本技术涉及半导体,具体为一种62mm半桥封装的碳化硅模块。
背景技术:
1、在igbt模块封装领域,属于微电子行业,igbt是由mosfet和双极型晶体管符合而成的一种器件,其输入极为mosfet,输出极为pnp晶体管,它融合了这两种器件的优点,既具有mosfet器件驱动功率小和开关速度快的优点,又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点,其频率特性介于mosfet与功率晶体管之间,可正常工作在几十khz频率范围,在现代工业电子技术中广泛应用,如变频器,空调,焊机,光伏,汽车等行业。
2、现有技术中,大多数的半导体材料多采用单晶硅等第一、二代半导体材料。
3、但是,单晶硅材料稀缺,价格昂贵,存在对环境污染等缺点,同时性能上不如碳化硅。
技术实现思路
1、本实用新型的目的在于提供一种62mm半桥封装的碳化硅模块,以解决上述背景技术中提出的问题。
2、为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种62mm半桥封装的碳化硅模块,包括:
3、底板,所述底板边角位置开设有安装通孔,底板底部开设有散热格栅槽;
4、abm基板,所述abm基板固定连接在底板上端,abm基板上端通过银烧结工艺固定连接有sic芯片,abm基板上一侧设有电阻区。
5、优选的,所述安装通孔设有四个,四个所述安装通孔分别位于底板上四个边角位置。
6、优选的,所述散热格栅槽设有若干个,若干个所述散热格栅槽呈紧密平行分布在底板底部中心位置。
7、优选的,所述abm基板设有四个,四个所述abm基板在底板上端呈矩形阵列分布。
8、优选的,所述sic芯片设有八个,且两个为一组固定连接在abm基板上,且位于abm基板上远离靠中心位置。
9、优选的,所述电阻区设有四个,四个所述电阻区分别位于四个所述abm基板上远离中心的一侧侧边位置。
10、与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
11、本实用新型耐高温,耐高压,体积小,功耗低;相同规格的sic-igbt与si-igbt相比,导通电阻大大降低,芯片尺寸减小,能量损耗更低,更适合应用于高压高频电路,碳基芯片可保证长期的稳定性与更好的耐用性,且碳基材料是可再生材料,利于回收利用,更环保更持续。
1.一种62mm半桥封装的碳化硅模块,其特征在于:包括:
2.根据权利要求1所述的一种62mm半桥封装的碳化硅模块,其特征在于:所述安装通孔(5)设有四个,四个所述安装通孔(5)分别位于底板(1)上四个边角位置。
3.根据权利要求2所述的一种62mm半桥封装的碳化硅模块,其特征在于:所述散热格栅槽(6)设有若干个,若干个所述散热格栅槽(6)呈紧密平行分布在底板(1)底部中心位置。
4.根据权利要求3所述的一种62mm半桥封装的碳化硅模块,其特征在于:所述abm基板(2)设有四个,四个所述abm基板(2)在底板(1)上端呈矩形阵列分布。
5.根据权利要求4所述的一种62mm半桥封装的碳化硅模块,其特征在于:所述sic芯片(3)设有八个,且两个为一组固定连接在abm基板(2)上,且位于abm基板(2)上远离靠中心位置。
6.根据权利要求5所述的一种62mm半桥封装的碳化硅模块,其特征在于:所述电阻区(4)设有四个,四个所述电阻区(4)分别位于四个所述abm基板(2)上远离中心的一侧侧边位置。