用上封座组件与下封座组件的对合固定，能够以对压封盖的方式，对IGBT芯片进行密封、压盖式封装工作，其能够从源头上对IGBT芯片结构进行密封保护工作，杜绝外界潮湿气等污染腐蚀IGBT芯片结构的导通线路，且通过利用散热翅板的上导通散热、散热翅片的下导通换热，能够对IGBT芯片结构产生的机械热进行及时、全面的机械导热散热工作。

技术研发人员：王丕龙,王新强,杨玉珍
受保护的技术使用者：青岛佳恩半导体有限公司
技术研发日：20230717
技术公布日：2024/1/15