一种预制金锗层的芯片电容的制作方法

本技术涉及芯片电容，尤其涉及一种预制金锗层的芯片电容。

背景技术：

1、芯片电容器具有体积小、电气性能稳定、可靠性高、电参数随环境变化影响较小、高频下性能优越等优点，应用于在微波集成电路中(mic)作隔直、旁路、耦合、调谐、阻抗匹配和共面波导等作用，传统的通过金锡合金进行焊接，但焊接后的熔点低，不适用于复杂的焊接操作。

2、现有的电容器采用特殊的焊接材料，使得焊接后的熔点高，进而适用于复杂的焊接操作，现有的芯片瓷介电容器传统安装方法是先将金锡焊料放置在焊盘上进行加热融化，再将电容器放置在焊料上进行固化焊接。

3、但传统的焊接方式操作流程复杂，需要多个步骤依次进行，使得操作安装时间长，安装效率低。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种预制金锗层的芯片电容，传统的焊接方式操作流程复杂，需要多个步骤依次进行，使得操作安装时间长，安装效率低。

2、为实现上述目的，本实用新型提供了一种预制金锗层的芯片电容，包括介质层，

3、还包括安装组件，

4、所述安装组件包括上电极层、下电极层和金锗层，所述上电极层与所述介质层连接，并位于所述介质层的一侧，所述下电极层与所述介质层连接，并位于所述介质层远离所述上电极层，所述金锗层与所述下电极层连接，并位于所述下电极层的一侧。

5、其中，所述金锗层材料为au88gel2，密度17.5g/cm3，熔点356℃；金锗层厚度为5～12μm。

6、其中，所述下电极层具有电容对位孔，所述电容对位孔位于所述下电极层的一侧。

7、其中，所述预制金锗层的芯片电容还包括保护层，所述保护层与所述上电极层连接，并位于所述上电极层的一侧。

8、其中，所述预制金锗层的芯片电容还包括绝缘层，所述绝缘层与所述保护层连接，并位于所述保护层远离所述上电极层的一侧。

9、本实用新型的一种预制金锗层的芯片电容，通过对芯片电容器进行预制金锗焊盘，只需通过加热所述金锗层就能使产品安装面融化从而焊接于电路板中，使得能够将电容器快速安装在安装面上，从而提高安装效率。

技术特征：

1.一种预制金锗层的芯片电容，包括介质层，其特征在于，

2.如权利要求1所述的预制金锗层的芯片电容，其特征在于，

3.如权利要求1所述的预制金锗层的芯片电容，其特征在于，

4.如权利要求1所述的预制金锗层的芯片电容，其特征在于，

5.如权利要求4所述的预制金锗层的芯片电容，其特征在于，

技术总结
本技术涉及芯片电容技术领域，具体涉及一种预制金锗层的芯片电容，包括介质层，还包括安装组件，安装组件包括上电极层、下电极层和金锗层，上电极层与介质层连接，下电极层与介质层连接，金锗层与下电极层连接，通过对芯片电容器进行预制金锗焊盘，只需通过加热金锗层就能使产品安装面融化从而焊接于电路板中，从而提高安装效率。

技术研发人员：刘东阳,黄俭帮,林广,黄琳,何自凤,邓佳文
受保护的技术使用者：成都宏科电子科技有限公司
技术研发日：20230810
技术公布日：2024/3/24