一种晶圆的表面清洁装置的制作方法

本技术涉及半导体，具体涉及一种晶圆的表面清洁装置。

背景技术：

1、在外延工艺中，为了确保生长的外延层的晶格结构与晶圆的晶格保持一致，通常需要在外延工艺前对晶圆表面的自然氧化层进行清洁处理。目前的晶圆表面清洁装置进行清洁处理时存在以下缺陷：工艺过程中晶圆温度难以精确控制，温度的波动导致很难控制刻蚀的发生。

2、因此，亟需一种晶圆的表面清洁装置，使得在整个工艺期间对工艺温度进行精确控制，提高晶圆表面处理的质量和效率。

技术实现思路

1、本实用新型的目的是克服现有的晶圆表面清洁装置在工艺过程中无法对工艺温度进行精确控制的缺陷。

2、为了达到上述目的，本实用新型提供了一种晶圆的表面清洁装置，包括：腔体；

3、基座，设置在腔体内，用于承载所述晶圆，其中所述基座包括加热组件，用于为晶圆在工艺期间提供热能量；

4、气体喷淋头，设置在基座的上方，用于将输入的工艺气体均匀化分布；

5、升降销，设置在基座的通孔内，用于在工艺期间，将所述晶圆从基座的上表面顶起，以控制工艺温度；

6、基座升降装置，所述基座升降装置用于在工艺期间将基座从第一位置向上移动到第二位置。

7、可选地，所述升降销的升降距离为5-50mm。

8、可选地，所述升降销的升降距离为10-20mm。

9、可选地，所述基座的升降距离为40-70mm。

10、可选地，所述基座的升降距离为50-60mm。

11、可选地，表面清洁装置还包括：升降环，所述升降环设置在升降销的底部，用于驱动升降销的升降。

12、可选地，表面清洁装置还包括：远程等离子源，所述远程等离子源设置在腔体上方，与所述气体喷淋头连接。

13、可选地，表面清洁装置还包括：第一进气口，所述第一进气口与所述远程等离子源连接，用于输入第一工艺气体。

14、可选地，表面清洁装置还包括：第二进气口，所述第二进气口与所述气体喷淋头连接，用于输入第二工艺气体。

15、可选地，所述气体喷淋头包括至少两个气体分散板，所述至少两个气体分散板上下布置。

16、可选地，表面清洁装置还包括：泵，所述泵与腔体下方连接，用于将使用后的工艺气体抽出腔体。

17、本实用新型的技术效果：

18、(1)加热组件设于基座，在整个工艺期间，穿设于基座中心的升降销将晶圆从基座的上表面顶起，反应气体与晶圆表面自然氧化层发生反应生成中间副产物；升降销将晶圆升起离开基座表面后，可以更加精确地控制温度，在工艺过程中，可以通过升降销距离的改变进而改变晶圆与基座之间的距离，从而精确控制工艺温度。

19、(2)同时，基座升降装置将基座从第一位置向上移动到第二位置，可以进一步方便控制温度，同时控制流场。

技术特征：

1.一种晶圆的表面清洁装置，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的晶圆的表面清洁装置，其特征在于，所述升降销的升降距离为5-50mm。

3.如权利要求2所述的晶圆的表面清洁装置，其特征在于，所述升降销的升降距离为10-20mm。

4.如权利要求1所述的晶圆的表面清洁装置，其特征在于，所述基座的升降距离为40-70mm。

5.如权利要求4所述的晶圆的表面清洁装置，其特征在于，所述基座的升降距离为50-60mm。

6.如权利要求1所述的晶圆的表面清洁装置，其特征在于，表面清洁装置还包括：升降环，所述升降环设置在升降销的底部，用于驱动升降销的升降。

7.如权利要求1所述的晶圆的表面清洁装置，其特征在于，表面清洁装置还包括：远程等离子源，所述远程等离子源设置在腔体上方，与所述气体喷淋头连接。

8.如权利要求7所述的晶圆的表面清洁装置，其特征在于，表面清洁装置还包括：第一进气口，所述第一进气口与所述远程等离子源连接，用于输入第一工艺气体。

9.如权利要求7所述的晶圆的表面清洁装置，其特征在于，表面清洁装置还包括：第二进气口，所述第二进气口与所述气体喷淋头连接，用于输入第二工艺气体。

10.如权利要求1所述的晶圆的表面清洁装置，其特征在于，所述气体喷淋头包括至少两个气体分散板，所述至少两个气体分散板上下布置。

11.如权利要求1所述的晶圆的表面清洁装置，其特征在于，表面清洁装置还包括：泵，所述泵与腔体下方连接，用于将使用后的工艺气体抽出腔体。

技术总结
本技术公开了一种晶圆的表面清洁装置，包括：腔体；基座，设置在腔体内，用于承载所述晶圆，其中所述基座包括加热组件，用于为晶圆在工艺期间提供热能量；气体喷淋头，设置在基座的上方，用于将输入的工艺气体均匀化分布；升降销，设置在基座的通孔内，用于在工艺期间，将所述晶圆从基座的上表面顶起，以控制工艺温度；基座升降装置，所述基座升降装置用于在工艺期间将基座从第一位置向上移动到第二位置。所述晶圆表面清洁装置可通过升降销距离的改变从而控制工艺温度；进一步的，所述基座升降装置将基座从第一位置向上移动到第二位置，可以保证工艺气流的稳定。利用本装置进行晶圆的表面清洁，可以实现刻蚀的均一性和稳定性。

技术研发人员：丁科允
受保护的技术使用者：江苏天芯微半导体设备有限公司
技术研发日：20230802
技术公布日：2024/2/8