耐高温安全型二极管的制作方法

文档序号:37631307发布日期:2024-04-18 17:45阅读:10来源:国知局
耐高温安全型二极管的制作方法

本技术涉及二极管领域,特别是涉及一种耐高温安全型二极管。


背景技术:

1、二极管是用半导体材料制成的一种电子器件。它具有单向导电性能,即给二极管阳极和阴极加上正向电压时,二极管导通。当给阳极和阴极加上反向电压时,二极管截止。因此,二极管的导通和截止,则相当于开关的接通与断开,利用二极管和电阻、电容、电感等元器件进行合理的连接,构成不同功能的电路。

2、现有的二极管不具有耐高温的性能,降低二极管的使用寿命,而且二极管的应用领域受到了环境的限制,使得对二极管安装不具有安全高效的功能,同时现有二极管外露的正电极和负电极没有设有保护结构,导致在使用的过程中不能够起到绝缘的作用,从而降低了二极管在使用过程中的安全性,给人们带来不便。


技术实现思路

1、基于此,本实用新型的目的在于,提供一种安全高效、使用寿命长的耐高温安全型二极管。

2、本实用新型采用如下技术方案:

3、一种耐高温安全型二极管,包括上壳体、连接于所述上壳体下方的下壳体、设置于所述上壳体内部的弹性层、设置于所述弹性层内部的耐温层、设置于所述耐温层内部的阻燃层、设置于所述阻燃层内部的基板、连接于所述基板的二极管芯片、分别设置于所述二极管芯片两侧的正电极引脚和负电极引脚,所述正电极引脚和负电极引脚分别导电连接于所述基板;所述正电极引脚和负电极引脚分别套设有保护伸缩套。

4、对上述技术方案的进一步改进为,所述上壳体与下壳体的连接处设有加强板,所述正电极引脚和负电极引脚依次穿过加强板和下壳体设置。

5、对上述技术方案的进一步改进为,所述加强板和下壳体一体成型设置。

6、对上述技术方案的进一步改进为,所述弹性层为软质棉体层。

7、对上述技术方案的进一步改进为,所述弹性层的表面卡设有若干微型通孔。

8、对上述技术方案的进一步改进为,所述耐温层为玻璃纤维层。

9、对上述技术方案的进一步改进为,所述阻燃层为硅橡胶层。

10、对上述技术方案的进一步改进为,所述保护伸缩套的内部设有绝缘层。

11、对上述技术方案的进一步改进为,所述绝缘层粘接固定于所述保护伸缩套的内表面。

12、对上述技术方案的进一步改进为,所述绝缘层为交联聚烯烃绝缘层。

13、本实用新型的有益效果为:

14、本实用新型设置耐温层、阻燃层,提高二极管的耐高温、阻燃性能;设置弹性层,有效起到缓冲作用,进一步保护到二极管内部的电子元器件;还通过在引脚处设置保护伸缩套,当二极管插入到插板时,通过设有的保护伸缩套可避免正电极引脚、负电极引脚的部分结构裸露在外部,从而可避免被使用人员接触到,提高安全性。



技术特征:

1.一种耐高温安全型二极管,其特征在于,包括上壳体、连接于所述上壳体下方的下壳体、设置于所述上壳体内部的弹性层、设置于所述弹性层内部的耐温层、设置于所述耐温层内部的阻燃层、设置于所述阻燃层内部的基板、连接于所述基板的二极管芯片、分别设置于所述二极管芯片两侧的正电极引脚和负电极引脚,所述正电极引脚和负电极引脚分别导电连接于所述基板;所述正电极引脚和负电极引脚分别套设有保护伸缩套。

2.根据权利要求1所述的耐高温安全型二极管,其特征在于,所述上壳体与下壳体的连接处设有加强板,所述正电极引脚和负电极引脚依次穿过加强板和下壳体设置。

3.根据权利要求2所述的耐高温安全型二极管,其特征在于,所述加强板和下壳体一体成型设置。

4.根据权利要求1所述的耐高温安全型二极管,其特征在于,所述弹性层为软质棉体层。

5.根据权利要求4所述的耐高温安全型二极管,其特征在于,所述弹性层的表面卡设有若干微型通孔。

6.根据权利要求1所述的耐高温安全型二极管,其特征在于,所述耐温层为玻璃纤维层。

7.根据权利要求1所述的耐高温安全型二极管,其特征在于,所述阻燃层为硅橡胶层。

8.根据权利要求1所述的耐高温安全型二极管,其特征在于,所述保护伸缩套的内部设有绝缘层。

9.根据权利要求8所述的耐高温安全型二极管,其特征在于,所述绝缘层粘接固定于所述保护伸缩套的内表面。

10.根据权利要求8所述的耐高温安全型二极管,其特征在于,所述绝缘层为交联聚烯烃绝缘层。


技术总结
本技术涉及二极管领域,特别是涉及一种耐高温安全型二极管,包括上壳体、连接于所述上壳体下方的下壳体、设置于所述上壳体内部的弹性层、设置于所述弹性层内部的耐温层、设置于所述耐温层内部的阻燃层、设置于所述阻燃层内部的基板、连接于所述基板的二极管芯片、分别设置于所述二极管芯片两侧的正电极引脚和负电极引脚,所述正电极引脚和负电极引脚分别导电连接于所述基板;所述正电极引脚和负电极引脚分别套设有保护伸缩套。本技术的目的在于,提供一种安全高效、使用寿命长的耐高温安全型二极管。

技术研发人员:王焕东,谭仲坤,邹新艺,蒋运权
受保护的技术使用者:广东慧芯电子科技有限公司
技术研发日:20230815
技术公布日:2024/4/17
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