电池的制作方法

文档序号:37177736发布日期:2024-03-01 12:32阅读:28来源:国知局
电池的制作方法

本技术涉及电池,尤其涉及一种电池。


背景技术:

1、相关技术中,电芯可以采用全极耳引出,极耳收束后可能会出现错层严重的情况,并且在极耳弯折之后整体厚度增加,使得电池内部空间利用率较低,从而影响电池的使用性能。


技术实现思路

1、本实用新型提供一种电池,以改善电池的使用性能。

2、本实用新型提供了一种电池,包括:

3、电芯,电芯包括电芯主体和第一极耳,电芯主体包括第一极片,第一极耳由第一极片上延伸而出,第一极片包括多个层叠设置的第一单片极片层,第一极耳包括多个层叠设置的第一单片极耳层,第一单片极耳层由第一单片极片层上延伸而出,且第一单片极耳层的总数量与第一单片极片层的总数量之比为0.31-0.92;

4、壳体,电芯设置于壳体内,壳体包括盖板和壳体件,壳体件包括侧壁段和底壁段,侧壁段和底壁段为一体成型式结构,盖板与侧壁段相连接,且盖板与底壁段相对设置;

5、极柱结构,极柱结构设置于底壁段上,且与电芯电连接。

6、本实用新型实施例的电池包括电芯、壳体以及极柱结构,极柱结构与电芯电连接,壳体包括盖板和壳体件,壳体件的侧壁段和底壁段为一体成型式结构,极柱结构设置于底壁段上,由此合理利用壳体件的空间,提高壳体的结构稳定性。而电芯包括电芯主体和第一极耳,电芯主体的第一极片由多个层叠设置的第一单片极片层形成,第一极耳由多个层叠设置的第一单片极耳层形成,通过使得第一单片极耳层由第一单片极片层上延伸而出,且第一单片极耳层的总数量与第一单片极片层的总数量之比为0.31-0.92,即第一单片极耳层的总数量小于第一单片极片层的总数量,不仅可以降低第一单片极耳层收束后错层的风险,且在保证第一极耳过流能力的基础上,第一极耳整体厚度不会太大,进而来提高电池内部空间利用率,从而可靠改善电池的使用性能。



技术特征:

1.一种电池,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的电池,其特征在于,所述电芯(10)为卷绕式电芯。

3.根据权利要求1所述的电池,其特征在于,所述电芯主体(11)延伸出所述第一极耳(12)的端面(114)具有沿第一方向延伸的中心线,所述第一极耳(12)关于所述中心线非对称地设置,所述第一方向平行于拉直之后的所述第一单片极耳层(121)。

4.根据权利要求3所述的电池,其特征在于,所述极柱结构(30)上设置有通孔(31),所述第一极耳(12)与所述端面(114)相连接区域的至少部分与所述通孔(31)正对设置。

5.根据权利要求4所述的电池,其特征在于,多个所述第一单片极耳层(121)中距离所述端面(114)沿所述第一方向延伸的中心线最远的所述第一单片极耳层(121)拉直之后与所述通孔(31)正对设置。

6.根据权利要求5所述的电池,其特征在于,多个所述第一单片极耳层收拢后形成所述第一极耳(12),且所述第一极耳(12)穿设于所述通孔(31)内。

7.根据权利要求1所述的电池,其特征在于,所述极柱结构(30)上设置有通孔(31),所述第一极耳(12)穿设于所述通孔(31)内。

8.根据权利要求1所述的电池,其特征在于,所述极柱结构(30)上设置有通孔(31),所述电池还包括转接件(40),所述转接件(40)连接于所述第一极耳(12)远离所述电芯主体(11)的一侧,所述转接件(40)穿设于所述通孔(31)内,并与所述极柱结构(30)电连接。

9.根据权利要求4至8中任一项所述的电池,其特征在于,所述通孔(31)设置于所述极柱结构(30)的中部。

10.根据权利要求9所述的电池,其特征在于,所述通孔(31)设置于所述极柱结构(30)的中心区域。

11.根据权利要求1至8中任一项所述的电池,其特征在于,所述电池为四棱柱型电池。

12.根据权利要求1至8中任一项所述的电池,其特征在于,所述电芯(10)还包括第二极耳(13),所述第一极耳(12)和所述第二极耳(13)由所述电芯主体(11)的同一端延伸而出。


技术总结
本技术涉及电池技术领域,提出了一种电池,包括:电芯,电芯包括电芯主体和第一极耳,电芯主体包括第一极片,第一极耳由第一极片上延伸而出,第一极片包括多个层叠设置的第一单片极片层,第一极耳包括多个层叠设置的第一单片极耳层;壳体,电芯设置于壳体内,壳体包括盖板和壳体件,壳体件包括侧壁段和底壁段,侧壁段和底壁段为一体成型式结构;极柱结构,极柱结构设置于底壁段上,且与电芯电连接。通过使得第一单片极耳层的总数量与第一单片极片层的总数量之比为0.31‑0.92,不仅可以降低第一单片极耳层收束后错层的风险,且在保证第一极耳过流能力的基础上,第一极耳整体厚度不会太大,进而来提高电池内部空间利用率。

技术研发人员:赵冬,马俊杰
受保护的技术使用者:中创新航科技集团股份有限公司
技术研发日:20230810
技术公布日:2024/2/29
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