本技术涉及晶圆侦测,尤其涉及一种非接触晶圆传递过程的侦测装置。
背景技术:
1、晶圆制造工艺涉及到晶圆清洗,蚀刻等相关的湿法工艺,对于相关湿法工艺的品质与良率要求,其在晶圆表面的洁净度控制能力、颗粒数、表面平整度以及蚀刻均匀性,皆会受到湿法工艺过程的品质控制能力影响。
2、现有技术中,晶圆从单片式清洗设备传输阶段到清洗模组内的传输转移以及晶圆旋转过程中,易造成水平度不协调、偏转、错位等问题,转速配置出现问题会导致晶圆甩离。
技术实现思路
1、本实用新型的目的在于,提供一种非接触晶圆传递过程的侦测装置,解决以上技术问题;
2、一种非接触晶圆传递过程的侦测装置,包括,
3、晶圆旋转平台,设置待侦测晶圆;
4、机械手臂,接收系统信息通知并执行相应动作,位于横向运动机构的内部;
5、晶圆传感器组,包括传感器发射端组和传感器接收端组,所述传感器发射端组、所述传感器接收端组分别设于所述晶圆旋转平台的两侧。
6、优选地,所述传感器发射端组包括上侧发射端、水平发射端和下侧发射端,所述传感器接收端组包括上侧接收端、水平接收端和下侧接收端。
7、优选地,所述机械手臂内设有四入单轴机器人,所述机械手臂还连接用于非接触式夹取晶圆的晶圆夹手。
8、优选地,还包括第一喷嘴、第二喷嘴、第三喷嘴,所述第二喷嘴与所述传感器发射端组相邻,所述第三喷嘴与所述传感器接收端组相邻,所述第一喷嘴位于所述晶圆旋转平台靠近所述第二喷嘴的一端。
9、优选地,所述传感器接收端组的一侧还设有一翻片机构,所述翻片机构与所述晶圆旋转平台相邻。
10、优选地,所述晶圆旋转平台的外圈设有晶圆支撑组件。
11、优选地,所述第二喷嘴远离所述第一喷嘴的一端设有水膜氮气喷嘴。
12、优选地,所述晶圆旋转平台的中心设有晶背清洗喷嘴。
13、优选地,所述晶圆旋转平台周围还设有上段腔体和下段腔体。
14、优选地,所述下段腔体下方设有腔体模组安装底座。
15、本实用新型的有益效果是:由于采用以上技术方案,对晶圆的转移动作进行了协调控制,分别对晶圆的传输、清洗模组内传输、翻片等动作进行实时侦测,避免了晶圆偏转、甩离现象的产生,保证了晶圆传输过程的安全性和稳定性。
1.一种非接触晶圆传递过程的侦测装置,其特征在于,包括,
2.根据权利要求1所述的非接触晶圆传递过程的侦测装置,其特征在于,所述传感器发射端组包括上侧发射端、水平发射端和下侧发射端,所述传感器接收端组包括上侧接收端、水平接收端和下侧接收端。
3.根据权利要求1所述的非接触晶圆传递过程的侦测装置,其特征在于,所述机械手臂内设有四入单轴机器人,所述机械手臂还连接用于非接触式夹取晶圆的晶圆夹手。
4.根据权利要求1所述的非接触晶圆传递过程的侦测装置,其特征在于,还包括第一喷嘴、第二喷嘴、第三喷嘴,所述第二喷嘴与所述传感器发射端组相邻,所述第三喷嘴与所述传感器接收端组相邻,所述第一喷嘴位于所述晶圆旋转平台靠近所述第二喷嘴的一端。
5.根据权利要求4所述的非接触晶圆传递过程的侦测装置,其特征在于,所述传感器接收端组的一侧还设有一翻片机构,所述翻片机构与所述晶圆旋转平台相邻。
6.根据权利要求5所述的非接触晶圆传递过程的侦测装置,其特征在于,所述晶圆旋转平台的外圈设有晶圆支撑组件。
7.根据权利要求4所述的非接触晶圆传递过程的侦测装置,其特征在于,所述第二喷嘴远离所述第一喷嘴的一端设有水膜氮气喷嘴。
8.根据权利要求6所述的非接触晶圆传递过程的侦测装置,其特征在于,所述晶圆旋转平台的中心设有晶背清洗喷嘴。
9.根据权利要求8所述的非接触晶圆传递过程的侦测装置,其特征在于,所述晶圆旋转平台周围还设有上段腔体和下段腔体。
10.根据权利要求9所述的非接触晶圆传递过程的侦测装置,其特征在于,所述下段腔体下方设有腔体模组安装底座。